将一阶微分方程组化成一阶Lagrange方程.利用常微分方程在无限小变换下的不变性，建立L ie对称性的确定方程.给出Lie对称性导致守恒量的条件以及守恒量的形式.

利用双参数假设给出了一类非线性耦合方程的若干孤子解公式，使物理上许多著名的方程作为该方程的特殊情形得到相应的孤子解，指正了一些文献的错误.

给出了简谐势阱中具有吸引相互作用原子体系的非线性定态薛定谔方程的基态解，得到了凝 聚原子数随能量本征值变化的双稳态曲线.并由此得到与实验报道相符的吸引型玻色-爱因斯 坦凝聚体所能包含的最大原子数.

给出了Hilbert-Schmidt(H-S)空间中密度矩阵的向量表示，建立了完整的H-S空间中的度规 ，由此将混合纠缠态的判据纳入到直观的几何图像中，讨论了最大混合态附近可分离态的紧 致邻域，得到了关于该邻域体积测度的更强的结果.

对Rssler系统、Chua系统等一类混沌系统讨论了混沌观测器的设计问题，对该类系统利用一个非线性标量信号实施反馈就可以使得观测器的状态变量与被观测系统的状态变量达到同步.

提出了一种非线性反馈跟踪控制方法，使受控混沌系统既能稳定到相空间的某一个点，也能跟踪某一确定的运动规律.理论分析和实验均表明该控制方法具有极强的鲁棒性.

提出介于Nagel-Schreckenberg(NS)模型和Fukui-Ishibashi(FI)模型之间的一种新的一维交通流元胞自动机模型. 此模型采用NS模型中的车辆逐步加速方式,和FI模型中的仅最大速车可随机减速的车辆延迟方式.证明新模型的基本图,即车流渐近稳态的平均速度与道路上的车辆密度之间的函数关系与FI模型的完全相同.这也就是说,只允许最高速车辆可发生延迟的FI交通流模型,如果将其突然无限制加速方式(车辆可在一个时步内从零速加速到最高速限M或车头距离所允许的最大速度),改变为车辆的逐步有限加速

给出了X射线在毛细导管中传输特性的简明而系统的理论描述.在这个理论描述的基础上，建 立了X射线在毛细导管中传输的计算模型，编制了X射线在毛细导管中传输的计算程序.利用 编制的X射线在毛细导管中传输计算程序得到的数值结果和实验结果符合得很好.

对60 A GeV16O在原子核乳胶中的电磁离解现象首次进行了高统计的研究，得到电磁离解截面随束流能量的增加而增加，射弹碎片电荷分布和200 A GeV16O在 乳胶中电磁离解的电荷分布一致，但电荷为3≤Z≤5的射弹碎片的发射概率低于200 A GeV能 区，这些特点和Weiszacker和Williams的经典电磁理论模型计算结果一致.60 A GeV16 O电磁离解下各反应道出现的概率和200 A GeV能区结果基本一致，但同14.6

在多群中子扩散方程解析解的基础上，利用方程及求解域的对称性建立了新的数值求解中子扩散方程的理论模型.该模型显著的优点是适用于各种对称区域(二维、三维区域)尤其是非正方形区域中子扩散方程的求解，它彻底避免了常规节块法应用于非正方形几何时所出现的奇异性问题，且所得的解在求解域内任意点上均满足扩散方程.以二、三维六角形几何为例建立了数学模型，并用基准问题校核了模型的正确性.

利用全相对论性多组态Dirac-Fock平均能级(MCDF-AL)方法系统地计算了高离化类铍离子自 旋禁戒2s2 1S0—2s2p3P1(Z= 10—103)跃迁的能级间隔和跃迁概率，计算中考虑了重要的核的有限体积效应，Breit修正 和QED修正，所得结果和最近的实验数据及理论计算值进行了比较，结果表明：高原子序数 的高荷电离子的自旋禁戒跃迁的跃迁概率和中性原子的电偶极E1的相当，在ICF和MC

通过利用经Grober发展的Bethe模型，计算了透射式近场光学显微镜探针针尖附近及进入样 品后的光场分布，研究了它的横向分辨率、透射深度、透射系数等问题.模拟在光学近场激 发下生物荧光分子成像的过程，研究了荧光分子的极化方向和入射光偏振方向对信号收集的影响，发现荧光图像是偏振极性和荧光分子极性共同作用的结果.

