从质点系非惯性系的动力学方程出发,建立力学系统相对运动的高阶微分变分原理,然后引入力学系统的高阶相对速度能量,导出完整力学系统相对运动的各类高阶动力学方程,并给出一例说明本文结果的应用.

本文利用三参数李群求代数表示的方法求出多项式角动量代数的代数表示及其酉表示，找到一个能同时承载李代数及相对应的多项式角动量代数的基底，并在该基底下求出两种代数之间的联系，利用该联系则也可求出多项式角动量代数的代数表示.最后求出多项式角动量代数的单玻色实现及其在有限维多项式函数空间的微分实现.

在任意加速带电动态时空中，选取零标架、计算出旋系数，把四个耦合的Dirac方程中化成两个耦合的方程，采用Tortoise坐标变换将其两个耦合的方程变换成Tortoise坐标下的形式，在黑洞视界面附近化成了典型的波动方程，得到在视界面附近Dirac粒子的Hawking辐射温度，成功地导出了Hawking热谱公式.

研究了一类时滞混沌神经网络的全局同步问题.应用驱动-响应同步方法和线性矩阵不等式技术，给出了时滞混沌神经网络全局同步的充分条件和同步控制器设计方法，而且所得到的控制器易于实现.仿真示例验证了本文方法的有效性.

在混沌有益时，有目的地产生混沌已经成为混沌学研究的热点问题，本文提出直接延迟反馈实现混沌的反控制，在非混沌系统中产生了混沌.该方法与间接延迟反馈控制方法相比，控制更加简单，更易于实现.该方法与Pyragas提出的延迟反馈混沌控制方法的控制器结构相同，因此，这种直接延迟反馈控制方法可以在需要混沌时产生混沌，不需要混沌时控制混沌，实现混沌控制和反控制的统一，为设计者提供最大的灵活性.针对参数处于非混沌区的Chen系统和Lorenz系统的仿真结果表明了该混沌反控制方法的有效性.

对文献中给出的光场与二能级原子玻色-爱因斯坦凝聚体(BEC)相互作用系统的哈密顿量进行分析，表明文献中对原子间相互作用部分的处理有不合理之处，文献中的处理过高估计了原子间相互作用的贡献，从而对该哈密顿量作出了改进.用改进的哈密顿量解析地求解了非旋波近似下光子和原子算符的运动方程，并结合BEC的有关实验条件对哈密顿量中的有关参数作出了估计，研究了光场与原子玻色-爱因斯坦凝聚体相互作用系统中，光场和耦合输出相干原子束的压缩性质.结果表明：光场两正交分量的涨落均随时间按余弦规律周期性地变化，原子激光的两正交分量

利用真空紫外(VUV)同步辐射光源和反射式飞行时间质谱仪，在超声冷却条件下对三氯乙烯(C2HCl3)进行了光电离研究，通过测量各离子的光电离效率(PIE)曲线，得到了C2HCl3的电离势PI(C2HCl3)=9.51±0.05eV，以及C2HCl3光解离碎片离子的出现势(PA)：P
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利用真空紫外(VUV)同步辐射光源和反射式飞行时间质谱仪，在超声冷却条件下对三氯乙烯(C2HCl3)进行了光电离研究，通过测量各离子的光电离效率(PIE)曲线，得到了C2HCl3的电离势PI(C2HCl3)=9.51±0.05eV，以及C2HCl3光解离碎片离子的出现势(PA)：P
. 2006 55(6): 2708-2713. Published 2006-03-05 ]]> 2006-03-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 2006 55(6): 2708-2713. article doi:10.7498/aps.55.2708 10.7498/aps.55.2708 55 6 2006-03-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.55.2708 2708-2713 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.55.2714

利用稳定相位理论得到了光子穿越含单负介质层受阻全内反射结构的隧穿时间以及光子穿透光学势垒后产生的横向位移.分析结果表明，当势垒为单负介质时，光子隧穿可能表现出负的隧穿时间和负的横向位移.隧穿时间和横向位移存在Hartman效应，使得光子隧穿过程具有超光速性质.此外，基于TM波和TE波通过负介电常数介质和负磁导率介质势垒产生的横向位移的方向正好相反，得到了一种有效的区分两类单负介质的方法.

本文应用negativity和concurrence两种纠缠度量标准，考察了双原子与双模光场相互作用系统中，原子间纠缠和光场模间纠缠随时间的演化规律，发现它们在时间演化过程中可以相互转换，在一定条件下两者具有很好的对应关系；对于两量子位系统，negativity和concurrence的取值范围一样，在判断纠缠存在与否的标准上也完全相同，但当系统处于混态时二者的大小不能始终保持一致.

采用传统无压烧结工艺制备Mg，Ti共掺透明氧化铝陶瓷，测定了其吸收光谱、荧光光谱和激发光谱，结果表明，由于Mg2+的电荷补偿，当Ti掺入量较小时，Ti主要以Ti4+形式存在，(Mg，Ti):Al2O3透明陶瓷只在250nm的紫外波段有吸收峰，为O2-→Ti4+的电荷转移跃迁产生的吸收，并产生Ti4+离子在280—290nm和410—420nm的荧光发射峰

以可溶性碳纳米管为研究对象，进行了Z扫描实验.实验中通过改变样品的参量，研究了材料在不同浓度和不同厚度下的Z扫描曲线特性；实验分别在532nm和1064nm的激光下进行，并分别进行了开孔和闭孔实验.材料的闭孔Z扫描曲线没有明显的峰谷对称结构，而开孔Z扫描曲线呈现关于原点对称的单一谷形状，表明样品存在较强的非线性吸收效应，非线性吸收可能是其主要的光限幅机理.

采用受激布里渊散射(SBS)噪声起源理论模型，数值模拟了透镜焦距对SBS光限幅功率特性和能量特性的影响.结果表明，改变透镜焦距就可以方便的控制SBS光限幅的功率波形和输出能量.当采用焦距适中的透镜(f=15cm)时，可以得到较低的限幅输出能量；当采用短焦距的透镜(f=5cm)时，可以得到较理想的限幅功率波形.在实验上将波长1064nm、脉宽8ns、能量16mJ的Nd:YAG激光脉冲聚焦到CCl4介质中，研究了限幅功率波形和限幅输出能量随透镜焦距的变化规律，实验结果与理论模拟相符合.

