给出相对论性Birkhoff系统的Pfaff-Birkhoff原理和Birkhoff方程.由微分方程在无限小变换下的不变性，定义相对论性Birkhoff系统无限小变换生成元，建立Lie对称的确定方程，得到结构方程和守恒量.并研究该系统的Lie对称性逆问题.给出实例以说明结果的应用.

将经典质量的变化和质量随速度变化这一相对论效应同时考虑，建立定轴转动变质量系统的相对论性基本动力学方程，达朗贝尔(d'Alembert)原理及Lagrange方程.

利用Regge和Wheeler提出的方法，导出了广义Schwarzschild几何的轴扰动方程.对给定角动量L和λ参数，通过数值计算，得到了拟正则模的值.数值结果与不稳定性的解析证明相一致.

讨论了轴对称荷电动态黑洞的Hawking辐射，得到了局部事件视界面方程和温度.结果显示黑洞的形状和温度不仅随时间变化而且随角度变化.

提出了基于采样数据反馈控制技术对陈氏混沌系统进行控制的理论.以给定的采样速率对陈氏混沌系统的输出进行采样.利用采样数据去构造离散时间控制算法，以达到将陈氏混沌系统控制到原点的目的.给出了被控制系统渐近稳定的理论证明，并给出了数值试验的结果.

合肥国家同步辐射光源软X射线直线单色仪配备三种不同参数的波带片和针孔光阑，通过调节波带片和针孔光阑间的距离可输出1.97—5.44nm波段的软X射线.利用高分辨正性光刻胶，记录了CZP32和30μm针孔光阑组合下的准确聚焦和大离焦量时的软X射线衍射图，即直线单色仪输出的光场分布.获得了有关爱里斑及空间相干半径等实验数据，所得结果与理论计算相一致.

编制了一套用蒙特卡罗方法计算钕玻璃片状放大器内自发辐射放大(ASE)的模拟计算程序，考虑了光线在两大表面不同入射角对反射率的影响.计算了包边吸收的ASE能量沿周边的分布，以便于对放大器热畸变特性的研究；以及片的横向尺寸对储能密度的影响.

采用Li原子价电子的有效势对前置形式程函近似振幅公式进行了修正，提出有效势修正程函近似方法，并对H＋和He2+与Li原子碰撞中的电子俘获总截面进行了计算，取得了与实验比较吻合的结果.

用MeV量级4HeH+在超薄无衬碳膜中的库仑爆炸，获得高频离子源产生4HeH+核间距的实测值为0.094±0.003nm.发现4HeH+与H+2,H+3不一样，其核间距大小和离子源种类及离子源参数有密切关系，并从4HeH+的形成机理与形成条件，解

采用二维归一化带限Brown分形函数来模拟二维分形粗糙面，主要利用基尔霍夫近似给出了该导体粗糙面的电磁散射场.导出了平均散射场、平均散射系数和散射强度方差的计算公式.讨论了散射场分布与分维的关系，获得了散射场波峰拟合线的斜率与分维D满足线性关系这一重要结论.

在Bergman表示的基础上，建立了电介质电流变液中电场和小球表面极化电荷的表达式，并以电流变液的基态结构——BCT结构为例进行了数值计算.定量讨论了多极矩的贡献与小球间距的关系，并给出了偶极近似成立的条件.

对双光子和多光子共焦扫描显微镜的成像理论作了系统的理论分析，导出了双光子和多光子共焦显微镜成像系统的三维点扩散函数和三维光学传递函数，研究结果表明：双光子共焦显微镜比单光子共焦显微镜具有更高的横向分辨率和纵向分辨率，而多光子共焦扫描显微镜又比双光子共焦扫描显微镜具有更高的空间分辨率.

讨论了V模型中相干场位相对原子自发辐射荧光的影响.发现荧光谱不仅与相干场的位相有关而且与原子的起始状态密切相关，并用缀饰原子的方法给出解释.

通过Z-扫描的实验方法测量了几种新型的Ru配合物在460nm处的三阶非线性折射率n2和非线性吸收系数β，并由此计算出它们的三阶非线性系数χ(3).分析了分子结构对其三阶非线性光学性质的影响.

