采用5维空间4+1分解的方法建立了标量场、电磁场和引力场的复合场方程,并给出了一个复合场方程的静态球对称解 当标量场及其与电磁场的耦合不存在时(β=0),此解退化为ReissnerNordtstrom度规.还给出了标量场和电磁场产生的复合场源流密度矢量的表示式

给出了superGel’fandDickey算子的KuperschimdtWilson辅助动力学变量的行列式表示形式.利用算子分解导出了superGeneralizedKdV方程2n—1个BacklundDarboux变换及对应的对称的精确形式.

推导出三维各向同性谐振子径向矩阵元〈nl|rp|n′l′〉所满足的递推关系

讨论了具有热槽相互作用二态量子系统在外加驱动场作用下的退相干性问题,推导了二态量子系统密度算子非对角矩阵元的时间演化关系.确定了外加驱动场与退相干性之间的关系,并建立了退相干性消除时外加场必须满足的约束方程.

运用双波量子理论,给出了二维氢原子的双波函数描述,并讨论了其经典极限.结果表明,双波函数描述单个粒子的运动状态,并将通常的量子力学描述结果作为系综统计平均值包含在其中.

利用将代数约束展开的方法,计算了真空哈密顿约束(H0约束)对微分同胚不变的扩展knot态(φG)2,(φG)3,φGJ2的作用.结果表明,它们在H0约束下均具有非齐次性质.给出了态(φG)2非齐次性的消除方法

采用六方格子上的动力学流行病模型描述流体凝固过程,根据流体中所含杂质粒子与固态粒子间的短程推斥作用,导出了被陷杂质粒子与固态粒子的密度比方程.并得到方程所含的两个变量χ与r之间有如下关系:当r为有限值时,分形生长局限于该区域 r无解时,集团可无限生长,在平面上形成较密集集团,维数Db→2 仅当r的解为∞时,分形生长可无限进行,该点χ即为阈值χc.由此,得到六方格子上阈值χc≈0655,与计算机模拟结果相符合,大于四方格子的结果χc(s)(∞)=0560±0005.

用13速六方格子BhatnagarGrossKrook(缩写为BGK)模型模拟二维空腔黏性流.给出了上边界流体作匀速运动时,具有不同雷诺数的空腔黏性流的流场速度分布情况,模拟了在雷诺数Re=3000时,流场中的涡旋形成过程及流场稳定后,腔内密度、压力和温度的分布情况

最大李雅普诺夫指数是诊断和描述动态系统混沌的重要参数.在深入研究相空间重构技术和轨道跟踪法的基础上,提出了一种从标量混沌时间序列中估计最大李雅普诺夫指数的新算法.该算法能够克服现有算法的不足,主要有以下三个优点:1)很高的精度 2)几乎不受噪声的影响 3)所需的计算时间和存贮空间小,能进行在线计算

用基于输入输出线性化的自适应模糊方法控制了两类混沌系统.它不仅能使混沌系统实现稳定,而且还能实现对混沌吸引子内部任意周期轨迹和外部周期轨迹的有效跟踪.这一方法的重要特点是:不仅不要求混沌系统的精确模型,而且对不容易建立起数学模型而有实际物理意义的混沌系统也能进行有效控制.

阐述散射光解偏度的测量方法,对于不同偏振态的入射光通过改变探测器前检偏器的检偏特性,测量16组不同态的散射光能量,经过计算可得到该散射介质的解偏振度.实验测量了水体和光学玻璃的透射光、铜、铝、标准反射板的反射光以及有机玻璃不同位置透射光的解偏振度,并进行了比较,建立在实验基础上的理论计算与实验现象相符合

用同位旋相关的晶格气体模型系统地研究了Z=54的同位素和A=129的同质异位素热发射体的粒子发射的特性,阐述了发射体系的同位旋对中子、质子和带电粒子产额,以及轻粒子的同位素比及同位素对的比的影响.同时,还比较了在同位旋相关作用势下和同位旋不相关作用势下碎片产物特性的差异.发现了不同质量区间(轻粒子、中等质量碎片和重余核)的产物的平均中子质子比,在同位旋相关的或不相关的作用下它们有十分不同的温度依赖性.发现核气态(轻粒子)的要大于核液态(重余核)的,也就是说在液气共存时的气态有