以气相甲烷分子ν1模Q支的拉曼光谱为例，采用拉曼诱导克尔效应谱(RIKES)进行峰形测量，并将其与同时测量的受激拉曼光声光谱(PARS)的峰形进行了比较.结果表明，在pump光和Stokes光均为线偏振的情况下，两者存在着差异；在拉曼共振峰的低频端，RIKES谱强度略高；而高频端则恰好相反.从信号产生机制出发，对此进行了合理解释.

提出了一种新型的基于多电极单端耦合半导体光放大器(SOA)的交叉增益调制(XGM)型波长转换方案，并建立了这种波长转换器完整的宽带理论模型.通过数值模拟的方法，比较了基于多电极单端耦合SOA的XGM型波长转换和基于单电极单端SOA的XGM型波长转换的输出特性，结果表明前者的输出消光比优于后者，而且啁啾特性也略有改善.

利用(1+1)维Snyder-Mitchell模型和空间正弦相位调制的方法，讨论了如何控制高斯光束在平面波导中的传输问题，发现只要适当地选择调制参数就可得到稳定对称的三、五和六束子光束的共同传输，其独特全新的相互作用过程在光开关、编码器和分光器上有潜在的应用价值.

利用有限时域差分法(FDTD)进行数值模拟，在二维光子晶体中实现了电磁波两种偏振态的自准直——全光自准直(full-light-self-collimation).研究表明，通过对光子晶体的结构做适当的调整，可以在较宽频率范围内实现横电波(TE波)和横磁波(TM波)沿着相同方向传播，同时保持较强的能流强度.全光自准直可以显著提高光源利用率和光波导的传播效率，在高密度集成光路中有非常重要的用途.

利用光子晶体的共振隧穿效应，并结合由负折射材料引起的零平均折射率带隙，设计出一种新型的角度滤波器，使得对于某一频率范围内的入射电磁波仅在特定入射角度的波能够全透，而其他角度的波不能透过.这将在微波器件乃至光学器件上有广泛应用.

应用Judd-Oflet理论计算了新型掺铒高硅氧玻璃中铒离子的强度参量Ωt(t=2,4,6)，Ω2=8.15×10-20，Ω4=1.43×10-20，Ω6=1.22×10-20，相比于其他氧化物玻璃，表现出较大的Ω2,6值，反映了铒离子周围的近邻结构不对称性和Er-O键的离子键成分较高.利用McCumber理论计算得到了能级
. 2006 55(6): 2771-2776. 刊出日期: 2006-03-05 ]]>

应用Judd-Oflet理论计算了新型掺铒高硅氧玻璃中铒离子的强度参量Ωt(t=2,4,6)，Ω2=8.15×10-20，Ω4=1.43×10-20，Ω6=1.22×10-20，相比于其他氧化物玻璃，表现出较大的Ω2,6值，反映了铒离子周围的近邻结构不对称性和Er-O键的离子键成分较高.利用McCumber理论计算得到了能级
. 2006 55(6): 2771-2776. Published 2006-03-05 ]]> 2006-03-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 2006 55(6): 2771-2776. article doi:10.7498/aps.55.2771 10.7498/aps.55.2771 55 6 2006-03-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.55.2771 2771-2776 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.55.2777

利用转移矩阵方法研究了含双负缺陷的一维光子晶体耦合腔的透射谱.计算结果表明，如果改变缺陷的折射率，缺陷模之间的耦合作用将发生改变，使得能隙中的杂质带也随之改变.若这个折射率取适当值，则可以在禁带中同时出现几个尖锐的透射峰和较宽的通带，这种结构可同时用于多通道窄带滤波和宽带滤波.

因一维光子晶体的许多应用由其场强分布特性所决定，本文研究了无规全角高反一维光子晶体场强分布的性质，结果表明在带隙内,两者的场强分布无明显差别,但在研究各种应用和器件关系最密切的带隙边缘, 周期结构的场强分布只有对称性的一种；无规结构光子晶体的谱带边缘电场分布特性则完全可按应用要求进行设计和控制，为光子晶体器件设计提供了全新的思路.

把具有宽完全带隙的粗锐复合的周期常数为a的二维正方格子再与周期常数为a2的大周期简单正方格子复合，发现大周期正方格子起缺陷作用.并发现当a22的增大而减少.用FDTD方法计算了其透射和反射谱,结果表明缺陷峰透射率与a2的大小成反比.另外还发现: 缺陷峰结构与大周期正方格子的圆柱直径的关系曲线与a2关系不大.通过调节大周期正方格子的圆柱的直径，可获得单

对于具有周期单元的分层介质材料高反射区的波长范围，提供一种简明的估计分析方法.基于Floquet定理，分析了有限周期单元分层介质的光子带隙特性，给出分层介质的高反射区波长范围.讨论了分层介质高反射区和周期单元禁带之间的关系.计算表明，高反射区和周期单元禁带的中心波长彼此一致.并且，随着分层介质周期单元数的增多，高反射区的深度和带宽就越接近于周期单元禁带的深度和宽度.最后，讨论周期分层介质的光子带隙特性与入射角及其与极化的变化关系.

构造两种结构负折射指数物质(NRM)，利用数值模拟计算两种结构的S参数.由于这种结构尺度比波长小，为精确利用有限积分技术(FIT)进行模拟.通过对这两种结构中金属线位置变化对金属谐振频率影响进行模拟，最后得出由于金属线与谐振环耦合，金属线对称破缺影响谐振环谐振频率和通带，并对等效负折射指数为负的频带产生影响.

本文通过数值仿真对基于啁啾光纤光栅的单信道的色散管理进行了研究，并在1500km的10Gb/s单信道传输系统中进行了实验验证.本文还通过分析啁啾光纤光栅引入的信道间随机时延差对交叉相位调制的抑制作用，发现了基于啁啾光纤光栅的多信道系统的色散管理的新的特点.

