InSb(211)A,B表面电子结构特性 -

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InSb(211)A,B表面电子结构特性

, 2000, 49(2): 318-323.

DOI: 10.7498/aps.49.318

CSTR: 32037.14.aps.49.318

Acta Phys. Sin., 2000, 49(2): 318-323.

DOI: 10.7498/aps.49.318

CSTR: 32037.14.aps.49.318

摘要

采用散射理论的格林函数方法计算了InSb(211)A,B两类表面的电子结构,分别给出了两类表面的表面投影能带结构,分析了各表面态的轨道特性和色散特性;并在此基础上讨论了两类表面的稳定性;计算结果和实验结果定性的相符合.
Abstract
作者及机构信息
贾瑜,

马丙现,

胡行,

顾华伟,

李新建
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参考文献

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