采用二阶、三阶MollerPlesset微扰理论方法(MP2,MP3),组态相互作用方法(QCISD)在不同的基组下对弱结合分子体系KrHF进行了abinitio计算,得到了KrHF体系的两个不同的线型平衡几何结构:KrHF和KrFH.对于KrHF分子,在MP2/6311++G水平上得到Kr与HF分子中心的间距为037787nm,离解能为61480eV,谐振频率分别为ν1(σ)=41879638cm-1,ν2(π)=1622953cm-1,ν3(σ)=418689cm-1.并计算得到了这两个分子构型的热力

分析了二能级原子在相位调制加速驻波光场作用下动量扩散模型,这个量子系统在经典极限下表现混沌行为.在相同参量条件下,这个系统具有动力学局域特征,但混沌扩散运动没有完全受到抑制

提出了描写强光场中类氢原子状态的新理论方法.同时给出强光场中类氢原子波函数的近似解析表达式.利用这个表达式通过数值计算得到的类氢原子电离谱与实验谱符合得很好.同时将这个新理论方法用于讨论高阶谐振产生也得到了满意的结果

在波长为423—475nm的激光作用下对呋喃分子的多光子电离离解过程进行了研究.在此实验波段内,呋喃分子主要经历的是(3+1)多光子过程.得到了呋喃分子的共振多光子电离分质量谱以及离子强度与激光强度的关系.对共振多光子电离谱峰进行了里德堡态标识.

利用六氟化硫和氩气混合样品直流脉冲放电产生SF2自由基,观测得到320—365nm波长范围内SF2自由基的(2+1)共振增强多光子电离(REMPI)光谱.经分析,该REMPI谱对应于SF2自由基的4s(B1B1)Rydberg态和态的共振双光子吸收,获得了二个态的全对称伸缩振动模(ω′1)和OPLA模(ω′2)的振动频率值.初步澄清了态的带源及振动属性,并对态附近SF2自由基的解离行为进行了讨论

采用二体碰撞近似(BEA)和托马斯费密近似(TFA),计算了多电荷离子(3Li2+,6C5+,10Ne+,18Ar+,36Kr+,54Xe+)的势函数分布和电子动量分布,以及它与中性原子H和He碰撞的电荷剥离截面.

在前期工作的基础上,研究了共面等能几何条件下,电子入射离化氢原子三重微分截面的结构.讨论了Brauner,Briggs和Klar理论的修正对截面结构的影响.在两个出射电子相对角固定的情形下,验证了一种被称为“triplebinary”碰撞的新的碰撞过程.研究了各峰的位置分布和主要的碰撞机理是怎样随入射能和相对角的增加而改变的

研究了双模相干光场与级联三能级原子的相互作用,结果表明,在简并双光子过程中,使原子发生布居相干俘获的俘获光场为双模SU(1,1)薛定谔猫态,并分析了俘获光场的非经典特性

用数值方法在非线性周期介质中研究参量和频过程.频率处于周期介质布拉格频率附近的入射信号光,将不会像在线性周期介质中那样被完全反射.当信号光和抽运光强度相近时,它们与和频光通过非线性相互作用下,将会形成周期性脉冲流,共振地以高透射率穿过非线性周期介质.在一定条件下,系统会丧失这种周期性而走向混沌.

研究了一对具有偶极偶极相互作用的纠缠态原子与相干态光场的相互作用,考察了原子间偶极偶极相互作用对体系中量子态保真度的影响.

将遗传算法应用于铜蒸气激光(CVLs)计算机动力学模型,以最大输出激光功率为目标函数,优化了CVLs放电电路的LC参量.优化后,储能电容为726nF(实验选8nF,储能电容与峰化电容之比为108(实验选3∶1),两等效电感之比为4∶1(实验选2∶1).优化后激光输出功率增加了15%.

理论上从分析Ca+的能级结构着手,确认其是一种很好的共振亚稳跃迁激光工作物质.实验上以氖为缓冲气体,在内径为12.9mm,电极间距为45cm的石英放电管中,获得了平均功率为406mW,功率密度为6.9mW/cm3的红外共振亚稳跃迁激光输出.测量了一些参量之间的关系,分析了Ca+红外激光的工作特性

讨论了一种基于自发参量下转换双光子场绝对校准光电探测器灵敏度的新方法,着重推导了对自发参量下转换过程中产生的单光子的探测概率和双光子的符合速率,从而阐明了绝对测量光电探测器量子效率的原理.基于这一方法对光子计数型光电倍增管的响应灵敏度进行了测量,并将实验结果与常规方法测得的结果进行了比较.

