AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离 -

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AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离

, 2000, 49(2): 375-378.

DOI: 10.7498/aps.49.375

CSTR: 32037.14.aps.49.375

Acta Phys. Sin., 2000, 49(2): 375-378.

DOI: 10.7498/aps.49.375

CSTR: 32037.14.aps.49.375

摘要

对HBT工艺中质子隔离注入及其掩膜方法进行了研究.通过计算确定了最佳注入剂量.在一定的温度下退火,可增强隔离效果,最佳退火温度依赖于离子注入剂量,当温度增高时,电阻率又开始下降,并趋向恢复到退火前的状态.采用Si3N4加光刻胶双层掩膜,工艺简单,重复性好,样品无沾污现象,隔离效果佳,制备的器件直流特性较好.
Abstract
作者及机构信息
程知群,

孙晓玮,

夏冠群,

李洪芹,

盛怀茂,

钱蓉
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参考文献

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