报道了偶氮苯聚合物薄膜中的斑图形成，横向效应及准晶结构.用简并四波混频实验手段，通过扫描电子显微镜和偏光显微镜观察发现有机薄膜中有许多小岛形成的斑图并形成准晶结构.实验证明通过写入光偏振态的适当组合可以控制有机薄膜中斑图结构.为有机薄膜的纳米结构技术开创了一条新路.

研究尘埃粒子在直流辉光放电阴极鞘层中的运动特性，并讨论了尘埃粒子携带的电荷、受到的各种力及悬浮位置等.尘埃粒子在鞘层中的运动特性及悬浮位置主要由它的尺寸大小和它所受到的各种力(重力、电场力、离子拖拽力、中性粒子拖拽力)决定.比较无碰撞鞘层和碰撞鞘层发现，尘埃粒子在碰撞鞘层中的悬浮位置更加靠近极板；比较下鞘(阴极板放在下方时的鞘层)和上鞘(阴极板放在上方时的鞘层)发现，在下鞘中只有同一半径的尘埃粒子悬浮在鞘层中的同一位置，而在上鞘中两种不同半径的尘埃粒子可以悬浮在鞘层中的同一位置.悬浮在鞘层中的尘埃粒子只可

从实验上研究了X射线在管靶中辐射输运情况.给出两种分解靶：源靶、输运靶.源靶可得到X射线输运的输入条件，输运靶是近似一维X射线输运管道，对其测量可得到输运的结果；给出两种分解靶由软X射线谱仪、平响应XRD和透射光栅谱仪(配X射线CCD)测量的结果，并对实验结果进行分析；最后对输运管道内的等离子体膨胀问题进行了讨论.

利用以石墨为电极的直流电弧放电法，在氢气氛围下制备出了纳米碳管.实验结果表明，在阴极上形成的碳素堆积物中，其前端表面及其内部都生成了纳米碳管.经扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察分析发现，所生成的纳米碳管其形态构造在氢气的压强和直流电弧电流发生变化时，没有显著差异.在氢气压强为11999Pa，直流电弧电流为60A时，得到了大量的、管径较均匀、直而长的纳米碳管.

Fe在Ru(1010)表面上的沉积，经过LEED和ARUPS的测量研究.结果表明，经过退火Fe在Ru(1010)表面根据覆盖度大小分别形成(1×1)和P(2×1)结构.当覆盖度大于10个单层时，表面结构不再保持与衬底相关的晶格常数与对称性，形成fcc铁的(111)外延结构.铁覆盖度较小时，费米能级附近的价电子能级与清洁时相似，外延fcc铁表面则形成了与表面有关的价电子能级.

研究了光聚合物材料聚甲基丙烯酸肉桂酰氧基乙酯(CEMC)对液晶材料LC-6710A的取向作用，取向层表面在光化学反应前后的变化；测量了光控取向膜液晶盒中液晶分子的预倾角及单面光控取向扭曲向列液晶显示器(TNLCD)的电光特性和时间响应特性，研究了这种材料的光化学反应过程，以及液晶分子排列取向的机理.

用固相反应法在900—1000K温度范围和x＝0—10的组成范围内合成了单相Co基Skutterudite化合物FexCo4-xSb12，并对化合物的结构和热电特性影响进行了研究.结果表明：化合物的晶格常数随Fe置换量的增加线性增加，载流子浓度和电导率随Fe置换量的增加而增加，Seebeck系数随Fe置换量的增加而减少，Seebeck系数的峰值温度随Fe置换量的增加向高温方向移动，晶格热导率由于Fe的置换而大幅度下降，并随Fe的置换量的增

在分子动力学研究的基础上建立了载能原子的沉积动力学物理模型，并根据在局域环境下的表面原子扩散模型，通过运动学Monte Carlo方法研究了载能粒子沉积Au/Au(100)薄膜的初期生长过程，探讨了载能粒子沉积对薄膜生长的影响及其随基体温度的变化.通过计算机模拟发现：载能粒子沉积的Au/Au(100)薄膜生长仍然呈现层状生长-三维岛状生长-准二维层状.在薄膜生长初期，载能粒子的作用是促进表面原子的成核，增加基体表面的缺陷；在薄膜的生长阶段，载能粒子通过抑制三维岛的生长速率起着平滑薄膜表面形貌的作用.载能粒

采用分子束外延方法在GaAs(001)衬底上生长出了03微米厚的GaN薄膜，X射线双晶衍射和室温光荧光测试结果表明，采用GaAs氮化表面作为成核层可获得高纯度立方GaN薄膜而采用AlAs氮化表面作为成核层可获得高纯度六方GaN薄膜.这一研究结果表明在GaAs衬底上生长GaN薄膜的相结构可以通过选择不同的成核层来控制.

