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中国物理学会期刊
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Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长

, 2002, 51(2): 296-299.
DOI: 10.7498/aps.51.296
CSTR: 32037.14.aps.51.296

Acta Phys. Sin., 2002, 51(2): 296-299.
DOI: 10.7498/aps.51.296
CSTR: 32037.14.aps.51.296
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  • 摘要

    用扫描隧道显微镜研究了Si(111)(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长.室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge,然后在适当的温度下退火可以聚集形成有序的Ge量子点.由于Ge在Si(111)(7×7)表面选择性的吸附而形成有序的Ge量子点.

     

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