//m.suprmerch.com/ Acta Physica Sinica daily 15 2024-11-21 09:34:02 apsoffice@iphy.ac.cn apsoffice@iphy.ac.cn 2024-11-21 09:34:02 zh 版权所有 © 地址：北京市603信箱，《 》编辑部邮编：100190 电话：010-82649829，82649241,82649863Email：apsoffice@iphy.ac.cn 版权所有 © apsoffice@iphy.ac.cn 1000-3290 <![CDATA[经典-deformed WN代数]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1565

构造了经典-deformed WN代数，得到了与之相对应的-deformed Miura变换.当畸变参数→0时，该代数将退化为通常的经典WN代数.


. 1999 48(9): 1565-1570. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

构造了经典-deformed WN代数，得到了与之相对应的-deformed Miura变换.当畸变参数→0时，该代数将退化为通常的经典WN代数.


. 1999 48(9): 1565-1570. Published 1999-09-20 ]]> 1999-05-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(9): 1565-1570. article doi:10.7498/aps.48.1565 10.7498/aps.48.1565 48 9 1999-09-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1565 1565-1570 <![CDATA[量子-deformed WN代数及其屏蔽流代数]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1571

构造了-deformed WN代数的量子理论和与之相对应的量子-deformed Miura变换.还研究了-deformed WN代数的屏蔽流代数.


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构造了-deformed WN代数的量子理论和与之相对应的量子-deformed Miura变换.还研究了-deformed WN代数的屏蔽流代数.


. 1999 48(9): 1571-1580. Published 1999-09-20 ]]> 1999-05-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(9): 1571-1580. article doi:10.7498/aps.48.1571 10.7498/aps.48.1571 48 9 1999-09-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1571 1571-1580 <![CDATA[变系数积分变换与Landau体系的非线性-超对称性方法研究]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1581

提出一种推广的变系数积分变换，将有磁场参与作用这样一类典型而重要的非保守系情形纳入非线性-超对称性方法的框架，极大地简化了体系本征问题的求解(以Landau体系为例).


. 1999 48(9): 1581-1586. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

提出一种推广的变系数积分变换，将有磁场参与作用这样一类典型而重要的非保守系情形纳入非线性-超对称性方法的框架，极大地简化了体系本征问题的求解(以Landau体系为例).


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给出了相对论性氢原子径向算符矩阵元〈n′1,K1,j1,mj1|rp|n′2,K2,j2,mj2〉的通项计算公式.


. 1999 48(9): 1587-1592. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

给出了相对论性氢原子径向算符矩阵元〈n′1,K1,j1,mj1|rp|n′2,K2,j2,mj2〉的通项计算公式.


. 1999 48(9): 1587-1592. Published 1999-09-20 ]]> 1999-05-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(9): 1587-1592. article doi:10.7498/aps.48.1587 10.7498/aps.48.1587 48 9 1999-09-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1587 1587-1592 <![CDATA[等价电子耦合波函数的构造和矩阵元计算]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1593

按(U，D)L-LSQ-R耦合格式构造等价电子耦合波函数(这里U(D)是自旋向上(向下)电子的轨道角动量，Q是准旋，R是自旋-准旋交换算符)，只需对半满壳层计算耦合波函数，其它电子数耦合波函数可通过准旋升、降算符和自旋-准旋交换算符的作用得到.对p,d,f,g壳层进行了耦合波函数和产生-湮没算符约化矩阵元计算.理论分析和实际计算表明，(U,D)L-LSQ-R耦合格式比一般LS耦合格式更便于计算.


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按(U，D)L-LSQ-R耦合格式构造等价电子耦合波函数(这里U(D)是自旋向上(向下)电子的轨道角动量，Q是准旋，R是自旋-准旋交换算符)，只需对半满壳层计算耦合波函数，其它电子数耦合波函数可通过准旋升、降算符和自旋-准旋交换算符的作用得到.对p,d,f,g壳层进行了耦合波函数和产生-湮没算符约化矩阵元计算.理论分析和实际计算表明，(U,D)L-LSQ-R耦合格式比一般LS耦合格式更便于计算.


