//m.suprmerch.com/ Acta Physica Sinica daily 15 2024-11-21 09:34:03 apsoffice@iphy.ac.cn apsoffice@iphy.ac.cn 2024-11-21 09:34:03 zh 版权所有 © 地址：北京市603信箱，《 》编辑部邮编：100190 电话：010-82649829，82649241,82649863Email：apsoffice@iphy.ac.cn 版权所有 © apsoffice@iphy.ac.cn 1000-3290 <![CDATA[一类非线性演化方程新的显式行波解]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1

借助Mathematica软件，采用三角函数法和吴文俊消元法，获得了一类非线性演化方程utt+auxx+bu+cu3=0的三组行波解，其中包括新的行波解、扭状孤波解和钟状孤波解.从而作为该方程的特例，如Duffing方，Klein-Gordon方程、Landau-Ginburg-Higgs方程和4方程等也都获得了相应的若干行波解.这种方法也适用于其他非线性方程.


. 1999 48(1): 1-5. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

借助Mathematica软件，采用三角函数法和吴文俊消元法，获得了一类非线性演化方程utt+auxx+bu+cu3=0的三组行波解，其中包括新的行波解、扭状孤波解和钟状孤波解.从而作为该方程的特例，如Duffing方，Klein-Gordon方程、Landau-Ginburg-Higgs方程和4方程等也都获得了相应的若干行波解.这种方法也适用于其他非线性方程.


. 1999 48(1): 1-5. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 1-5. article doi:10.7498/aps.48.1 10.7498/aps.48.1 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.1 1-5 <![CDATA[源具有质量多极矩的静态引力场稳定性研究]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.6

通过对具有质量多极矩的静态黑洞视界附近的Hawking辐射的研究，发现这类黑洞的存在将违背黑洞热力学定律.对这类引力场进行线性微扰，发现在尘埃物质扰动下，这类黑洞是不稳定的.故宇宙中可能不存在具有质量多极矩的静态黑洞.


. 1999 48(1): 6-9. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

通过对具有质量多极矩的静态黑洞视界附近的Hawking辐射的研究，发现这类黑洞的存在将违背黑洞热力学定律.对这类引力场进行线性微扰，发现在尘埃物质扰动下，这类黑洞是不稳定的.故宇宙中可能不存在具有质量多极矩的静态黑洞.


. 1999 48(1): 6-9. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 6-9. article doi:10.7498/aps.48.6 10.7498/aps.48.6 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.6 6-9 <![CDATA[利用混沌信号驱动实现各子系统间的同步]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.10

通过对非同参数Lorenz系统驱动模型的讨论，发现对于非同参数情况，驱动系统与响应系统间严格的混沌同步关系是不存在的，同步只具有相对的意义.同时，探讨了在混沌信号驱动下稳定系统的动力学行为，说明其输出同样是混沌的.指出利用混沌信号驱动两个非同参数的子系统，可以实现两子系统之间的混沌同步输出.给出同步条件，得出的结论在实际应用中可能具有指导意义.


. 1999 48(1): 10-15. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

通过对非同参数Lorenz系统驱动模型的讨论，发现对于非同参数情况，驱动系统与响应系统间严格的混沌同步关系是不存在的，同步只具有相对的意义.同时，探讨了在混沌信号驱动下稳定系统的动力学行为，说明其输出同样是混沌的.指出利用混沌信号驱动两个非同参数的子系统，可以实现两子系统之间的混沌同步输出.给出同步条件，得出的结论在实际应用中可能具有指导意义.


. 1999 48(1): 10-15. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 10-15. article doi:10.7498/aps.48.10 10.7498/aps.48.10 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.10 10-15 <![CDATA[燃烧合成的反应进度分布模型及硼化锆理论温度分布]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.16

估算了预混固体自蔓延层流燃烧合成(SCS)中自烧温度和着火温度时的反应进度，给出了一个更附合实际的燃烧温度和反应进度的分布模型和一个改进后的SCS能量方程，由此推导出ZrB2燃烧合成过程中的温度分布函数.该分布函数在95%的燃烧反应阶段与实验相符.分析了在高温端偏离较大的原因.


