MoSi_x多层薄膜电阻率温度系数及电子的弱局域性研究 -

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MoSi_x多层薄膜电阻率温度系数及电子的弱局域性研究

, 1995, 44(2): 305-311.

DOI: 10.7498/aps.44.305

CSTR: 32037.14.aps.44.305

Acta Phys. Sin., 1995, 44(2): 305-311.

DOI: 10.7498/aps.44.305

CSTR: 32037.14.aps.44.305

摘要

利用多层溅射技术制备了不同组分的MoSi_x薄膜,然后研究其平面电阻的退火行为,发现平面电阻随薄膜成分呈现不同的变化趋势;对典型的MoSi_2和MoSi(?)两种成分的薄膜进行了系统的电阻率温度特性研究,发现多层薄膜在晶化之前和处于小晶粒时电阻率温度系数(TCR)为负值,并认为它和无序体系中电子的弱局域性有关.
Abstract
作者及机构信息
王晓平,

赵特秀,

季航,

梁齐,

叶坚,

刘磁辉,

王顺喜
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参考文献

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