发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析 -

搜索

x

发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析

, 1995, 44(1): 57-63.

DOI: 10.7498/aps.44.57

CSTR: 32037.14.aps.44.57

Acta Phys. Sin., 1995, 44(1): 57-63.

DOI: 10.7498/aps.44.57

CSTR: 32037.14.aps.44.57

摘要

用X射线光电子能谱测量了经电解腐蚀后硅片表面的发光物质.发现发光膜中与发光有关的物质为硅氧化合物,其成分与二氧化硅接近,但O/Si小于2,并含有约百分之一数量级的氟,由氩离子刻蚀条件估算发光膜的厚度为微米数量级.随氩离子束的轰击,发光膜的发光强度下降,波长红移.
Abstract
作者及机构信息
季振国,

陈立登,

马向阳,

姚鸿年,

阙端麟
Authors and contacts
参考文献

施引文献

/

下载: 全尺寸图片幻灯片

返回