. 1999 48(1): 16-22. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

估算了预混固体自蔓延层流燃烧合成(SCS)中自烧温度和着火温度时的反应进度，给出了一个更附合实际的燃烧温度和反应进度的分布模型和一个改进后的SCS能量方程，由此推导出ZrB2燃烧合成过程中的温度分布函数.该分布函数在95%的燃烧反应阶段与实验相符.分析了在高温端偏离较大的原因.


. 1999 48(1): 16-22. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 16-22. article doi:10.7498/aps.48.16 10.7498/aps.48.16 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.16 16-22 <![CDATA[一种新的体视假彩色显微镜成像机理分析]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.23

提出一种新的体视假彩色显微镜实时显示装置；利用部分相干光成像理论，分析了该装置的体视假彩色成像机理.分析结果表明：非相干光入射时，在一定条件下，假彩色像反映了输入物函数相位变化率分布的情况.


. 1999 48(1): 23-30. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

提出一种新的体视假彩色显微镜实时显示装置；利用部分相干光成像理论，分析了该装置的体视假彩色成像机理.分析结果表明：非相干光入射时，在一定条件下，假彩色像反映了输入物函数相位变化率分布的情况.


. 1999 48(1): 23-30. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 23-30. article doi:10.7498/aps.48.23 10.7498/aps.48.23 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.23 23-30 <![CDATA[分子双轴性与向列型液晶在各向同性相的最低过冷温度]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.31

在分子场近似下，研究分子双轴性对向列型液晶在各向同性相最低过冷温度T*的影响.理论结果表明，通过考虑分子双轴性，各向同性相最低过冷温度T*与向列相—各向同性相相变温度Tc的比值向实验值靠近.当分子双轴性参数δ取到0.3时，T*/Tc达到0.9817，已很接近0.99的实验值.


. 1999 48(1): 31-35. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

在分子场近似下，研究分子双轴性对向列型液晶在各向同性相最低过冷温度T*的影响.理论结果表明，通过考虑分子双轴性，各向同性相最低过冷温度T*与向列相—各向同性相相变温度Tc的比值向实验值靠近.当分子双轴性参数δ取到0.3时，T*/Tc达到0.9817，已很接近0.99的实验值.


. 1999 48(1): 31-35. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 31-35. article doi:10.7498/aps.48.31 10.7498/aps.48.31 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.31 31-35 <![CDATA[自由电子涨落对光电截面阈值的影响]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.36

基于含温有界相对论Hartree-Fock-Slater自洽场平均原子模型，运用巨正则系综理论和最大熵原理，研究了热动平衡等离子体内自由电子涨落对离子能级的影响，比较细致地计算了热等离子体内光电截面阈值的变化情况.


. 1999 48(1): 36-43. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

基于含温有界相对论Hartree-Fock-Slater自洽场平均原子模型，运用巨正则系综理论和最大熵原理，研究了热动平衡等离子体内自由电子涨落对离子能级的影响，比较细致地计算了热等离子体内光电截面阈值的变化情况.


. 1999 48(1): 36-43. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 36-43. article doi:10.7498/aps.48.36 10.7498/aps.48.36 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.36 36-43 <![CDATA[265—285nm范围内PCl3光解机理]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.44

利用可调谐染料激光，对PCl3在265—285nm范围内的光解机理进行了研究.发现在265—285nm范围内光解PCl3所获得的荧光发射谱基本相同，但在强度上有较大差别.在389，431和488nm处观察到明显的荧光发射，这些荧光来自PCl3双光子解离产生的碎片PCl激发态的发射.其中488nm处的荧光来自PCl(A→X)的跃迁，而389和431nm处的荧光可能来自PCl的尚未报道过的一新的单重态PCl(c?→a,b)的跃迁.


