离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究 -

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离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究

, 2002, 51(3): 659-662.

DOI: 10.7498/aps.51.659

CSTR: 32037.14.aps.51.659

Acta Phys. Sin., 2002, 51(3): 659-662.

DOI: 10.7498/aps.51.659

CSTR: 32037.14.aps.51.659

摘要
采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAsAlGaAs非对称耦合量子阱单元,通过光致荧光谱测量,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应.荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明,Al原子在异质结界面的扩散在离子注入过程中已基本完成,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心.

关键词:
量子阱 /

离子注入 /

光致荧光谱 /

界面混合
Abstract
Keywords:
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/
作者及机构信息
陈贵宾,

陆卫,

缪中林,

李志锋,

蔡炜颖,

沈学础,

陈昌明,

朱德彰,

胡钧,

李明乾
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参考文献

施引文献

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