运用二分量孤子的振子模型，研究了氢键分子系统中在外场与阻尼存在情况下，质子子晶格与重离子子晶格中扭结孤子形成的孤子对的运动特性，讨论了重离子运动对孤子对迁移率的影响和孤子对的核化特性，得到了孤子对迁移率表达式和平均核化率

利用ＳＰＬ（２，１）的非齐次玻色费米实现，研究了ＳＰＬ（２，１）在ＨｅｉｓｅｎｂｅｒｇＷｅｙｌ超代数的广义包络代数的子空间和商空间上的不可分解表示和不可约表示，并给出了它的全部有限维不可约表示

研究了有限维希尔伯特空间含时谐振子的时间演化．通过适当的含时规范变换得到有限维含时谐振子量子态时间演化的封闭解，并给出量子态的Ｂｅｒｒｙ相位．最后讨论了驱动项对相干态压缩特性的影响

在多维相空间中，利用指数二次型算符的正规乘积和反正规乘积表示式，给出了任意指数二次型算符矩阵元的严格表达式．在能谱和能量本征函数未知的条件下，由此得到了哈密顿量为二次型系统的配分函数和波函数

提出一种基于收缩映射的奇异非混沌系统同步方案．通过利用一种混沌系统驱动另一种混沌系统产生出奇异非混沌吸引子，由于奇异非混沌吸引子的Ｌｙａｐｕｎｏｖ指数为负值，因而可有效抑制混沌系统对初始状态的敏感程度．为实现两个奇异非混沌吸引子的同步，文中采用收缩映射实现混沌驱动系统的快速同步．研究表明，该方案能够快速实现同步，并且有较强的鲁棒性，易于实现，可用于混沌保密通信

对logistic耦合映像的最大Lyapunov指数研究发现: 在混沌区参数内在系统尺度足够大而 耦合强度具有较大值时系统的最大Lyapunov指数存在一个不随尺度和耦合强度变化的平台 .该平台的物理意义也得以解释.

研究了用非线性反馈控制混沌Lorenz系统的方法，经理论分析，给出了反馈控制函数的表达 式和混沌控制的期望结果，理论结果和数值结果一致表明，不同的控制函数可使系统稳定在不同的目标点或不同的周期轨道上.

研究两个非自治混沌系统之间的脉冲同步的实用稳定性，将问题转化为同步误差系统的原点的实用稳定性．利用脉冲微分方程的相关理论，给出了同步误差系统原点实用稳定的相关判据，并给出了误差范围的理论表达式．计算机仿真实验的结果验证了理论结果

采用胆甾相液晶的格胞理论，运用一定的统计方法，导出分布函数，定义序参数张量，由此推导出自由能表达式．在定域坐标系中，对胆甾相的长程取向序参数Ｓ和相诱导双轴序参数Δ进行了数值计算．所得的结果较前人有了不同程度的改善，和实验接近

对液态Ａｌ在不同冷速下的微观结构及其转变机制进行了分子动力学模拟，模拟采用紧束缚势，得到了不同温度、不同冷速下，Ａｌ的双体分布函数；采用ＨＡ键型指数法统计了各种小原子团在不同温度下所占比例，得到原子组态变化的重要信息．结果表明，在冷却速率较慢时，液态金属Ａｌ最终形成晶态，当冷却速率较快时，液态Ａｌ最终形成非晶态；液态金属中的键对是液态Ａｌ的基本构成单元，液态Ａｌ在形成晶体时，１４２１，１４２２键对起非常重要的作用；而１５５１，１５４１键对对非晶的形成有重要的影响

采用随机分叉理论，探讨疲劳损伤系统裂尖粒子运动性质突变.利用一维扩散过程的奇点理 论，并结合能量包络的随机平均法，建立了随机扰动的疲劳损伤同宿分叉系统裂尖粒子运动 模型；通过研究奇异边界的扩散指数、漂移指数以及特征指数特性，考查疲劳损伤裂尖粒子 运动的同宿分叉系统受参激白噪声影响的分叉行为.

A transferable tight－binding potential for nickel together with molecular－dyna mics methods and simulated－annealing techniques have been used to study the str uctures and structural properties of nickel clusters.We have obtained the struct ures and their

阐述了水下成像清晰度和成像距离的增大与偏振成像技术的关系;推导了偏振成 像系统图像清晰度与成像距离的关系式　并通过实验获得实测数据　根据推导的关系式分析 并计算得到的结果与实测数据相符合　定量地说明了偏振技术提高了图像清晰度和成 像距离.

研究了SU(2)相干态场与两个原子非简并双光子相互作用系统中原子的动力学行为 和双模场的非经典性质，并讨论了双模场的总光子数，配分参量以及原子间偶极相互作用对 它们的影响.

