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亚稳态γ-Mn与GaAs(100)界面的形成:扩散和化学反应
张明
,
董国胜
,
徐敏
,
陈艳
,
金晓峰
,
朱兴国
, 1995,
44(1)
: 115-121.
DOI:
10.7498/aps.44.115
CSTR:
32037.14.aps.44.115
ZHANG MING
,
DONG GUO-SHENG
,
XU MIN
,
CHEN YAN
,
Jin Xiao-Feng
,
ZHU XING-GUO
Acta Phys. Sin.
, 1995,
44(1)
: 115-121.
DOI:
10.7498/aps.44.115
CSTR:
32037.14.aps.44.115
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利用低能电子衍射、电子能量损失谱和X射线电子能谱,对亚稳态了γ-Mn在清洁、有序的GaAs(100)表面的淀积过程进行了研究.研究结果表明,淀积初期锰的生长是层状的.在生长过程中界面发生互混井伴随着Mn与衬底间的化学反应.我们用一简单的模型对上述过程进行了理论计算,得到的结果与实验基本吻合.这对于进一步理解亚稳态γ-Mn的形成机理具有重要意义.
Abstract
作者及机构信息
张明
,
董国胜
,
徐敏
,
陈艳
,
金晓峰
,
朱兴国
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