提出将圆环形薄壁截面梁应用于光纤光栅传感，用一个光栅实现了对温度与应力的同时区分测量；对圆环形薄壁截面梁的应变进行了理论与实验分析，结果表明圆环形薄壁截面梁各点应变与该点角度的二倍呈余弦变化关系.

基于Khokhlov-Zabolotkaya-Kuznetsov(KZK)方程，在频域建立了求解三维非轴对称声场的方法，理论及实验研究了声波通过肋骨条状障碍物后的非线性声场分布，数值计算与实验结果相符.本文还讨论了条状障碍物对空间平均-时间平均声强(ISATA)的影响.

研究了xPMnS-(1-x)PZN 四元系压电陶瓷的相变特征，分析了组成变化对材料相变特性的影响.结果表明，xPMnS-(1-x)PZN陶瓷具有弥散性相变特点，在相变过程中存在明显的介电热滞.电子结构计算结果表明，弥散相变的原因是由于不同B位原子与周围氧原子成键强度不同所致.当x值较大(或较小)时具有弛豫铁电体特征，相变弥散性较强；当组成位于x=0.4附近时具有正常-弛豫铁电体特征，相变的弥散性较弱.

利用广义非线性薛定谔方程，分别数值计算了光子晶体光纤(Photonic Crystal Fiber, PCF)中的受激拉曼散射(Stimulated Raman Scattering，SRS)所致啁啾、自陡(Self-steepening，SS)所致啁啾及综合各种效应所得的总啁啾.计算结果表明：SRS啁啾的中心漂移而且正、负啁啾不对称；SS啁啾主要集中在脉冲的后沿；各种非线性总啁啾增大.由此得出，SRS引起频谱的红移与不对称，而SS则对频谱的不对称展宽贡献最大，各种非线性总的作用结果将产生不对称的红移的超

完全电离等离子体中，当试探粒子分布函数fα是关于试探粒子速度vα的偶函数时，导出了一个新的动力学方程的碰撞算子.该碰撞算子同时包括了大角散射(库仑近碰撞)和小角散射(库仑远碰撞)的二体碰撞的贡献,因此，该碰撞算子同时适用于弱耦合(库仑对数lnΛ≥10)和中等耦合(库仑对数2≤lnΛ≤10)等离子体.而且经过修改的碰撞算子和Rosenbluth势有直接的联系，当试探粒子和场粒子满足条件mαmβ(如电子-离子碰撞或Lor

采用紧束缚能带理论，利用所提出的考虑卷曲效应的紧束缚能量哈密顿量，建立了公度双壁碳纳米管(DWNT)的能带结构模型；基于碳纳米管(CNT)发射电流与其能带结构的相关性，定量分析了公度DWNT的层间耦合作用对其场发射电流的影响.结果表明：在层间耦合作用下，DWNT的带结构中部分简并能级发生劈裂，同时使禁带宽度发生改变.前一个因素增加了电子发射的通道，后一个因素改变价带中参与发射的电子数量，导致在一定外电场下，DWNT与其外层的SWNT相比，场发射电流有一定程度的增加，且半导体性管发射电流增幅比金属性管大，在

依据群论，得出了准晶体学点群的直积或半直积推导算式；依据结晶学理论，绘出了五角、八角、十角和十二角晶系各点群的极赤投影图.据此推导出了每一个准晶体学点群的全部最大子群，从而推导并绘制出了三维晶体学和准晶体学点群之间的母子群关系(60个点群的“家谱”).该“家谱”以最大子群链的图解形式直观地给出了每个点群的最小母群和最大子群.

针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用，采用射频反应溅射法，在室温下制备氧化钒薄膜；研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压，先获得成分接近VO2的非晶化薄膜，再在400℃空气中氧化退火，便可制得高电阻温度系数，低电阻率的VO2薄膜，电阻温度系数约为-4%/℃，薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ；薄膜在室温下沉积，400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic

本文在修正的SCG模型基础上，提出了一种考虑了熔化潜热的高温高压本构.该本构所给出的铝的剪切模量的变化分为三个阶段：加工硬化，温度软化和熔化，并在完全熔化点处变为零.并且在前两个阶段，计算的结果与修正的SCG模型所给出的剪切模量的差别不超过4%，这一差别是在动高压实验误差范围之内的，在熔化区所给出的剪切模量与现有的实验数据相符合.

通过综合考虑沉淀动力学和动态应变时效机理，建立了一套具有明确物理内涵的唯象本构模型.并在对不同加载应变率下的单轴拉伸实验的数值模拟中，得到了3种类型的Portevin-Le Chatelier效应应力曲线.计算结果与实验数据的较好吻合，验证了该模型的有效性.

在卷曲法计算得到的单壁碳纳米管12个非简并的本征频率与手性和管径关系的基础上，继续讨论了简并的本征频率中E1和E2的振动模式，以及其频率与手性和管径的关系.

在量子化的Holstein模型的基础上再考虑电子与双声子相互作用，运用相干态展开法，得到了一维分子晶体模型处于基态的极化子满足的非线性薛定谔方程及其定态孤子解、基态能量、晶格位移.

在规则格子点阵中，活跃点逐步动态地以可变概率感染附近空缺点而生成系综.利用感染概率替代系综温度，给粒子划分能级，可以用巨正则系综配分函数表征体系.蒙特卡洛方法模拟验证了该体系在逾渗阈值处的相变行为.提出了一种新的较为普适的估算规则点阵逾渗阈值的方法.对介质基底上金属薄膜的实验研究验证了该感染生长模型的合理性.由此给出了格子点阵的固有属性(逾渗)如何在粒子聚集成团簇这一动态过程中体现出来的物理模型.

为了理解NiTi形状记忆合金马氏体相变的机理，基于密度泛函的第一性原理研究了温度和应力对电子结构的稳定性的影响.通过对态密度的分析，发现随着温度的降低和变形的增加，B2相的态密度升高，能级兼并性提高，从而导致结构的稳定性降低，促进相变的发生.