通过利用短时指数传播子的对称分割和快速傅里叶变换，数值求解一维含时薛定谔方程，研究了一维多原子分子离子在超强脉冲强激光场中的增强电离(EI)行为，给出了激光强度和频率对增强电离的影响.计算表明随着激光频率的增加，增强电离的临界键长变小，电离概率 也减小；随着激光强度的增加，电离概率增加，当强度增加到一定值时，就不再出现增强电离现象.

预言了在有外加电场的光伏光折变晶体中存在着稳态非相干耦合的屏蔽光伏空间孤子对.这种孤子对是由偏振态和波长都相同的两束互不相干光耦合而成的.它可被看成是非相干屏蔽孤子对和非相干光伏孤子对的统一形式，当外加电场很强可忽略光伏效应时，它类似于已报 道的屏蔽孤子对，而当外加电场为零时，它相当于闭路条件下的光伏孤子对.

实验发现当一束较强的抽运激光(526nm)与一束较弱的探测激光(6328nm)相交通过非线性 介质薄膜(聚吡咯甲烯/聚乙烯醇薄膜)时，在探测光束的远场产生了中心为亮斑，近场中心 为暗斑的多个同心衍射环.从菲涅耳-基尔霍夫衍射积分公式出发，理论分析了产生这种现象 的原因是抽运光在非线性介质中诱导的相位孔对探测光的衍射效应.通过数值积分，计算结 果与实验结果符合.

在离子回旋共振加热中，对具有较复杂边界条件的洞穴环天线，通常为了简化计算忽略环天线水平分量的影响，按二维天线模型进行处理.给出了一种三维天线模型的详细计算过程，该模型与实际天线更加吻合，其计算结果可供洞穴环天线设计时参考.

试把直接法应用于抗生蛋白链菌素(streptavidin)沿［001］方向投影的模拟像和相应的理论结构因子作图像处理.先用两张高分辨电子显微像作直接法解卷，以互补因衬度传递函数的作用而损失的结构信息，求得的欠焦值比用单张像解卷的结果更接近真实值.把从结构模型计算出的030nm以内的相位，以及025nm以内的振幅作为起始数据，进行直接法相位外 推，并借助团簇分析方法得到030nm至025nm之间的相位.所得分辨率为030nm的解卷像 和分辨率为025nm的晶体结构投影均与理论结构模型的相应投影电

采用原子配位分布函数为Gaussian函数ＰG和指数函数PE直积的非 对称模型进行拟合计算，XAFS定量地研究化学还原法制备的Ni-P和Ni-Ce-P超细非晶合金大 无序度体系中Ni原子的局域环境结构随退火温度升高而产生的变化.结果表明Ni-P和Ni-Ce-P 原样的Ni-Ni配位的平均键长Ｒj、配位数N、热无序度σT、结构无 序度σS分别为0271nm，100，00060nm，0028n

提出四种可实际应用的非垂直偏振片配置的双稳态扭曲向列相液晶显示模式.这些显示模式大都具有高稳定性，并能提供高对比度和高亮态透过率.有些甚至可达到扭曲向列相液晶显示器的显示效果，实现黑白显示.这些显示模式性能优于已提出的垂直偏振片配置的其他双稳态向列相液晶显示模式.

用极限动力学模型研究了Ｃ60分子在有序-无序相变和玻璃态相变温度区间取向 角为98°和38°的取向概率与温度的关系.计算结果在玻璃态相变点附近的85K，90K和有序- 无序相变点的260K分别与实验值相吻合，取向概率对实验值更精确的拟合及其对温度的二阶 导数预言玻璃态相变点在84K.导出了弛豫规律，其结果表明：双能级的Ｃ60分子从非平衡态到平衡态的弛豫行为与非指数因子β有关，其总的弛豫时间决定于其中一个较 短的弛豫时间，展宽指数形式保持不变.讨论了KWW方程的非

利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X射线电子能谱(XPS)研究了掺镧所引起的PbWO4 晶体缺陷的变化.结果表明：掺镧后，PbWO4晶体中的正电子捕获中心铅空位(VPb)浓度增加，并进一步诱导低价氧浓度的增加.讨论了掺La的作用机制，认为掺 La将抑制晶体中的氧空位，增加铅空位浓度.

用密度波理论确定了六角蜂窝晶格的6种有序结构类型、7种完全有序结构.对钌(Ru)晶体(0001)表面吸附的氧(O)原子形成的有序结构、插层化合物NaxTiS2中 的Na离子形成的有序结构给予解释.