报道了一种新型优质有机倍频材料———苯基脲并对其进行了初步研究.苯基脲具有很强的二阶非线性光学效应,其粉末二次谐波产生效率为尿素的11倍 截止吸收波长为λcutoff=290nm,有很宽的透光波段 抗光损伤实验表明,苯基脲具有较高的抗光损伤阈值 并且晶体生长习性良好.计算分析了苯基脲的微观二阶非线性光学性质.

用向量场的观点系统地研究吸收型光学双稳态方程的时变分岔问题及其动力学行为,探讨分岔转迁滞后现象中的内在规律性.当入射光场是常量时,用新方法分析了光学双稳态的存在性和临界慢化现象 当入射光场分别随时间线性慢变或周期慢变时,通过量级平衡给出分岔转迁的不同量级关系 当入射光场的振幅或频率随时间线性慢变时,研究了双稳时变系统的分岔和动力学行为,并揭示新的奇怪吸引子的出现.

从理论和实验上研究了基于半导体光放大器的交叉增益型波长转换器的转换特性.实验研究了转换特性与信号调制格式、放大器增益的关系.利用大信号分析模型讨论了消光比、平均功率转换效率和交流转换效率等性能与平均抽运功率、探测功率及放大器增益特性之间的关系.结果表明,交流转换效率能综合消光比和平均功率转换效率两种指标,在转换器性能优化中有重要的作用 交叉增益型波长转换器输入动态范围较小,很难实现对信号调制格式透明 放大器的增益是取得最佳转换性能的关键

在星光激光装置上利用波长为035μm的激光辐照金箔靶,在金箔靶背侧用透射光栅配X射线chargecoupleddevice系统测量了其发射的软X射线能谱,并与用亚千能谱仪测量的结果进行了比较,获得了比较一致的结果.测量结果表明,017μm厚度的金箔靶背侧的X射线能谱偏离平衡辐射谱,具有明显的金等离子体N带和O带辐射结构.

设计了一种利用色散位移光纤中高阶孤子压缩和非平衡色散非线性光纤环镜相结合的光脉冲压缩器,用以获得高质量的无基座光脉冲.利用这种方法,从主动锁模光纤激光器出射的中心波长为1553.7nm,重复频率为10GHz,脉冲宽度为11ps的光脉冲,压缩为2.0ps的无基座超短光脉冲

实现了低抽运三镜腔自锁模掺钛蓝宝石激光器的自锁模运转,对该激光器的自锁模区进行了实验研究,并对象散、稳定性、光束参量和克尔自聚焦强度与腔参量的关系进行了系统的理论计算.该计算为自锁模固体激光器的设计和调整提供了理论依据.

烧蚀瑞利泰勒(RT)不稳定性增长的准确估计是惯性约束聚变(ICF)的重要研究课题.增大低温电子热传导系数以考虑烧蚀面预热效应时,烧蚀面密度分布得到改善,烧蚀RT不稳定性线性增长率的二维计算值明显降低,与美国利弗莫尔实验室的实验值符合较好.考虑烧蚀面预热效应后,Lindl公式γ=kg/(1+kL)-βkVa与二维计算值有较大偏差.在分析研究发生偏差原因的过程中,发现了预热情况的Atwood数变小致稳现象.在合理近似下,得到了烧蚀RT不稳定性线性增长率的预热致稳公式γ=Akg/(1+AkL)-2kVa.此公式

采用交错均匀网格、全隐欧拉后差格式,对二维轴对称等离子体电弧进行随时间演化的数值模拟.得到了平衡时的稳态温度场、电流场和随时间演化的气流速度场.发现其中有周期性传播的磁流体激波,激波速度各点不等,约为700～1000m/s,这与实验观测到的等离子体电弧不稳定性现象是一致的