采用嵌入原子方法的原子间相互作用势，通过分子动力学方法模拟了低能Pt原子与Cu，Ag，Au，Ni，Pd替位掺杂Pt(111)表面的相互作用过程，系统研究了替位原子对表面吸附原子产额、溅射产额和空位缺陷产额的影响规律，分析了低能沉积过程中沉积原子与基体表面的相互作用机理以及替位原子的作用及其影响规律.研究结果显示：替位原子的存在不仅影响着沉积能量较低时的表面吸附原子的产额与空间分布，而且对沉积能量较高时的低能表面溅射过程和基体表面空位的形成产生重要影响.替位原子导致的表面吸附原子产额、表面原子溅射以及空位形

利用卢瑟福背散射/沟道技术对射频等离子体辅助分子束外延法生长在蓝宝石衬底上的ZnO/Zn0.9Mg0.1O/ZnO异质结进行了组分分析，并得到了异质结弹性应变随深度的变化，应变由界面向表面逐渐释放，并由负变正，且在ZnO与Zn0.9Mg0.1O界面处轻微增大.负的应变是由于ZnO与衬底的晶格失配和热失配，而逐渐变为正值是Zn0.9Mg0.1O与ZnO的晶格常数差异及弹性应变的

利用激光划痕测试法和弯曲应力理论，建立了涂层结合界面应力的理论模型，推导出结合界面剪应力、正应力和剥离应力分布公式，分析了结合界面应力产生的机理.理论分析结果表明，界面正应力主要集中在界面中心区域内，而在界面边缘附近，正应力迅速下降，在界面边缘处其值降为0；剪应力和剥离应力主要集中在界面边缘区域内，在远离界面边缘区域，剪应力和剥离应力则迅速下降；涂层中正应力和涂层厚度、基体厚度以及杨氏模量无关，界面间剪应力以及剥离应力随涂层厚度增加而增加，并且由涂层与基体厚度以及杨氏模量所共同决定.

基于密度泛函理论和局域密度近似的第一性原理方法，进行了Al晶界的第一性原理拉伸试验.得到Al晶界的理论拉伸强度为9.5 GPa，对应的应变为16%.根据价电荷密度、键长和原子构型随应变的变化，我们证实断裂发生在晶界面，其特征是所有界面键的断裂.同时还发现在周围原子键的数目减少的情况下，界面重构的Al-Al原子键具有共价键的性质.因此Al晶界依然保持着较高的界面强度.

运用密度泛函理论平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA)，计算研究了纳米管BN(5,5)在不同压力条件下的几何结构、电子结构和光学性质. 在高压条件下管口形状发生了较大的变化. 与闪锌矿结构BN比较分析发现两种结构间存在一些性质上的差异：首先，在外压力作用下，BN(5,5)纳米管的带隙随压力增大而减小，变化率为-0.01795eV/GPa，而闪锌矿结构BN随压力增大而增大；其次光吸收谱在压力条件下，没有和闪锌矿结构BN一样发生“蓝移”，相反在红外方向有所拓展；但纳米管BN(5,5)电子的转移方向和

根据密度泛函理论对钨酸铅晶体中铅空位周围的晶格进行了结构优化，计算得到铅空位周围的晶格结构、电子态密度分布和偏振吸收光谱；计算结果表明钨酸铅晶体中铅空位的两价负电性是通过铅空位周围的氧共同抓获两个空穴来维持局部电中性的，即铅空位周围形成的色心模型为［O23--VPb2--O23-］，不同的氧离子抓获空穴方式不同形成不同的色心，对应不同的吸收带；根据吸收带的偏振性质，提出了各个

利用分子动力学模拟方法研究了2—3nm厚的类金刚石(DLC)薄膜在金刚石基体(100)表面上的生长过程. 分析了用来表征沉积后无定型碳膜质量的重要结构特性，如sp3杂化比例、薄膜密度、径向分布函数等，计算结果和现有的实验结果基本一致. 不同入射原子能量对结构特性进而对薄膜性能有重要影响，入射原子能量在20—60eV时，薄膜可以获得最优性能. 载能原子入射是生长均匀、连续、致密固体薄膜的前提，稳定的中间区域对于保证薄膜优良的力学性质是必需的.

从第一性原理出发，在局域自旋密度近似(LSDA)和LSDA+U(在位库仑能)近似下，采用FPLAPW密度泛函能带计算方法研究了Gd2Co2Al的电子结构和磁性. 从平均场近似出发，估算了体系的居里温度，并分析了导致体系居里温度偏低的原因.研究结果显示Gd2Co2Al为金属导体，其强的铁磁性的提供者主要是Gd，且Co的局域铁磁性是不稳定的. 基于LSDA近似的计算表明Gd2Co2
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从第一性原理出发，在局域自旋密度近似(LSDA)和LSDA+U(在位库仑能)近似下，采用FPLAPW密度泛函能带计算方法研究了Gd2Co2Al的电子结构和磁性. 从平均场近似出发，估算了体系的居里温度，并分析了导致体系居里温度偏低的原因.研究结果显示Gd2Co2Al为金属导体，其强的铁磁性的提供者主要是Gd，且Co的局域铁磁性是不稳定的. 基于LSDA近似的计算表明Gd2Co2
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用溶胶-凝胶法制备了低k多孔SiO2:F薄膜，用空间电荷限制电流法(SCLC)研究了多孔SiO2:F薄膜中的隙态密度以及掺F量对隙态密度的影响，得到了平衡费米能级附近的隙态密度约为7×1015cm-3·eV-1，以及带隙中隙态随能量的分布. 并对造成隙态的主要原因也进行了讨论.

在二维复式正方Heisenberg铁磁系统的基础上建立了磁振子-声子相互作用模型. 利用松原格林函数理论研究了系统的磁激发，计算了布里渊区的主要对称点线上的磁振子色散曲线，比较了光频支声子与声频支声子对系统磁激发的影响以及各项参数的变化对磁振子软化的影响. 发现光频支声子-磁振子耦合对磁振子软化起主要作用，尤其是纵向光频支声子对磁振子软化起更大的作用，并且非磁性离子的光频支声子对磁振子软化的作用比磁性离子的光频支声子对磁振子软化的作用更显著.