就Si为衬底的钇钡铜氧(分子式：Y1Ba2Cu3O7-δ ，δ≥05，简称YBCO)薄膜的半导体性质，及用于红外测辐射热计(Bolometer)的探 测性能进行了研究.通过测定温度电阻系数(TCR)和霍尔(Hall)系数，并采用XRD、拉曼散射 光谱等手段分析了YBCO半导体薄膜的微观结构和光谱响应特性，认为该薄膜是非制冷红外焦 平面的新型探测元材料.

利用表面磁光克尔效应和铁磁共振对分子束外延生长的Fe/Fe50Mn50双层膜的交换偏置场和矫顽力进行了研究，实验结果表明，当反铁磁层厚度小于55nm时 ，不出现交换偏置，而当大于这一厚度时，出现交换偏置；大约在7nm时，达到极大值.随着 反铁磁层厚度的继续增大，偏置场和矫顽力随Fe50Mn50膜厚的增大 而下降.铁磁共振实验结果表明样品的磁性存在单向各向异性.并对上述结果进行了讨论.

运用紧束缚双带模型对MX化合物晶格振动的计算发现，晶格振动谱由一条声频支和三条光频支组成，进一步得到了出现元激发时，晶格振动色散关系中的分立频率和相应的定域振动模.在MX化合物红外吸收谱的计算中发现对应不同元激发红外谱具有不同的特征.

研究了两种不同排列的耦合量子细胞的非线性特性.方形量子细胞由位于角上的四个量子点组成，设每个量子细胞内包含两个电子，则不同的量子细胞将通过库仑作用发生耦合.单个细胞内的电子易于占据位于对角线上的量子点，从而导致了细胞的极化.当一个细胞的极化率发生改变时，在稳定态的情况下，计算了另一个细胞的极化率.研究结果表明，在适当的参数下，第二个细胞的极化率的响应显示出良好的非线性特性.

利用频率依赖电容谱的测量，对于SiO2/硅量子点/SiO2/硅衬底隧 穿电容中硅量子点的荷电特征进行了研究.由于量子点的极小尺寸和良好的均匀性，室温下 在强反型区成功地观察到了与单电子隧穿相关的两个电容和电导共振峰，它们分别对应于硅 衬底导带上的电子与量子点中第一与第二个基态之间直接隧穿过程.实验数据分析给出了量 子点中的库仑荷电能，并进行了讨论.

用苯作为源气体，使用微波电子回旋共振(ECR)等离子体气相沉积法在不同温度下制备了含 氢非晶碳薄膜，研究了沉积温度对薄膜的直流电阻率、击穿场强的影响，发现它们与沉积速 率密切相关.测量了薄膜的含氢量与Raman谱,利用Angus等人提出的随机共价网络模型对结果 作了分析.

测量了Bi2Sr2CaCu2O8单晶的ab面和c轴方 向电阻，在其超导转变温度附近发现了反常的电阻峰出现.其随外磁场(>100Gs)和电流的增 加而逐渐消失.文章认为这个反常的电阻峰是由于单晶中超导相的不均匀分布而导致的准再 进入行为.

在10mm×10mm SrTiO3(STO)台阶衬底上用单层YBa2Cu3 O7-δ(YBCO)薄膜制备了dc-SQUID一阶平面梯度计，探测环面积约为33mm 2，基线长度d=45mm.该梯度计在无屏蔽条件下对地磁场有较好的屏蔽作用，共模抑 制比为14×102，磁场梯度灵敏度为8PT/cmHz(白噪声区).

实验研究了Bi2Sr2CaCu2-xSnxO8+δ 的X射线衍射(XRD)和光电子能谱(XPS).实验发现随着掺杂(Sn)量的增加，晶格参数a 和c都有所变化，O1s和Cu2p芯能级谱也发生了变化.实验结果表明： 在低掺杂量时，Sn主要 呈二价态；而在高掺杂浓度时呈四价态；掺Sn对超导电性的影响与其他元素的掺杂不同.这 些实验结果支持化学环境在高温超导样品的电子结构中起着重要作用的结论.

采用磁控溅射法制备了一系列的Mn掺杂的PtMn/Co多层膜.通过测量得到的磁光常数和光学常 数，计算介电张量的对角元和非对角元，得到在掺杂较大时，克尔角的变化是由于介电张量 的非对角元引起的；在掺杂量较小时，克尔角的变化是由介电张量的对角元和非对角元以及 光学常数的变化引起的.