引入平移激发压缩真空态D(z)a\+\{+m\}S(r)|0〉，并讨论它的一些基本性质.利用正规 乘积内的积分技术，证明了其完备性.平移激发以后，与压缩真空态相比较，光子数分布 的振荡性质更加显著.与压缩真空态的光子总是聚束的性质不同，在平移参量|z|和激发 数m都较小时，平移激发压缩真空态的光子统计关联可以呈现反聚束效应.计算了它的准 概率分布函数(Q函数和Wigner函数)，并讨论了它们对各参量的依赖关系，从Wigner函数可 以清楚地看出该量子态的非经典特性.

理论分析了当抽运激光具有高于标准量子极限的经典噪声时，在单共振条件下，由倍频腔 输出的532?nm绿光光场的强度噪声起伏，并从实验上获得稳定的强度噪声低于散粒噪声极 限的绿光压缩光，实测的绿光最高强度噪声压缩度为20%(考虑到探测器效率及光路损耗，实 际压缩度达30%).实验结果与理论预测基本一致.

利用注入锁定技术实现了与自由运转频率相差1300?GHz的大功率半导体激光器的边模注入 锁定.实验上利用饱和吸收谱和光学外差拍方法详细研究了锁定后主从激光器之间的相干转 移特性，并测量了注入光功率与锁频范围的关系和注入锁定模式建立过程，与利用带注入项 的多模速率方程得到的边模注入锁定的范围相吻合.理论上计算了实现边模注入锁定所满足 的注入光阈值条件，并作了实验验证.

在腔内充CH发泡材料，提高辐射驱动冲击波的平面性.利用楔形铝膜测量辐射驱动冲击波发 光信号的条纹图像，从而获得冲击波速度和冲击波压力.利用冲击波速度与辐射温度的定标 关系，求得辐射温度.

研究一种测量激光等离子体发射软X射线谱强度的新方法——滤波差分法.介绍了滤波差分 法基本原理，给出了滤波差分对的理论计算结果及实验测量结果，并用此方法获得软X射线 谱的绝对强度，最后对测量光谱强度的误差进行分析和估算.

就“BHJ400”型便携式电脑红外测温仪的研制从理论和实践角度介绍了以下内容：①提高 红外光学系统信噪比的方法和途径；②提高红外探测器输出信号的方法和途径；③在探测器 输出信号处理电路中滤除广白噪声、有效提取并放大深埋在强噪声中微弱目标信号的方法和 途径.从而使该红外测温仪性能得到了最大限度地提高，实验结果和理论分析值相符，达到 了设计要求.

应用Hartree－Fock方法，计算了氩体系的多体相互作用.对Parson等提出的MSVⅢ势进行了 多体修正，并将修正后的MSVⅢ势用于液氩物态方程的分子动力学模拟.计算表明，修正后 的MSVⅢ势能较好地反映液氩在所研究压力范围的情况，计算的Hugoniot曲线与实验结果在 冲击压力高达40?GPa密度区的符合程度得到改善.

实验上研究了液氦温区Ｌａ２／３Ｃａ１／３Ｍｎ１－ｘＣｕｘＯ３（ｘ＝０－１５）单相多晶样品给定磁场下的电阻随时间的变化，发现磁电阻随时间变化并非遵从对数规律而是呈指数型变化行为．对这一指数型磁电阻弛豫行为的可能起因进行了讨论，指出这是与Ｍｎ位上Ｃｕ掺杂将额外磁性杂质引入到样品中有关

采用离子束溅射方法在玻璃基片上制备了一系列的Co－SiO\-2颗 粒膜样品，并对样品的巨磁电阻效应进行了研究.在Co35(SiO\-2)65(体积 百分比)颗粒膜样品中，观测到室温下近4%的巨磁电阻效应.研究了不同基片温度对巨磁电 阻效应的影响并发现，随着基片温度的升高样品的巨磁电阻效应下降.根据样品的电阻率温度关系曲线分析，在铁磁金属-非磁绝缘介质颗粒膜中，除了电子自旋相关隧穿效应外， 可能还存在其他的导电机制.

利用X射线光电子谱对液相外延HgCdTe薄膜表面氧化特性进行了 研究，对经不同工艺过程处理的HgCdTe表面进行了测量、分析，结果表明碲镉汞表面经溴 无水乙醇溶液腐蚀后，再用乳酸乙二醇溶液对表面进行处理，可获得氧化物极少甚至无氧 化的HgCdTe表面.说明HgCdTe表面钝化前的预处理直接影响钝化层/HgCdTe的界面特性. 

在一个包括p\++－n－n\++结构的光生电势物理模型基础上导出 了光生电势的一般方程.在三种光生电势发生的特定条件下，它可简化出结场光生电势，丹 倍电势和横向光生电势的函数关系式.该方程统一了各种光生电势的行为机理.依据一般方 程理论导出的横向光生电势与光点位置的函数关系研制了光电位置传感器，该器件的光电位 置特性优越，从应用实践角度说明了该理论的正确性.