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由广义线性量子变换理论，得到了含时谐振子正规乘积形式的演化算符和波函数的严格表达式.


. 1999 48(9): 1601-1604. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

由广义线性量子变换理论，得到了含时谐振子正规乘积形式的演化算符和波函数的严格表达式.


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提出了离散系统中的主动-间隙耦合同步方法.该方法由同步相和自治相组成.在同步相，同步方案使得混沌系统趋于同步，而在自治相，两系统间的误差将迅速放大，导致失同步.但只要同步相足够大，最终可实现系统的准确同步.还从理论上讨论了同步条件，并利用该方法实现了耦合映象格子时空混沌系统中的混沌同步，给出了同步条件以及同步相与耦合强度的关系.


. 1999 48(9): 1605-1610. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

提出了离散系统中的主动-间隙耦合同步方法.该方法由同步相和自治相组成.在同步相，同步方案使得混沌系统趋于同步，而在自治相，两系统间的误差将迅速放大，导致失同步.但只要同步相足够大，最终可实现系统的准确同步.还从理论上讨论了同步条件，并利用该方法实现了耦合映象格子时空混沌系统中的混沌同步，给出了同步条件以及同步相与耦合强度的关系.


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通过对一平面二维映射系统非线性动力学行为的分析，发现该系统状态随参数变化，经过稳定焦点、极限环(不变环)、倍周期分岔、收缩到低维流形上的混沌吸引子(具有一个正Lyapunov指数)、最后到在有界区域弥散开来的混沌吸引子(具有两个正Lyapunov指数)的过程.通过对该系统不动点的分析揭示了吸引子的吸引域边界结构，即不稳定第二类结点与不稳定偶数周期点在吸引域边界上的相间排列.


. 1999 48(9): 1611-1617. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

通过对一平面二维映射系统非线性动力学行为的分析，发现该系统状态随参数变化，经过稳定焦点、极限环(不变环)、倍周期分岔、收缩到低维流形上的混沌吸引子(具有一个正Lyapunov指数)、最后到在有界区域弥散开来的混沌吸引子(具有两个正Lyapunov指数)的过程.通过对该系统不动点的分析揭示了吸引子的吸引域边界结构，即不稳定第二类结点与不稳定偶数周期点在吸引域边界上的相间排列.


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在将连续时间混沌系统的控制与同步问题统一处理的基础上，给出了一种可实现两个相同或不同连续时间混沌系统的控制与同步的非线性状态反馈方法.该方法以著名的Lyapunov技术为基础，当目标和被控系统的状态变量都有界时，不论目标系统是处于平衡点、周期、拟周期、混沌或超混沌状态，都可使被控制系统按照目标系统给定的轨道演化，并且是大范围可控和可同步的.


. 1999 48(9): 1618-1627. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

在将连续时间混沌系统的控制与同步问题统一处理的基础上，给出了一种可实现两个相同或不同连续时间混沌系统的控制与同步的非线性状态反馈方法.该方法以著名的Lyapunov技术为基础，当目标和被控系统的状态变量都有界时，不论目标系统是处于平衡点、周期、拟周期、混沌或超混沌状态，都可使被控制系统按照目标系统给定的轨道演化，并且是大范围可控和可同步的.


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最近的CO2激光辅助电子-原子碰撞的测量结果与K-W公式存在着非常大的差异，用玻恩近似理论对此进行了详细的研究.结果表明第二玻恩近似结果与实验结果符合得比较好，K-W公式的预言只相当于第一玻恩近似.同时，计算表明电子-原子间的极化势在激光辅助电子-原子散射过程中起着重要的作用.


. 1999 48(9): 1628-1634. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

最近的CO2激光辅助电子-原子碰撞的测量结果与K-W公式存在着非常大的差异，用玻恩近似理论对此进行了详细的研究.结果表明第二玻恩近似结果与实验结果符合得比较好，K-W公式的预言只相当于第一玻恩近似.同时，计算表明电子-原子间的极化势在激光辅助电子-原子散射过程中起着重要的作用.