研究了射频溅射制备的NiOx膜的电致变色性能，发现富氧非理想化学配比的NiO x(x>1)膜具有变色活性，这种膜出现Ni3+和Ni2+的混 合价态，当H＋注入并占据Ni空位时，导致Ni3+的t2g 能级被填满，Ni3+被阴极还原为Ni2+引起光学透明，即为漂白态； 反之，H+被萃取出NiO

实验测定了MgSO4:Dy,Mn和MgSO4:Dy,P以及MgSO4:Dy,P ,Cu等的热释光磷光体的三维发光谱.结果表明，掺入Dy的MgSO4磷光体的热释发 光谱线的波长与Dy3+离子的能级跃迁相关，Dy3+为热释光主要发光 中心.MgSO4中只掺入Mn时，温度在140℃和190℃附近呈现波长为660nm宽范围的 连续发光带，这是Mn形成的发光中心的

研究了纯PbWO4和PbWO4:Y晶体经γ射线辐照和可见光光照前后室温 以上的热释光.发现大剂量辐照后掺Y可以有效地抑制热释光的强度并使热释光峰移向高温， 说明掺Y有利于提高光输出的稳定性.可见光光照也会影响热释光并可以产生新的热释光峰， 这可能是由于光释电子(或空穴)被浅陷阱重新俘获或是光照后产生了新型色心的结果.

报道了采用多孔硅多层膜作为Bragg反射镜的有机半导体光学微腔.被测样品的光致发光谱半 高宽可由无微腔下的83nm窄化为有微腔时的4nm，非共振模得到有效的抑制.同时共振峰强度 的增强和峰位随出射角增大的“蓝移”等微腔效应也被观测到.

通过对真空蒸发沉积制备的BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下光吸收特性的测试， 实验上观察到BaO薄膜在近紫外波段的光吸收随电场强度的增加而明显增强.理论分析表明， BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下发生能带倾斜，价带电子隧穿带间位垒而在带隙 中出现的概率增加，近紫外波段光吸收增强是光子协助隧道穿越的结果.不同能量光子激发 下电场作用引起的BaO薄膜光吸收增强现象是夫兰茨-凯尔迪什(Franz-Keldysh)效应和斯塔 克(Stark)效应在金属氧化物半导体材料上的体现.

利用我国返回式实验卫星在空间微重力条件下进行了GaSb熔滴与GaP,BN和GaAs等材料的润湿性能的研究，分析了熔滴与基片之间的界面相互作用，并与重力场下实验结果进行了对比.实验表明，重力因素对润湿性存在影响，空间微重力条件下测得的GaSb熔滴与GaP及BN基片的接触角比地面测量的大.对凝固后的熔滴与基片之间的组织分析显示，重力场下，液固界面的相互作用较强，存在较宽的过渡区，这与地面浮力对流有利于物质输运密切相关.实验结果还表明，空间微重力环境下熔体凝固的组织比重力场下要均匀.

用X射线电子能谱(XPS)、热脱附谱(TDS)和紫外光电子能谱(UPS)方法研究了乙烯(C2H4)在Ru(1010)表面的吸附，在低温下(200K以下)乙稀(C2Ｈ4)可以在Ru(1010)表面上以分子状态稳定吸附，在200K以上乙烯(C2H 4)则发生了脱氢分解反应.TDS结果表明乙烯(C2H4)分 解后的主要产物为乙炔(C<

报道了用BBO晶体对激光二极管抽运Nd:YVO4晶体声光调Q产生的1.064μm激光 进行四倍频，实现平均功率为63mW准连续波266nm紫外激光运转，重复频率为12.5kHz、单 脉冲能量5μJ、峰值功率达252W，绿光-紫外光转换效率达11%.

CeNiSn是一种很有趣的重费米子化合物，其基态为Kondo绝缘体.采用化学元素替代的方法研 究Cu掺杂对CeNiSn多晶样品低温比热的影响.在流动高纯氩气的保护下，用电弧炉制备了一 系列的多晶样品CeNi1-xCuxSn(x＝0，002，006，008).X射 线粉末衍射分析表明，制备出来的样品均为单相多晶.随着Cu掺杂量的增加，样品的晶格参 数增大.采用绝热热脉冲法测量样品的比热，结果表明随着Cu掺入量的增加，相应样品的低温比热也随之增大，能隙逐渐减小