分别对于不同覆盖层厚度的单量子阱结构的样品以及同一覆盖层厚度不同偏压下的量子阱样品进行导纳谱测试，由于覆盖层厚度的不同以及外加偏压的不同引起样品结构的电势分布发生变化，从而用导纳谱测量得到的量子阱的激活能也发生很大变化，通过变偏压的导纳谱测试，可对测试结果做出正确的判断.

在广义梯度近似(GGA)下利用全电势线性化的缀加平面波法(FLAPW)的总能量计算，确定了K(Ta0.56Nb0.44)O3固溶体的四方精细结构，即B位离子(Ta和Nb)在铁电相的平衡构型.结果表明，Ta相对于氧八面体沿[001]方向有约为0005nm的偏心位移，而Nb的偏心位移约为0016nm，铁电非稳的发生主要应归因于后者.

测量了C60单晶(111)解理面法向发射的角分辨光电子谱.利用同步辐射光源研究了对应于分子轨道HOMO及HOMO-1的能带的色散关系.实验观察到HOMO和HOMO-1能带在Γ—L方向存在明显的色散，最大色散分别为027eV和042eV.色散曲线与理论电子结构基本符合.

根据C-BN的能带结构和极性半导体的具体特征，确立了C-BN的主要散射机构，建立了适于Monte Carlo模拟的物理模型，采用单电子Monte Carlo法对C-BN体材的稳态电子输运特性进行了模拟.得出了电子的平均漂移速度、迁移率和电子能量随电场的变化规律，及电子的能量、动量弛豫时间随电场的变化规律.

利用分区求解单粒子薛定谔方程的方法，研究了电子自旋对磁量子反点中电子能级和磁电导的影响.结果表明，电子自旋与非均匀磁场的相互作用使电子能级发生劈裂，其特征与均匀磁场中电子自旋引起的劈裂显著不同，磁量子反点中能级的劈裂与角动量量子数密切相关.电子共振隧穿到磁边缘态，导致了磁电导随磁场的非周期性振荡.考虑电子自旋与不考虑电子自旋相比，磁电导谱中谷的数目增多且深度减小.

制备了Au-SiO2-Si结构MIS隧道发光结.测试并分析了该结的发光特性及电流-电压(I-V)特性.指出结的发光是由各膜层界面激发的表面等离极化激元(Surface Plasmon Polariton.SPP)与膜层表面粗糙度相互耦合的结果.观察到MIS结I-V特性中存在的负阻现象，采用SPP对电子的束缚模型对这一现象进行了初步分析.利用原子力显微镜(AFM)对结的表面形貌进行了观测，由此讨论了MIS隧道结的发光与电子在结内的隧穿输运特性之间的内在关系.

在恒压应力条件下测试了薄栅氧化层的击穿特性，研究了TDDB的击穿机理，讨论了栅氧化层面积对击穿特性的影响.对击穿电荷QBD进行了实验测试和分析，结果表明：击穿电荷QBD不是常数，它依赖栅氧化层面积和栅电压.对相关系数进行了拟合，给出了QBD的解析表达式.

采用动力学Monte Carlo 方法研究了二层Ising模型的临界性质及早期动力学标度行为.结果表明层间耦合不为零时也存在临界点；计算了早期动力学临界指数θ;估计了传统的临界指数1/νz.其结果支持临界线存在的猜想，并表明此模型很可能是一种弱普适模型.

讨论了高斯型载流子分布的静态屏蔽效应及其对空穴—空穴散射率的影响，说明随着空穴初始动能的减小，载流子分布的静态屏蔽效应和散射前后空穴波函数的重叠积分导致散射率迅速减小.重叠积分对空穴—空穴散射率带来的修正因子的下限约为03，上限为1，均大于先前报道的修正因子01.理论计算与实验测量结果符合.

