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报道了在钙钛矿型结构的SrTiO3衬底上用分子束外延方法生长闪锌矿型结构的GaAs半导体单晶薄膜.应用光调制反射光谱和光荧光方法 ，研究了GaAs半导体薄膜的带间跃迁，并与通常的GaAs体材料特性进行了对比研究.结果表明，在钙钛矿型结构SrTiO3衬底上生长的GaAs单晶薄膜具有与单晶体材料相似的禁带与光学特性，在带间跃迁的弛豫上，外延薄膜相对体材料大了约5倍.This paper reports the molecular beam epitaxy growth of the GaAs single crystal film on the perovskite oxide SrTiO3(001) substrate. The photo modulated reflectance spectroscopy and the photoluminescence measurement show that the energy band gap
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中国物理学会期刊
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