采用溶胶凝胶方法在碱性条件下制备了SiO2和ZrO2溶胶,应用同步辐射小角X射线散射(SAXS)法研究了溶胶的结构.结果表明,溶胶粒子是多分散的,其生长、聚集受RLCA和Eden模型的共同控制,是一种非线性的动力学过程,所形成的聚集体呈随机、分岔、稠密不同的结构,具有质量分形的特征.同时还发现所研究溶胶的散射曲线均不遵守Porod定理,形成负偏离或正偏离,这说明在溶胶粒子与分散介质间有过渡相存在.对上述偏离进行了定性和定量的分析,提出了正偏离时的定量解析方法,从而得到了胶体系统中有关过渡层(界面层)结构的

计算了梳型聚合物双轴丝状相液晶侧链的扭曲缺陷能,对处于外电场的侧链,将其哈密顿量与一维Ising模型相比较,得到侧链在外电场中的极化率.结果表明,聚合物的电极化率远大于普通液晶.在低温下,两者之间的比值趋于聚合度N.对弛豫时间的计算表明,聚合物液晶的极化达到饱和的时间很长,在低温下是普通液晶的N倍,而介电损耗出现的频率则为普通液晶的1/N倍.

利用X射线衍射分析、电子显微镜和X射线能谱分析技术,研究了不同Ar气氛压强下以电弧法制备的铁磁超细微粒Fe3O4和FeC.发现超细微粒的粒径、微结构和化学组分对气氛压强的依赖性,并对此作初步探索.

利用MonteCarlo(MC)模型研究了薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度之间的关系.模型中考虑了原子沉积、吸附原子扩散和蒸发等过程,与以前模型不同的是我们用Morse势计算粒子之间的相互作用,并详细考虑了临近和次临近原子的影响.结果表明,随基底温度的升高,岛的形貌经历了一个从分形生长到凝聚生长的变化过程.进一步研究表明,岛的形貌与基底的形貌之间的关系随着基底温度的升高有很大的变化,基底温度低时,岛的形状与基底形貌无关,高温时岛具有与基底形貌相似的结构.这些结果与实验结果一致.为了进一步说明

通过理论计算对用于量子阱红外探测器的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构进行模拟设计,将不同生长结构的量子阱材料的光响应谱和光致荧光谱(PL)与计算结果进行比较.说明量子阱生长结构与量子阱能级结构的关系.欲使量子阱红外探测器的响应峰值在8μm附近,则需量子阱结构中阱宽为47nm,垒中Al含量为029.理论计算与测试结果符合得较好.

利用常规电子陶瓷工艺在相界附近合成得到纯钙钛矿相的Pb(Zn1/3Nb2/3)O3PbZrO3PbTiO3(PZNPZT)三元系固溶体,其相界位于Zr/Ti比37/33处.在实验中发现和证实了相界附近PZNPZT三元系固溶体存在铁电弛豫顺电相变.在极化后Zr/Ti比为37/33及39/31PZNPZT样品的介电温度谱观测到菱方四方相相变,认为PZNPZT固溶体相界是向富Zr区弯曲.

计算了Ce∶YIG中Ce3+离子自旋轨道耦合对磁光效应的影响,计算结果表明,Ce3+离子基态的自旋轨道耦合对磁光效应有很大影响,Faraday旋转与λf(基态的自旋轨道耦合系数与其正常值的比值)不是线性关系,在λf约为03时,Faraday旋转有明显的峰值,激发态的自旋轨道耦合对磁光效应影响很小.

利用改进的solgel法,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PbZr0.5Ti0.5O3(PZT50/50)薄膜.采用了一种新的方式,从同一前驱体溶液得到了厚度各异的单一退火层.研究了薄膜的结构和性质随单层退火厚度的改变而发生的变化,发现随着单一退火层厚度的降低,薄膜(111)取向的程度增大,同时薄膜的剩余极化和介电常量也逐渐增高.当单一退火层厚度降低到约为40nm时,可得到高度(111)择优取向的PZT薄膜.从薄膜成核机理的基础上讨论了薄膜结构变化的内在因素,认为随单一退火层厚度的增加薄膜由单一的

对文献[7]所提出的高Mach数格子Boltzmann模型作了改进,克服了原模型模拟结果与理论结果偏差较大、存在色散效应的缺陷,并进一步把Mach数提高到5以上,据我们所知,这是目前同类研究的最好结果