利用同步辐射光电发射谱研究了Co与CH\-3CSNH\-2处理的S钝化GaAs(100)的界面形成.发现 其界面反应较弱，Co覆盖层达到0.8nm时，形成稳定的界面.GaAs表面上和S原子形成桥 键的Ga原子与Co发生交换反应并扩散到覆盖层中，形成Co—S键.Co覆盖层表面无偏析As的出现，与Co/GaAs(100)界面不同，这表明GaAs表面的S钝化可有效地阻止As原子向覆盖层的扩散.

利用X射线衍射、扫描电镜和SQUID磁强计研究了粉末熔化(PMP)YBa\-2Cu\-3O\-y和掺Gd 的YBCO超导体的微结构，超导性能、磁通钉扎特性及鱼尾效应等，发现在掺杂Gd的样品中当 温度低于70?K时出现鱼尾现象(H⊥c)，而在纯YBCO中无鱼尾出现.添加Gd有助于提高 J\-c，增强钉扎，并认为由掺Gd所引起的Y\-2BaCuO\-5粒子尺寸的减小，应力场钉扎和 磁性钉扎是J\-c增加的原因.

用标准陶瓷工艺制备了ＢａＺｎ２（ＧｅＭｎ）０－２Ｆｅ１５－６Ｏ２７六角铁氧体．假设Ｇｅ４＋取代了４ｅ和４ｆⅣ中的Ｆｅ３＋，能够很好地解释实验结果．利用分子场理论和Ｈ．Ｂ．Ｃａｌｌｅｎ单离子各向异性模型计算了ＢａＺｎ２（ＧｅＭｎ）０－２Ｆｅ１５－６Ｏ２７次点阵之间的交换参数和各次点阵对磁晶各向异性的贡献，并对实验结果进行了拟合．结果表明，１２ｋ和２ｄ次点阵对磁晶各向异性有较大的贡献

测量了ＣｕＡｌ混合粉末经过不同时间球磨后的２７Ａｌ核磁共振（ＮＭＲ）谱，分析了２７ＡｌＮＭＲ谱的特征参量随球磨时间的变化．根据２７ＡｌＮＭＲ谱所提供的信息，研究了ＣｕＡｌ混合粉末机械合金化反应的微观过程．ＣｕＡｌ混合粉末的２７ＡｌＫｎｉｇｈｔ位移随球磨时间的增加而减小．对于ＣｕＡｌ混合粉末，球磨不仅改变了２７Ａｌ附近的化学短程序，而且也直接地影响了２７Ａｌ的外层电子态，后者使传导电子的ｓ态成分减小．实验结果表明，ＣｕＡｌ混合粉末在球磨过程中发生了真正的合金化反应；经过９０ｈ球磨完成了合金化反应；

利用电极化的边界屏蔽近似，可计算出一些典型铁电单晶的自发极化强度．铁电屏蔽电荷处于表面束缚极化子偶状态；其产生和湮没要跨越位垒．由统计方法给出的一些常见晶体和陶瓷的四种典型电滞回线形状，和实验观察到的结果一致

介绍了将离子枪组合于卢瑟福背散射分析靶室中构成Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ／ＲＢＳ原位分析实验装置，用低能离子溅射剥层与高能离子背散射组合对薄膜样品进行成分和深埋层分析方法．给出了对样品分析的三个例子．对Ａｕ／Ｓｉ样品的分析着重讨论了Ａｕ在Ａｒ＋溅射剥层时的溅射速率；对Ｓｉ／ＧｅＳｉ／Ｓｉ和ＷＳｉｘ／ＳｉＯ２／Ｓｉ样品的深埋层分析，提高了样品分析的深度分辨率．讨论了这一Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ／ＲＢＳ组合分析方法的优缺点和在薄膜材料研究中可能的应用

１　引言由于金刚石薄膜具有高硬度、高熔点、热导率大、化学稳定性好、负电子亲合势等特别优异的性质，对其场发射特性的研究引起了人们极大的关注，目前，关于金刚石薄膜场发射特性的研究已有很多报道，金刚石薄膜不仅具有极低的场发射开启电场，而且，具有很高的场发射电流密度，因而被认为是最理想的场发射冷阴极材料，近年来成为真空微电子学领域的研究热点，并已成功地应用于场发射平板显示器．在薄膜场发射的应用中往往?..

利用直流磁控溅射制得非晶态氮化碳膜，然后在高温下、常压Ｎ气氛中进行热处理，利用ＤＴＡ，ＸＲＤ和Ａｕｇｅｒ研究晶化前后氮化碳成分、结构以及键态的变化．实验结果表明：在１１８６℃附近出现了晶化现象，高温晶化处理可以促进无定形氮化碳向晶态转变，在ＸＲＤ图谱上出现αＣ３Ｎ４衍射峰．Ａｕｇｅｒ实验结果表明膜中出现富Ｃ，Ｓｉ，Ｎ的区域