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中国物理学会期刊
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GaN(0001)表面的电子结构研究

, 2002, 51(11): 2606-2611.
DOI: 10.7498/aps.51.2606
CSTR: 32037.14.aps.51.2606

Acta Phys. Sin., 2002, 51(11): 2606-2611.
DOI: 10.7498/aps.51.2606
CSTR: 32037.14.aps.51.2606
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  • 摘要

    报道了纤锌矿WZ(wurtzite)GaN(0001)表面的电子结构研究.采用全势线性缀加平面波方法计算得到了GaN分波态密度,与以前实验结果一致.讨论了Ga3d对GaN电子结构的影响.利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了价带电子结构.通过改变光子能量的垂直出射谱勾画沿ΓA方向的体能带结构,与计算得到的能带结构符合得较好.根据沿ΓK和ΓM方向的非垂直出射谱,确定了两个表面态的能带色散

     

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