从单电子紧束缚模型的哈密顿量出发，格点能量随机取εA和εB，只计及格点之间的近程跳跃积分，建立了一维无序二元固体模型. 利用负本征值理论及无限阶微扰理论，对系统电子的本征值和本征态进行了数值计算. 结果表明与一定能量本征值对应的电子波函数只分布在系统的一定范围内，显示了其局域性. 借助传输矩阵方法，计算出电子的局域长度，讨论了局域长度随本征能量和无序度的变化关系，并研究了计入不同范围跳跃积分下，局域长度的变化特征.

通过改变温度和磁场方向对调制掺杂的n型Hg0.82Cd0.16Mn0.02Te/Hg0.3Cd0.7Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡进行了深入的研究，发现不仅温度的变化能够引起磁阻拍频节点位置的变化. 而且改变磁场方向，可以分别调整塞曼分裂和朗道分裂. 从对拍频的分析中，可以将依赖于磁场垂直方向的朗道能级分裂和依赖于整个磁场大小的塞曼分裂区分开来.

根据电子自旋轨道耦合对自旋极化弛豫影响的DP机理进一步导出了半导体中电子自旋弛豫与动量弛豫及载流子浓度的关系，并采用飞秒抽运探测技术在室温下测量AlGaAs/GaAs 多量子阱中载流子浓度在 1×1017—1×1018cm-3范围内，电子自旋弛豫时间由58ps增加至82 ps的变化情况，与理论计算值符合，说明了随着载流子浓度的增加，载流子间的频繁散射加速了电子动量驰豫，减弱了电子自旋轨道耦合作用，从而延长了电子自旋寿命.

采用模匹配方法，研究了非均匀磁场下开放的四端量子波导中的电子输运性质. 结果表明，从一端入射的电子可以透射到两个与之垂直的输出端和一个与之平行的输出端. 在没有外加磁场的情况下，两个垂直输出端的输运概率是相同的，但垂直端与水平端的输运概率不同；在外加磁场下，由于磁边缘态效应，两个垂直输出端的输运概率也有着相当大的差别. 通过施加不同的磁场，我们能获得丰富的电子输运结构，如台阶，宽谷，尖峰等；通过调节磁场的大小和比例以及结构参数可控制该量子结构在各输出端的输运概率.

在含时密度泛函理论框架下，采用经典和量子相结合的模型，模拟了氢分子在超强飞秒激光脉冲作用下的高次谐波行为. 结果表明氢分子的高次谐波谱具有“下降—平台—截止”的结构和偶次谐波被禁闭仅出现奇次谐波的选择性特征；不同的激光偏振方向会导致高次谐波的截止频率和谱线强度的变化.

利用卢瑟福背散射/沟道技术和高分辨率X射线衍射技术对在Si(111)衬底上利用金属有机化合物气相外延技术(MOVPE)生长有多缓冲层的六方GaN外延膜进行结晶品质计算、晶格常数计算和应变分析. 实验结果表明：GaN外延膜的结晶品质为χmin=1.54%，已达到完美晶体的结晶品质(χmin=1%—2%)；GaN外延膜的水平方向和垂直方向晶格常数分别为：aepi＝0.31903nm，cepi=0.51837nm，基本达到G

采用超低压(22 mbar)选择区域生长(Selective Area Growth, SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)技术成功制备了高质量InGaAsP/InGaAsP多量子阱(Multiple Quantum Well, MQW)材料. 在较小的掩蔽宽度变化范围内(15—30μm)，得到了46nm的光荧光(Photoluminescence, PL)波长偏移量，PL半高宽(Full-Width-at-Half-

基于局域密度泛函理论，采用第一性原理方法，建立了对(5,5)型和(9,0)型有限长碳纳米管接枝羧基官能团的原子模型，通过计算其电子分布和态密度的变化，讨论羧基官能团对碳纳米管电子结构和电子输运特性的影响. 计算表明，接枝羧基的碳纳米管,其电子结构明显改变，其费米能级上的电子态密度下降；最高占据轨道上的非定域程度减弱,致使电子输运性能呈下降趋势.

本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响，然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试，提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中，采用不同的扫描速率，分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测

在第一性原理的基础上，对共扼分子2-氨基-5-硝基-1，4-二乙炔基-4’，-苯硫醇基苯(2-amino-5-nitro-1,4-diethyny-4’-benzenethiol-benzene)与金表面形成的分子结的电学特性进行了理论研究.利用密度泛函理论计算了该分子及扩展分子的电子结构；讨论了分子与金表面的相互作用，定量地确定了耦合常数，求出了电子的迁移强度；利用弹性散射格林函数法研究了该分子结的伏—安特性.计算结果表明，当外加偏压小于0.9V时分子结存在电流禁区，随着偏压升高，分子结的电导出现平台特

用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Qbd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, Vbd). 研究结果表明，低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小，而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大，击穿电压测试值也发现与击穿电量

激光功率密度达到太瓦级时，光学激光薄膜破坏中雪崩机制占主导地位. 研究雪崩破坏机理，必然涉及到电子吸收激光能量的速率和电子损耗能量的速率，这些都与电子和声子的散射有密切的联系. 所以，电子受到的散射速率是研究雪崩机制的前提和基础. 本文分析了截断散射声子波矢对散射速率的影响，得到散射速率与电子能量的依赖关系，与其他理论及实验结果一致. 同时还对耦合参数进行了修正，得到了依赖声子波矢的耦合参数，修正结果表明在不改变散射速率与高能电子能量依赖关系的基础上，散射速率整体降低了.

利用电感耦合等离子体(ICP)装置对分子束外延(MBE)法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜的Mg组分进行了测试. 经理论分析，得到使用1次和2次检量式所确定的Zn1-xMgxO薄膜中的Mg组分的差异. 将采用1次检量式的ICP测定与EPMA测定结果进行对照，表明当Mg组分x≤0.5时二者的测试结果相当一致，由此证明ICP测试结果的正确性.

采用自助熔剂缓冷法成功地生长出了Nd1.85Ce0. 15CuO4-δ单晶，其零场下零电阻温度约为21K. 在0—0.5T范围内分别测量了磁场平行和垂直样品表面的电阻转变曲线以及0.5T不同角度下的电阻转变曲线. 结果显示磁场平行和垂直样品表面时的转变温度Tp随磁场的变化均服从H=H0(1-Tp(h)/Tp(0))2关系. 0.5T

在单晶Ni54Fe19Ga27中掺入少量Mn，对增强磁交换相互作用，提高居里温度和稳定了B2相并增强晶格的刚度，起到了非常明显的作用.Mn的存在使样品中取向内应力得以保持，提高了变体择优取向的水平，大大提高了单晶的相变应变和磁场增强作用.发现内应力对超弹性性质的影响也很明显.