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提出了模拟产生高斯相关随机表面的方法，并模拟产生了这类表面在夫琅禾费面上产生的散斑场.以模拟产生的10000个随机表面作为表面样本系综，对具有不同粗糙度和横向相关长度的表面系综在夫琅禾费面上各点产生的散斑光强系综的概率密度分布进行了分析.发现：(1)散斑场的高斯和非高斯特性在空间上按一定的区域分布，并非整幅散斑图皆为高斯或非高斯散斑；(2)散射表面只包含少数散射颗粒时也可以形成高斯散斑.


. 1999 48(9): 1635-1643. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

提出了模拟产生高斯相关随机表面的方法，并模拟产生了这类表面在夫琅禾费面上产生的散斑场.以模拟产生的10000个随机表面作为表面样本系综，对具有不同粗糙度和横向相关长度的表面系综在夫琅禾费面上各点产生的散斑光强系综的概率密度分布进行了分析.发现：(1)散斑场的高斯和非高斯特性在空间上按一定的区域分布，并非整幅散斑图皆为高斯或非高斯散斑；(2)散射表面只包含少数散射颗粒时也可以形成高斯散斑.


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两个强度相同相位不同的激发相干态的叠加态呈现出多种非经典的特征.在一定的条件下，随着相位差的变化，叠加态的平均光子数出现类似于Rabi振荡的崩塌和复原现象，光场的正交分量压缩和亚泊松分布都比单个激发相干态得到增强.


. 1999 48(9): 1644-1649. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

两个强度相同相位不同的激发相干态的叠加态呈现出多种非经典的特征.在一定的条件下，随着相位差的变化，叠加态的平均光子数出现类似于Rabi振荡的崩塌和复原现象，光场的正交分量压缩和亚泊松分布都比单个激发相干态得到增强.


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研究了两个偶极相互作用二能级原子与高Q腔场双光子相互作用的腔场谱.给出了初始光场为Fock态、相干态和压缩真空态时的计算结果并解释了谱结构的形成，分析了原子间的偶极相互作用和初态的交换对称性对腔场谱的影响.发现当两原子均处于激发态时，腔场谱只在初始光场为真空态时出现4峰结构，而在其它初始场时，都呈现出奇数峰，这与相应的辐射谱偶数峰的结构明显不同.而两原子只有一个处于激发态时，腔场谱结构主要由原子初态是否具有交换对称性决定.


. 1999 48(9): 1650-1658. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

研究了两个偶极相互作用二能级原子与高Q腔场双光子相互作用的腔场谱.给出了初始光场为Fock态、相干态和压缩真空态时的计算结果并解释了谱结构的形成，分析了原子间的偶极相互作用和初态的交换对称性对腔场谱的影响.发现当两原子均处于激发态时，腔场谱只在初始光场为真空态时出现4峰结构，而在其它初始场时，都呈现出奇数峰，这与相应的辐射谱偶数峰的结构明显不同.而两原子只有一个处于激发态时，腔场谱结构主要由原子初态是否具有交换对称性决定.


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分析了1/4相移分布反馈(QPS-DFB)激光器及三相移分布反馈(3PS-DFB)激光器的静态及动态特性.在分析中，考虑了空间烧孔及非线性增益的因素.在通用的传输矩阵法(TMM)的基础上，对TMM模型的输入进行向量处理，得出不同电流注入情况下两种DFB激光器的载流子密度及光子密度的轴向分布.给出了一个新的小信号动态响应模型并运用向量法进行了两种器件的动态响应分析.这个方法亦可用于其它DFB结构的分析.


. 1999 48(9): 1659-1666. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

分析了1/4相移分布反馈(QPS-DFB)激光器及三相移分布反馈(3PS-DFB)激光器的静态及动态特性.在分析中，考虑了空间烧孔及非线性增益的因素.在通用的传输矩阵法(TMM)的基础上，对TMM模型的输入进行向量处理，得出不同电流注入情况下两种DFB激光器的载流子密度及光子密度的轴向分布.给出了一个新的小信号动态响应模型并运用向量法进行了两种器件的动态响应分析.这个方法亦可用于其它DFB结构的分析.


