CaAs(100)的(NH4)2Sx和P2S5/(NH4)2Sx表面钝化 -

搜索

x

CaAs(100)的(NH4)2Sx和P2S5/(NH4)2Sx表面钝化

, 1995, 44(8): 1328-1334.

DOI: 10.7498/aps.44.1328

CSTR: 32037.14.aps.44.1328

Acta Phys. Sin., 1995, 44(8): 1328-1334.

DOI: 10.7498/aps.44.1328

CSTR: 32037.14.aps.44.1328

摘要

利用光致发光谱、X射线光电子谱和俄歇电子谱等技术研究了(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_5化学钝化GaAs(100)表面.结果表明,(NH_4)_2S_x中S钝化可以完全去除GaAs表面的氧化物.P_2S_5/(NH_4)_2S_x中P_2S_5对降低G_2A_5表面态密度,提高光致发光强度是有效的.钝化表面P氧化物存在对防止GaAs表面初期氧化起重要作用.
Abstract
作者及机构信息
陈维德,

金高龙,

崔玉德,

段俐宏,

高志强
Authors and contacts
参考文献

施引文献

/

下载: 全尺寸图片幻灯片

返回