. 1999 48(1): 44-48. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

利用可调谐染料激光，对PCl3在265—285nm范围内的光解机理进行了研究.发现在265—285nm范围内光解PCl3所获得的荧光发射谱基本相同，但在强度上有较大差别.在389，431和488nm处观察到明显的荧光发射，这些荧光来自PCl3双光子解离产生的碎片PCl激发态的发射.其中488nm处的荧光来自PCl(A→X)的跃迁，而389和431nm处的荧光可能来自PCl的尚未报道过的一新的单重态PCl(c?→a,b)的跃迁.


. 1999 48(1): 44-48. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 44-48. article doi:10.7498/aps.48.44 10.7498/aps.48.44 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.44 44-48 <![CDATA[依赖强度耦合Jaynes-Cummings模型中原子和场的Disentangled-states及其演化特性]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.49

分析了依赖强度耦合Jaynes-Cummings模型在初始相干光场较强的情况下(1)原子和场退耦合的条件，详细地研究了对于不同的原子初态原子和场的各种disentangled-states的确切表达式及其演化的周期性，并且用密度算符间的距离对原子和场的这些disentangled-states及其演化进行了充分的论证.


. 1999 48(1): 49-57. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

分析了依赖强度耦合Jaynes-Cummings模型在初始相干光场较强的情况下(1)原子和场退耦合的条件，详细地研究了对于不同的原子初态原子和场的各种disentangled-states的确切表达式及其演化的周期性，并且用密度算符间的距离对原子和场的这些disentangled-states及其演化进行了充分的论证.


. 1999 48(1): 49-57. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 49-57. article doi:10.7498/aps.48.49 10.7498/aps.48.49 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.49 49-57 <![CDATA[多模激光的模相关和相干模表示]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.58

对多模激光的模相关和相干模表示作了深入的理论研究.利用部分相干光理论，将与高斯-谢尔模型光束等效的多模激光表示为空间相干，并且彼此可相关模式的叠加.给出了直角坐标系下模相关系数的解析表达式.基于M2因子概念，建立了在考虑模式相关的一般情况下的多模激光模分解理论.


. 1999 48(1): 58-64. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

对多模激光的模相关和相干模表示作了深入的理论研究.利用部分相干光理论，将与高斯-谢尔模型光束等效的多模激光表示为空间相干，并且彼此可相关模式的叠加.给出了直角坐标系下模相关系数的解析表达式.基于M2因子概念，建立了在考虑模式相关的一般情况下的多模激光模分解理论.


. 1999 48(1): 58-64. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 58-64. article doi:10.7498/aps.48.58 10.7498/aps.48.58 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.58 58-64 <![CDATA[敏化离子Ce3+对Er3+∶YAG的1.6μm波长激光性能的影响]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.65

测定了Ce3+,Er3+∶YAG中Ce3+离子的吸收截面.用从能级跃迁速率方程和激光传输方程推出的表达式计算了1.6μm波长激光的阈值能量(功率)和斜率效率.表明在Ce3+,Er3+∶YAG中，Ce3+对Er3+离子的激光性能影响与激活离子Er3+的浓度、晶棒大小有关.短晶棒或浓度低的晶体加入Ce3+可降低Er


. 1999 48(1): 65-68. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

测定了Ce3+,Er3+∶YAG中Ce3+离子的吸收截面.用从能级跃迁速率方程和激光传输方程推出的表达式计算了1.6μm波长激光的阈值能量(功率)和斜率效率.表明在Ce3+,Er3+∶YAG中，Ce3+对Er3+离子的激光性能影响与激活离子Er3+的浓度、晶棒大小有关.短晶棒或浓度低的晶体加入Ce3+可降低Er