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研究了级联三能级系统中的相位共轭极化拍频光谱术.发现其对能级差的测量精度决定于光学跃迁的均匀增宽.在符合拍频条件时，两独立光源拍频的频差可以超出激光线宽，激光绝对频率的测量精度可达到与激光线宽同一量级.


. 1999 48(9): 1667-1675. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

研究了级联三能级系统中的相位共轭极化拍频光谱术.发现其对能级差的测量精度决定于光学跃迁的均匀增宽.在符合拍频条件时，两独立光源拍频的频差可以超出激光线宽，激光绝对频率的测量精度可达到与激光线宽同一量级.


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提出制备Teflon AF/非线性光学聚合物驻极体双层膜系统来提高主客体掺杂型非线性光学聚合物驻极体中偶极分子的有序取向稳定性的设想.样品用恒压电晕充电法极化，通过测量电光效应的等温衰减监测偶极子有序取向稳定性，用开路热刺激放电、等温表面电位衰减测量等手段分析了材料的电荷动态特性.结果表明双层膜系统中偶极分子有序取向稳定性明显优于单层非线性光学聚合物驻极体，其松弛规律可用KWW扩展指数函数来描述.


. 1999 48(9): 1676-1681. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

提出制备Teflon AF/非线性光学聚合物驻极体双层膜系统来提高主客体掺杂型非线性光学聚合物驻极体中偶极分子的有序取向稳定性的设想.样品用恒压电晕充电法极化，通过测量电光效应的等温衰减监测偶极子有序取向稳定性，用开路热刺激放电、等温表面电位衰减测量等手段分析了材料的电荷动态特性.结果表明双层膜系统中偶极分子有序取向稳定性明显优于单层非线性光学聚合物驻极体，其松弛规律可用KWW扩展指数函数来描述.


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利用瞬态二维输运模型，给出了半绝缘多量子阱光学寻址空间光调制器在纵向场几何的理论分析.建立了空间电荷场分量的偏微分方程和边值方程，并通过数值方法进行了求解.在推导方程中考虑了双极、各向异性输运和带边共振激发等因素.结果表明，在小光栅间距下横向场显著影响体电荷的分布，体电荷的分布效应又强烈影响器件的分辨率和时间响应.


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利用瞬态二维输运模型，给出了半绝缘多量子阱光学寻址空间光调制器在纵向场几何的理论分析.建立了空间电荷场分量的偏微分方程和边值方程，并通过数值方法进行了求解.在推导方程中考虑了双极、各向异性输运和带边共振激发等因素.结果表明，在小光栅间距下横向场显著影响体电荷的分布，体电荷的分布效应又强烈影响器件的分辨率和时间响应.


. 1999 48(9): 1682-1690. Published 1999-09-20 ]]> 1999-05-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(9): 1682-1690. article doi:10.7498/aps.48.1682 10.7498/aps.48.1682 48 9 1999-09-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1682 1682-1690 <![CDATA[直流等离子体弧温度测量与模拟计算结果的比较]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1691

介绍在等离子体弧符合局部热力学平衡条件下，计算自由燃烧弧的温度、速度和电势场分布的方法.把计算结果与用电荷耦合器件技术的光谱法等离子体温度测量数据进行了比较，理论计算和实验结果符合得较好.


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介绍在等离子体弧符合局部热力学平衡条件下，计算自由燃烧弧的温度、速度和电势场分布的方法.把计算结果与用电荷耦合器件技术的光谱法等离子体温度测量数据进行了比较，理论计算和实验结果符合得较好.