Heisenberg 开链对研究量子态在自旋链上的传递有重要的意义.本文研究了五量子位Heisenberg XX 开链中边界量子位之间的纠缠，在该系统中引入了磁杂质和系统杂质且它们之间满足线性关系时，该系统可以精确求解，此时边界量子位之间存在纠缠.选择合适的杂质参数和磁场参数，该边界纠缠的最大值可达到0.5.

采用自由能极小的方法研究了铁磁/反铁磁双层膜系统在外应力场下的交换各向异性.本模型中铁磁层具有单轴磁晶各向异性和立方磁晶各向异性，而反铁磁层仅具有单轴磁晶各向异性，但其厚度趋于半无穷.理论上解析地给出了系统的等效交换偏置和钉扎角(它显示了反铁磁层对铁磁层磁化的钉扎作用)与外应力场之间的关系.数值计算表明：系统的等效交换偏置与外磁场的方向有关，而与其大小无关；然而外应力场的大小和方向均对系统的等效交换偏置有影响，其根源在于外应力场的大小和方向都影响着钉扎角.

本文研究了压力对CrO2样品低温磁输运性质的影响.样品的X射线衍射结果表明(110)峰的相对强度随压力的增加而增大，说明压力对CrO2针状纳米颗粒有取向的作用.低温时CrO2样品的电阻和磁阻均随压力的增加而减少.实验结果表明，低温下样品的电导呈现出典型的晶粒间隧穿特征，其Δ值随着压力和磁场的增加而减小，并且Δ随磁场的变化幅度与成型压力有关，成型压力越高，Δ随磁场的变化越小.这些变化可以归因为压力对晶粒间隧穿势垒的调制.

用微磁学方法对磁性纳米颗粒膜的磁特性进行了模拟，采用的模型是由122个磁性纳米颗粒组成的面心立方(fcc)结构体系.结果表明：在该体系中，偶极相互作用对体系的静态磁结构的影响显著，而交换相互作用的影响表现不明显.在此基础上，本文还采用有效媒质理论计算分析了磁性合金颗粒不同体积比时颗粒膜的磁谱和表征电磁参量发生显著变化的逾渗现象和逾渗阈值.并完成了对高磁损耗磁性纳米颗粒膜的材料设计.

采用熔体快淬的方法制备Pr2Fe14B/α-Fe纳米晶复合永磁材料.使用振动样品磁强计(VSM)测量样品的室温磁性能.实验合金成分为(PrxFe94.3-xB5.7)0.99Zr1(其中x＝8.2，8.6，9.0，9.4，9.8，10.2，10.6，11.0，11.4(原子分数，%)).系统地研究了辊速及合金成分对快淬带磁性能的影响，当Pr原子分数由8.

根据Liouville-von Neumann方程，对射频场照射下多自旋体系的弛豫进行了理论描述，并用WBR理论推导出了体系的弛豫方程组，给出了各类弛豫速率的理论计算公式.在此基础上，编制了弛豫方程组数值解的计算程序，分别用此程序和Bloch方程计算了双自旋体系在不同情况下的稳态解，并对计算结果进行了简要的分析和讨论.

从原理上分析了减小梯度线圈的半径可以减小其在带抗涡流板磁体中引起的涡流.然后采用目标场方法设计了一组半径缩减的梯度线圈，并用Biot-Savart定理计算了这个梯度线圈的梯度线性区.最后通过磁共振成像实验证明了原理中分析得出的结论.

选用不同浓度的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3溶胶，用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上沉积一层厚度不同的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (PZT52)过渡层，经400℃烘烤、550℃退火等程序后，再用Sol-gel法在PZT52过渡层上沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O

采用添加造孔剂的方法制备多孔锆钛酸铅(PZT)陶瓷，并研究了孔隙率和晶粒尺寸对多孔PZT陶瓷介电和压电性能的影响及机理.研究表明：孔隙率的增加降低了多孔PZT陶瓷的介电常数，提高了静水压优值，并证明在一定条件下孔隙率与介电常数关系可由Okazaki经验公式及Banno模型预测；晶粒尺寸增加，多孔PZT陶瓷的介电常数、压电系数和优值增加，并可用Okazaki空间电荷理论解释晶粒尺寸对试样介电和压电性能的影响.对于添加重量百分数为10%造孔剂的多孔PZT陶瓷，当烧结温度为1300℃时，孔隙率为34%，d
. 2006 55(6): 3073-3079. 刊出日期: 2006-03-05 ]]>

采用添加造孔剂的方法制备多孔锆钛酸铅(PZT)陶瓷，并研究了孔隙率和晶粒尺寸对多孔PZT陶瓷介电和压电性能的影响及机理.研究表明：孔隙率的增加降低了多孔PZT陶瓷的介电常数，提高了静水压优值，并证明在一定条件下孔隙率与介电常数关系可由Okazaki经验公式及Banno模型预测；晶粒尺寸增加，多孔PZT陶瓷的介电常数、压电系数和优值增加，并可用Okazaki空间电荷理论解释晶粒尺寸对试样介电和压电性能的影响.对于添加重量百分数为10%造孔剂的多孔PZT陶瓷，当烧结温度为1300℃时，孔隙率为34%，d
. 2006 55(6): 3073-3079. Published 2006-03-05 ]]> 2006-03-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 2006 55(6): 3073-3079. article doi:10.7498/aps.55.3073 10.7498/aps.55.3073 55 6 2006-03-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.55.3073 3073-3079 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.55.3080

利用差热分析、X射线衍射和透射电子显微镜等技术对溶胶-凝胶法合成的凝胶的晶化过程进行了分析，实验结果表明，Bi4Ti3O12非晶凝胶晶化过程经历了四个过程：首先在433℃先形成了Bi2O3和TiO2亚稳相，然后在488℃时TiO2亚稳相与Bi2O3反应形成Bi，Ti复合氧化物亚稳相Bi2T

