面心立方多晶薄膜中应变能密度对晶粒取向的依赖 -

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面心立方多晶薄膜中应变能密度对晶粒取向的依赖

, 2002, 51(11): 2562-2566.

DOI: 10.7498/aps.51.2562

CSTR: 32037.14.aps.51.2562

Acta Phys. Sin., 2002, 51(11): 2562-2566.

DOI: 10.7498/aps.51.2562

CSTR: 32037.14.aps.51.2562

摘要
对附着在基体上面心立方多晶薄膜中不同取向晶粒的应变能密度进行了计算.结果表明:在屈服之前,5个最小的应变能密度对应的晶粒取向依次为(100),(510),(410),(511)和(310);在屈服膜中,5个最小的应变能密度对应的晶粒取向依次为(110),(100),(511),(411)和(211).仅考虑应变能,这些取向的晶粒将依次优先生长

关键词:
薄膜 /

应变能密度 /

晶粒生长
Abstract
Keywords:
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作者及机构信息
张建民,

徐可为
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参考文献

施引文献

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