. 1999 48(9): 1691-1700. Published 1999-09-20 ]]> 1999-05-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(9): 1691-1700. article doi:10.7498/aps.48.1691 10.7498/aps.48.1691 48 9 1999-09-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1691 1691-1700 <![CDATA[氮气辉光放电阴极鞘层重粒子输运过程研究]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1701

采用蒙特卡罗模拟对氮气辉光放电等离子体阴极鞘层内离子(N2+,N+)和快中性分子(N2f)的输运过程进行了研究，计算了阴极鞘层中离子(N2+,N+)和快中性分子的能量及角分布的空间变化，较好地解释了实验结果.得到了氮气辉光放电等离子体阴极附近主要存在着能量较低的荷能分子、密度较低的高能原子离子及密度和能量居中的分子离子.诸粒子状态随放电条件而变化.模拟结


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采用蒙特卡罗模拟对氮气辉光放电等离子体阴极鞘层内离子(N2+,N+)和快中性分子(N2f)的输运过程进行了研究，计算了阴极鞘层中离子(N2+,N+)和快中性分子的能量及角分布的空间变化，较好地解释了实验结果.得到了氮气辉光放电等离子体阴极附近主要存在着能量较低的荷能分子、密度较低的高能原子离子及密度和能量居中的分子离子.诸粒子状态随放电条件而变化.模拟结


. 1999 48(9): 1701-1708. Published 1999-09-20 ]]> 1999-05-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(9): 1701-1708. article doi:10.7498/aps.48.1701 10.7498/aps.48.1701 48 9 1999-09-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1701 1701-1708 <![CDATA[快波少数离子加热]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1709

对快波少数离子加热的机理进行了比较详细的讨论.通过射线轨迹算法对两种离子的等离子体快波加热进行了数值模拟，并给出了两种离子不同浓度比的计算结果.


. 1999 48(9): 1709-1717. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

对快波少数离子加热的机理进行了比较详细的讨论.通过射线轨迹算法对两种离子的等离子体快波加热进行了数值模拟，并给出了两种离子不同浓度比的计算结果.


. 1999 48(9): 1709-1717. Published 1999-09-20 ]]> 1999-05-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(9): 1709-1717. article doi:10.7498/aps.48.1709 10.7498/aps.48.1709 48 9 1999-09-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1709 1709-1717 <![CDATA[GaAs/SrTiO3外延半导体单晶薄膜带间跃迁研究]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1718

报道了在钙钛矿型结构的SrTiO3衬底上用分子束外延方法生长闪锌矿型结构的GaAs半导体单晶薄膜.应用光调制反射光谱和光荧光方法 ，研究了GaAs半导体薄膜的带间跃迁，并与通常的GaAs体材料特性进行了对比研究.结果表明，在钙钛矿型结构SrTiO3衬底上生长的GaAs单晶薄膜具有与单晶体材料相似的禁带与光学特性，在带间跃迁的弛豫上，外延薄膜相对体材料大了约5倍.


. 1999 48(9): 1718-1722. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

报道了在钙钛矿型结构的SrTiO3衬底上用分子束外延方法生长闪锌矿型结构的GaAs半导体单晶薄膜.应用光调制反射光谱和光荧光方法 ，研究了GaAs半导体薄膜的带间跃迁，并与通常的GaAs体材料特性进行了对比研究.结果表明，在钙钛矿型结构SrTiO3衬底上生长的GaAs单晶薄膜具有与单晶体材料相似的禁带与光学特性，在带间跃迁的弛豫上，外延薄膜相对体材料大了约5倍.


. 1999 48(9): 1718-1722. Published 1999-09-20 ]]> 1999-05-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(9): 1718-1722. article doi:10.7498/aps.48.1718 10.7498/aps.48.1718 48 9 1999-09-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1718 1718-1722 <![CDATA[恒定电场下双磁垒结构中的电子输运行为]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1723

对磁量子结构中电子在外加恒定电场下的输运性质进行了研究.分别计算了电子隧穿相同磁垒磁阱和不同磁垒磁阱构成的两种磁量子结构的传输概率和电流密度.计算结果表明，在相当宽广的非共振电子入射能区，外加电场下电子的传输概率比无电场时增加.对于电子隧穿相同磁垒磁阱构成的双磁垒结构，共振减弱；对于电子隧穿不同磁垒磁阱构成的双磁垒结构，无电场作用时的非完全共振在适当的偏置电压下转化为完全共振，这时的电子可实现理想的共振隧穿.研究同时表明，磁量子结构中存在着显著的量子尺寸效应和负微分电导.