采用溶胶-凝胶法,在氧气氛中和层层晶化的工艺条件下,成功地制备了沉积在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上的铁电性能优良的Sr2Bi4Ti5O18 (SBTi)薄膜,并研究了SBTi薄膜的微结构、表面形貌、铁电性能和疲劳特性.研究表明：薄膜具有单一的层状钙钛矿结构，且为随机取向；薄膜表面光滑，无裂纹，厚度约为725nm；铁电性能测试显示较饱和、方形的电滞回线，当外电场强度为275kV/cm时

研究了顺磁性晶体CeF3内交换作用有效场随温度的变化关系，给出了其形式为Hin=(-0.68-0.002T)×10-6M.结合该关系，用量子理论的计算得到了与实验值吻合较好的磁化率倒数、Verdet常数倒数随温度的变化关系，并且用光磁效应的概念和规律对结果作了进一步分析，指出光诱导促进了该晶体内电子间的交换作用.

给出了任意倾斜偏置磁场作用下相位失配时微波静磁波与导波光的磁光耦合方程，分析了相位失配对导波光衍射效率及其衍射方向的影响.计算了YIG薄膜波导中静磁反向体波与导波光非共线作用的Bragg衍射效率, 传统磁化时计算结果与实验结果一致.计算表明，与传统磁化情形相比，适当的偏斜磁场可使导波光衍射效率提高6dB以上；当导波光入射角保持不变时，由磁场方向改变引起的相位失配对衍射效率的影响不大.因此，优化偏置磁场方向是改善磁光Bragg器件衍射性能、提高磁光带宽的有效方法.

对利用激光精细加工技术在铌酸锂(LiNbO3)晶体中写入光波导时的最佳曝光间距进行了详细地理论分析和实验研究.通过数值求解简化后的光折变动力学方程组，对会聚激光束沿不同方向扫描晶体时的最佳曝光间距进行了详细的数值模拟.结果表明：最佳曝光间距的选取与写入光束的扫描方向无关；当聚焦激光束平行于光轴扫描晶体时，得不到波导结构，但可以采用“三明治”辐照方式得到对称的折射率分布.采用会聚的绿激光束扫描掺铁铌酸锂(LiNbO3：Fe)晶体进行了实验研究，晶体中的光致折射率变

本文研究了x GeO2-(70-x)TeO2-5K2O-5Na2O-10Nb2O5-10ZnO-0.2Er2O3(x=0,10, 25, 50, 70(摩尔百分数))玻璃的物性和光谱特性，讨论GeO2含量对锗碲酸盐玻璃物性和光谱特性的影响.研究发现：GeO2的加入提高了碲酸盐玻璃热稳定性，

近年来，掺Tm3+：ZBLANP玻璃已成为固体材料激光冷却领域中最有希望的新材料之一，但有关掺Tm3+：ZBLANP光纤的激光冷却尚未见到理论研究与实验报道.本文采用一个简单的理论模型，就Tm3+：ZBLANP光纤的激光冷却进行了理论研究与分析，讨论了量子效率、抽运功率、背景吸收、出射荧光波长变化和环境黑体辐射等对激光制冷效果的影响，得到了一些有趣的重要结果，可为掺Tm3+：ZBLANP光纤的激光冷却实验提供可靠的理论

利用化学气相沉积(CVD)的方法通过热氧化高纯锌粉在硅衬底上得到氧化锌微米花. X射线衍射(XRD)结果表明，其具有六角纤锌矿晶体结构.场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)图像表明，合成的样品是由很多长且直的ZnO亚微米棒组成的微米花， 具有六角棱柱端面，棒的长度在30μm到50μm之间.在背向共振拉曼散射光谱测量中，观测到ZnO A1(LO)的五阶声子紫外共振拉曼散射，表明样品具有较高的晶体质量.在变温光致发光谱测量中，观察到明显的中性受主束缚激子(A0X)的

利用电子束蒸发工艺，以Ag层为衬底，沉积了中心波长为632.8nm的氧化锆(ZrO2)薄膜，膜层厚度在80—480nm范围内变化.研究了不同厚度样品的粗糙度变化规律和表面散射特性.结果发现，随着膜层厚度的逐渐增加，其表面均方根(RMS)粗糙度和总积分散射(TIS)均呈现出先减小后增大的趋势.利用非相关表面粗糙度的散射模型对样品的TIS特性进行了理论计算，所得结果与测量结果相一致.

用化学溶液方法在宝石衬底及有LaNiO3缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了92%Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-8%PbTiO3(PMNT)薄膜，X射线衍射测试结果表明：在有LaNiO3缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备的PMNT薄膜几乎是纯钙钛矿相，且薄膜

通过脉冲激光沉积(PLD)法在SiO2基片上制备了不同含量的Mn掺杂ZnO薄膜.X射线衍射、X射线能谱、原子力显微镜与紫外-可见分光光度计测试结果表明：少量的Mn离子的掺杂并没有改变薄膜的结构，薄膜具有(103)面的择优取向；PLD法制备的ZnO薄膜的成分与靶材基本一致，实现了薄膜的同组分沉积；薄膜表面比较平坦，起伏度小于80nm，颗粒尺寸主要集中在25nm附近；但是Mn离子的掺杂改变了ZnO薄膜的禁带宽度，随Mn掺杂含量的增加，ZnO薄膜的禁带宽度增加；当薄膜中Mn含量从6%增加到

基于自由体积理论，利用正电子湮灭寿命谱仪(PALS)分别研究在不同升温速率条件下，聚苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物(SMMA)和聚苯乙烯-马来酸酐共聚物(SMA)混合物(30/70)的自由体积参数的温度依赖性，探索相容共混物相行为的热动态特性.在PALS实验中，在玻璃化转变温度Tg以上，当结构松弛的弛豫时间与等温停留时间相当，发现在某一段温度范围内，共混物的自由体积参数随着温度的变化明显地偏离线性关系.从自由体积孔的浓度I3值在该段的变化趋势，初步推断共混物在该温

