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真空退火对氟化非晶碳薄膜结构的影响
黄峰
,
程珊华
,
宁兆元
,
杨慎东
,
叶超
, 2002,
51(6)
: 1383-1387.
DOI:
10.7498/aps.51.1383
CSTR:
32037.14.aps.51.1383
Huang Feng
,
Cheng Shan-Hua
,
Ning Zhao-Yuan
,
Yang Shen-Dong
,
Ye Chao
Acta Phys. Sin.
, 2002,
51(6)
: 1383-1387.
DOI:
10.7498/aps.51.1383
CSTR:
32037.14.aps.51.1383
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在苯(C6H6)和四氟化碳(CF4)混合气体中,用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术(ECRCVD)在不同功率下制备了氟化非晶碳膜(aC:F),为了检测膜的热稳定性对其进行了真空退火处理,测量了退火前后膜厚的变化率,并用傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)研究了其结构的变化.结果表明,膜厚变化率与沉积功率有关;400℃退火后低功率下沉积的膜的结构变化显著,高功率下沉积的膜则呈现了较好的热稳定性.
关键词:
ECR-CVD
/
aC:F薄膜
/
真空退火
Abstract
Keywords:
/
/
作者及机构信息
黄峰
,
程珊华
,
宁兆元
,
杨慎东
,
叶超
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