. 1999 48(9): 1723-1732. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

对磁量子结构中电子在外加恒定电场下的输运性质进行了研究.分别计算了电子隧穿相同磁垒磁阱和不同磁垒磁阱构成的两种磁量子结构的传输概率和电流密度.计算结果表明，在相当宽广的非共振电子入射能区，外加电场下电子的传输概率比无电场时增加.对于电子隧穿相同磁垒磁阱构成的双磁垒结构，共振减弱；对于电子隧穿不同磁垒磁阱构成的双磁垒结构，无电场作用时的非完全共振在适当的偏置电压下转化为完全共振，这时的电子可实现理想的共振隧穿.研究同时表明，磁量子结构中存在着显著的量子尺寸效应和负微分电导.


. 1999 48(9): 1723-1732. Published 1999-09-20 ]]> 1999-05-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(9): 1723-1732. article doi:10.7498/aps.48.1723 10.7498/aps.48.1723 48 9 1999-09-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1723 1723-1732 <![CDATA[超晶格结构中共振劈裂的普遍性]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1733

用传输矩阵方法研究了半导体超晶格和磁垒超晶格结构中共振劈裂效应，揭示了电子隧穿两类不同超晶格结构时共振劈裂的普遍性.其劈裂的共同特征不仅取决于超晶格的构型，而且与构筑单元的几何参数有关.在磁垒超晶格结构中，劈裂的特征还与垂直于隧穿方向的动量分量有关.


. 1999 48(9): 1733-1744. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

用传输矩阵方法研究了半导体超晶格和磁垒超晶格结构中共振劈裂效应，揭示了电子隧穿两类不同超晶格结构时共振劈裂的普遍性.其劈裂的共同特征不仅取决于超晶格的构型，而且与构筑单元的几何参数有关.在磁垒超晶格结构中，劈裂的特征还与垂直于隧穿方向的动量分量有关.


. 1999 48(9): 1733-1744. Published 1999-09-20 ]]> 1999-05-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(9): 1733-1744. article doi:10.7498/aps.48.1733 10.7498/aps.48.1733 48 9 1999-09-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1733 1733-1744 <![CDATA[(113)面硅衬底上自组织生长的GeSi量子点及其光荧光]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1745

用透射电子显微镜观察了Si(113)衬底上由固态源分子束外延生长的自组织量子点的形貌，测量了其原生及退火后低温下的光荧光谱.对所得结果进行了分析.


. 1999 48(9): 1745-1750. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

用透射电子显微镜观察了Si(113)衬底上由固态源分子束外延生长的自组织量子点的形貌，测量了其原生及退火后低温下的光荧光谱.对所得结果进行了分析.


. 1999 48(9): 1745-1750. Published 1999-09-20 ]]> 1999-05-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(9): 1745-1750. article doi:10.7498/aps.48.1745 10.7498/aps.48.1745 48 9 1999-09-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1745 1745-1750 <![CDATA[Tb2Fe17-xSix单晶磁性和窄畴壁的研究]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1751

在Tb2Fe17化合物中用Si替代Fe观察到晶格参数减小和居里温度升高.平均场理论分析指出，Si对Fe的替代使Fe-Fe间的交换作用明显增强、Tb-Fe间交换作用轻微地减弱.通过拟合Tb2Fe17-xSix(x=0.0，1.0，2.0，3.0，3.3)单晶的磁化曲线，得到了化合物在不同组分和温度下的各向异性常数.在Tb2(Fe,Si)17单晶的磁化和退磁


. 1999 48(9): 1751-1759. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

在Tb2Fe17化合物中用Si替代Fe观察到晶格参数减小和居里温度升高.平均场理论分析指出，Si对Fe的替代使Fe-Fe间的交换作用明显增强、Tb-Fe间交换作用轻微地减弱.通过拟合Tb2Fe17-xSix(x=0.0，1.0，2.0，3.0，3.3)单晶的磁化曲线，得到了化合物在不同组分和温度下的各向异性常数.在Tb2(Fe,Si)17单晶的磁化和退磁


. 1999 48(9): 1751-1759. Published 1999-09-20 ]]> 1999-05-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(9): 1751-1759. article doi:10.7498/aps.48.1751 10.7498/aps.48.1751 48 9 1999-09-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1751 1751-1759 <![CDATA[VDF/TrFE铁电共聚物极化分布与退极化过程的激光强度调制方法研究]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1760