采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长出Yb:KY(WO4)2(Yb:KYW)激光晶体.对预烧后的原料及晶体进行了XRD分析，结果表明，分别在920℃和600℃预烧8h后的熔质和助熔剂基本上形成一相，抑止了实验中的挥发问题；所生长的晶体为β-Yb:KYW，计算其晶格常数为a=1.063nm，b=1.034nm，c=0.755nm，β=130.75°.测得不同厚度样品的吸收光谱，结果表明样品在933nm和981nm有较强的吸收峰，计算出主峰981nm的吸收截面σ
. 2006 55(6): 3141-3146. 刊出日期: 2006-03-05 ]]>

采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长出Yb:KY(WO4)2(Yb:KYW)激光晶体.对预烧后的原料及晶体进行了XRD分析，结果表明，分别在920℃和600℃预烧8h后的熔质和助熔剂基本上形成一相，抑止了实验中的挥发问题；所生长的晶体为β-Yb:KYW，计算其晶格常数为a=1.063nm，b=1.034nm，c=0.755nm，β=130.75°.测得不同厚度样品的吸收光谱，结果表明样品在933nm和981nm有较强的吸收峰，计算出主峰981nm的吸收截面σ
. 2006 55(6): 3141-3146. Published 2006-03-05 ]]> 2006-03-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 2006 55(6): 3141-3146. article doi:10.7498/aps.55.3141 10.7498/aps.55.3141 55 6 2006-03-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.55.3141 3141-3146 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.55.3147

介绍了几种计算纳米金属颗粒镶嵌于陶瓷基体中而形成的复合纳米金属陶瓷薄膜渗透阈的理论方法，分析了理论方法中所运用模型的特点及其精度.并将Landauer有效介质理论和Priou渗透阈理论应用于Ag-MgF2复合纳米金属陶瓷薄膜的渗透阈计算，所得值分别为0.08和0.14(Ag的体积分数)，按Priou渗透阈理论计算的结果与实验结果相符.最后讨论了影响复合金属陶瓷薄膜体系渗透阈的主要因素.

采用Sol-Gel工艺低温制备了Si基Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜.研究了退火温度对薄膜微观结构、介电特性与铁电性能的影响.500℃退火处理的Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜未能充分晶化，晶粒细小且有非晶团聚，介电与铁电性能均较差.高于550℃退火处理的Bi3.25La0.75

应用密度泛函理论，本文系统地研究了O在Au(111)表面上的吸附能、吸附结构、功函数、电子密度和投影态密度，给出了覆盖度从0.11ML到1.0ML的范围内，O的吸附特性随覆盖度变化的规律.研究发现O的稳定吸附位为3重面心立方(fcc)洞位，O在fcc洞位的吸附能对覆盖度比较敏感，其值随着覆盖度的增加而减小；O诱导Au(111)表面功函数的变化量与覆盖度成近线性关系，原因是Au表面电子向O偏移，形成表面偶极子；O—Au的相互作用形成成键态和反键态，且反键态都被占据，造成O—Au键很弱，O吸附能较小.

介绍了利用双光路差分吸收光谱(DOAS)技术监测大气气溶胶并反演其粒谱分布的新方法.该方法解决了DOAS技术中光源绝对光强难以测量的难题，去除了由于光源自身波动造成的影响，在250—650nm范围内成功的反演出气溶胶的消光系数以及0.1—1.75μm谱段的粒谱分布.通过与光学粒子计数器的对比实验证实该方法的可行性.

在单电子紧束缚近似下，建立了一维无序二元DNA分子链模型，计算了链长为2×104个碱基对的DNA分子链的电子态密度、局域化特性，并探讨了碱基对的不同组分、格点能量无序度对电子局域态的影响.结果表明：由于DNA分子链中格点能量无序及碱基对的不同组分的存在，其电子波函数呈现出局域化的特性，而局域长度作为衡量电子局域化程度的一个尺度，受碱基对的组分及格点能量无序度的影响.

本文研究了准周期外力驱动下Lorenz系统的动力学行为，发现当外强迫的振幅达到某一个临界值时，系统的动力学行为将会发生根本性的变化，由此揭示了产生非混沌奇怪吸引子(Strange Nonchaotic Attractor, SNA)的一个新机制：准周期外强迫振幅的加大导致系统由奇怪的混沌吸引子转变为SNA，系统的相空间最终被压缩至一个准周期环上.并且本文的结果表明，外强迫的临界振幅与Lorenz系统Rayleigh数的大小成正比，而其受外强迫频率变化的影响并不大.

基于非线性时间序列分析方法——动力学相关因子指数，提出一种新的动力结构突变的检测方法——动力学指数分割算法.通过理想时间序列试验，验证了该方法检测动力结构突变的有效性，同时发现相对少量的尖峰噪声对该方法的影响较小，但连续分布的随机白噪声对其具有一定的影响，并与传统的滑动T检验法和Yamamoto法进行比较，进而讨论它们各自的优缺点.

介绍一种基于高斯光束传输特性对Mie散射激光雷达回波信号校正的新方法.首先根据发射激光束的高斯光束特性，对大气激光雷达回波信号作高斯修正，然后在大气近似均匀假定下，对近场区经高斯修正的回波信号距离校正函数进行二次曲线拟合，实现对交叠面积影响的修正，实际计算表明，用此方法对Mie散射激光雷达回波近场信号进行处理，可获得与实际更为接近的反演结果.

采用提拉法生长了Cr单掺和Cr，Mg共掺Al2O3晶体，后者具有900—1600nm的宽带吸收.研究了该吸收带在不同气氛、不同温度退火下的变化规律.通过建立合理的晶格缺陷模型，成功地解释了所有的实验结果，并确定Cr，Mg共掺Al2O3晶体红外波段宽吸收带属于八面体格位中的Cr4+离子.

讨论了电荷屏蔽效应对WS15M⊙前身星模型瞬时爆发能量的影响,对电子俘获率的计算基于平均重核模型,数值模拟表明电荷屏蔽降低了电子俘获率,延长了爆发时间,使中微子泄漏的总能量增加,从而导致激波的能量略微降低.给出的方法可以适用于其他考虑电荷屏蔽效应的超新星数值模拟.