通过对在上转换的过程中起关键作用的是发动上转换的关键亚稳态的动力学因素的分析，建立了在连续激光激发下的定性分析上转换的“布居分支比β”物理模型：即上转换可以由关键亚稳态上的布居再次被激发至更高激发态的分支比β来描述；其特别的物理意义在于这种方法易于从总体上对上转换的性能有全面的定性的掌握.还进一步论证了对于Er3+离子步进吸收上转换，石英、五磷酸盐等截止声子能量大于1000cm-1的材料的上转换发光约为氟化物的万分之一的原因是它们的多声子无辐射弛豫速率W
. 2000 49(6): 1176-1179. 刊出日期: 2000-03-05 ]]>

通过对在上转换的过程中起关键作用的是发动上转换的关键亚稳态的动力学因素的分析，建立了在连续激光激发下的定性分析上转换的“布居分支比β”物理模型：即上转换可以由关键亚稳态上的布居再次被激发至更高激发态的分支比β来描述；其特别的物理意义在于这种方法易于从总体上对上转换的性能有全面的定性的掌握.还进一步论证了对于Er3+离子步进吸收上转换，石英、五磷酸盐等截止声子能量大于1000cm-1的材料的上转换发光约为氟化物的万分之一的原因是它们的多声子无辐射弛豫速率W
. 2000 49(6): 1176-1179. Published 2000-03-05 ]]> 2000-03-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 2000 49(6): 1176-1179. article doi:10.7498/aps.49.1176 10.7498/aps.49.1176 49 6 2000-03-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.49.1176 1176-1179 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.49.1180

对用水热腐蚀技术制备的、具有蓝光发射的多孔硅样品在快速热氧化(RTO)处理前后其光致发光谱、硅纳米颗粒的大小及尺寸分布变化进行了研究.实验发现，新鲜多孔硅样品经过RTO处理后，其光致发光谱整体蓝移并由单发光峰分裂为两个发光峰；与此对应，样品中的硅纳米颗粒在整体减小的同时出现尺寸分离现象.这一结果表明，多孔硅中的短波长发射也具有强烈的尺寸相关性.

在简介斐波那契类(Fibonacci-class)准晶(FC(n))的特征基础上，在小信号、平面波近似下详细地研究了通过N层按斐波那契类准周期系列排布的铁电畴超晶格的二次谐波光场的谱性质.发现其谱的极强峰在实空间，在不考虑介质色散效应的情况下，具有完美的自相似性；对于具有线性色散效应的铁电晶体，其谱在实空间也具有相同的结论；而对于具有非线性色散效应的铁电介质，极强峰的这种自相似性将被破坏.另外，二次谐波光的暗线处将存在缺级效应；亮线处则无缺级效应.

研究了复合型导电硅橡胶的电阻温度特性，分析了升温过程中导电硅橡胶电阻特性的详细变化过程.研究了导电粒子含量对导电硅橡胶电阻温度特性的影响，测量了在不同热处理温度下电阻率的变化及加力时电阻的弛豫时间.分析了热处理对电阻特性影响的机理.

通过对衬底施加负偏压吸引等离子体中的阳离子对衬底轰击，从而用射频磁控溅射法在水冷透明绦纶聚脂胶片上制备出相对透过率为80%左右、最小电阻率为63×10-4Ωcm、附着良好的ITO(Indium Tin Oxide)透明导电膜.SnO2最佳掺杂浓度为7.5%—10%(w.t.),最佳氩分压为0.5—1Pa.当衬底负偏压为20—40V时，晶粒平均尺寸最大，制备出的薄膜的电阻率有最小值.薄膜为多晶纤锌矿结构，垂直于衬底的c轴具有［222］方向的择优取向，随衬底负偏压

对飞秒脉冲放大中通过整形种子脉冲光谱补偿增益窄化效应的过程进行了数值模拟；对比研究了普通种子脉冲放大过程和整形种子脉冲放大过程中的光谱增益特性；定义了带宽窄化率；讨论了初始啁啾量对注入种子脉冲及增益窄化效应的影响.计算结果表明：借助整形种子光谱可理想地补偿啁啾脉冲放大中的光谱窄化效应.