建立起激光强度调制法测量装置及其测量与数据处理方法，研究了VDF/TrFE铁电共聚物的极化分布和退极化过程.发现25μm厚的VDF(80)/TrFE(20)薄膜在距表面8μm左右薄层热电系数显示极大值，而12μm厚的则在中心处，两者的热电系数皆以两表面呈对称分布.在145℃热处理产生退极化.随着时间的增长，热电系数减小，退极化由试样的一面向另一面逐渐进行，2h后由强电场形成的极化基本消失.直流极化30μm厚的VDF(70)/TrFE(30)薄膜，热电系数分别在离两表面6，8μm处达恒定值，基本以两表面呈反


. 1999 48(9): 1760-1766. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

建立起激光强度调制法测量装置及其测量与数据处理方法，研究了VDF/TrFE铁电共聚物的极化分布和退极化过程.发现25μm厚的VDF(80)/TrFE(20)薄膜在距表面8μm左右薄层热电系数显示极大值，而12μm厚的则在中心处，两者的热电系数皆以两表面呈对称分布.在145℃热处理产生退极化.随着时间的增长，热电系数减小，退极化由试样的一面向另一面逐渐进行，2h后由强电场形成的极化基本消失.直流极化30μm厚的VDF(70)/TrFE(30)薄膜，热电系数分别在离两表面6，8μm处达恒定值，基本以两表面呈反


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报道了用分舟热蒸发研制的掺饵硫化锌薄膜器件电致发光的动态特性.运用多段式指数衰减公式与高斯函数的乘积来描述薄膜发光的瞬态过程，理论结果与实验数据十分接近，表明薄膜的陷阱能级对器件发光的弛豫效应产生了影响.


. 1999 48(9): 1767-1772. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

报道了用分舟热蒸发研制的掺饵硫化锌薄膜器件电致发光的动态特性.运用多段式指数衰减公式与高斯函数的乘积来描述薄膜发光的瞬态过程，理论结果与实验数据十分接近，表明薄膜的陷阱能级对器件发光的弛豫效应产生了影响.


. 1999 48(9): 1767-1772. Published 1999-09-20 ]]> 1999-05-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(9): 1767-1772. article doi:10.7498/aps.48.1767 10.7498/aps.48.1767 48 9 1999-09-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1767 1767-1772 <![CDATA[用溶胶-凝胶方法制备Tb3+掺杂的硅基发光材料]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1773

报道了用溶胶-凝胶方法制备Tb3+掺杂的硅基发光材料.并用荧光光谱、傅里叶变换红外光谱、原子力显微镜、差热分析和热重测定等方法研究了材料的制备规律.实验结果表明该制备方法在500℃的退火条件下即可以使Tb3+掺杂到硅基发光材料产生室温下的545nm荧光；稀土离子的掺杂浓度可任意调节，最佳浓度为5×1019/cm3；薄膜在微米量级上有较好的平整度.用该方法在改善材料的掺杂浓度、发光性能及降低材料的退火温度方面有特殊的优越


. 1999 48(9): 1773-1780. 刊出日期: 1999-09-20 ]]>

报道了用溶胶-凝胶方法制备Tb3+掺杂的硅基发光材料.并用荧光光谱、傅里叶变换红外光谱、原子力显微镜、差热分析和热重测定等方法研究了材料的制备规律.实验结果表明该制备方法在500℃的退火条件下即可以使Tb3+掺杂到硅基发光材料产生室温下的545nm荧光；稀土离子的掺杂浓度可任意调节，最佳浓度为5×1019/cm3；薄膜在微米量级上有较好的平整度.用该方法在改善材料的掺杂浓度、发光性能及降低材料的退火温度方面有特殊的优越


. 1999 48(9): 1773-1780. Published 1999-09-20 ]]> 1999-05-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(9): 1773-1780. article doi:10.7498/aps.48.1773 10.7498/aps.48.1773 48 9 1999-09-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1773 1773-1780