. 1999 48(1): 65-68. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 65-68. article doi:10.7498/aps.48.65 10.7498/aps.48.65 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.65 65-68 <![CDATA[有机/无机薄膜凝胶动态过程的实时光学二次谐波产生研究]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.69

采用实时光学二次谐波产生(SHG)测量方法，以两亲性分子半花菁为掺杂探针分子，对溶胶-凝胶技术制备的玻璃薄膜的凝胶干燥的动态过程进行了研究.结合紫外—可见吸收光谱的测量，发现：因两亲性分子在膜中的自取向性可诱导出二阶光学非线性，溶胶-凝胶技术制备的有机/无机复合膜的凝胶干燥过程可通过薄膜SHG强度的变化半定量地反映.凝胶干燥收缩导致有序掺杂分子数减少，膜片的光学非线性减弱.该过程随薄膜处理温度的升高而急剧缩短；另外，有机分子在膜中的聚集程度随膜片处理温度的增加而很快减少.


. 1999 48(1): 69-73. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

采用实时光学二次谐波产生(SHG)测量方法，以两亲性分子半花菁为掺杂探针分子，对溶胶-凝胶技术制备的玻璃薄膜的凝胶干燥的动态过程进行了研究.结合紫外—可见吸收光谱的测量，发现：因两亲性分子在膜中的自取向性可诱导出二阶光学非线性，溶胶-凝胶技术制备的有机/无机复合膜的凝胶干燥过程可通过薄膜SHG强度的变化半定量地反映.凝胶干燥收缩导致有序掺杂分子数减少，膜片的光学非线性减弱.该过程随薄膜处理温度的升高而急剧缩短；另外，有机分子在膜中的聚集程度随膜片处理温度的增加而很快减少.


. 1999 48(1): 69-73. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 69-73. article doi:10.7498/aps.48.69 10.7498/aps.48.69 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.69 69-73 <![CDATA[预群聚电子束发出的超辐射脉冲的推迟效应、寿命和相干条件]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.74

讨论了在Super-Reltron中预群聚电子束发出的超辐射脉冲的推迟效应、寿命和相干条件.


. 1999 48(1): 74-77. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

讨论了在Super-Reltron中预群聚电子束发出的超辐射脉冲的推迟效应、寿命和相干条件.


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分析了在等离子体中两个不同密度区的交界面附近激光场中电子的运动.导出了电子横向动量与纵向动量的相互关系的一般方程.分析发现，介质的非均匀性导致电子运动特性的重要改变.在一定条件下，这种非均匀性有利于注入电子获得加速.


. 1999 48(1): 78-85. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

分析了在等离子体中两个不同密度区的交界面附近激光场中电子的运动.导出了电子横向动量与纵向动量的相互关系的一般方程.分析发现，介质的非均匀性导致电子运动特性的重要改变.在一定条件下，这种非均匀性有利于注入电子获得加速.


. 1999 48(1): 78-85. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 78-85. article doi:10.7498/aps.48.78 10.7498/aps.48.78 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.78 78-85 <![CDATA[相对论谐波辐射对激光参数与等离子体参数的依赖特性]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.86

分析了相对论谐波辐射对入射激光参数和等离子体参数的依赖特性.结果表明：入射激光强度、脉冲宽度、脉冲形状和等离子体密度等参数对相对论谐波辐射有重要的影响.所得结果为实验提供了参考和依据.


. 1999 48(1): 86-93. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

分析了相对论谐波辐射对入射激光参数和等离子体参数的依赖特性.结果表明：入射激光强度、脉冲宽度、脉冲形状和等离子体密度等参数对相对论谐波辐射有重要的影响.所得结果为实验提供了参考和依据.


. 1999 48(1): 86-93. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 86-93. article doi:10.7498/aps.48.86 10.7498/aps.48.86 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.86 86-93 <![CDATA[甘氨酸在Cu(001)表面的吸附结构]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.94

结合低能电子衍射(LEED)及其消失斑点规律和扫描隧道显微镜(STM)手段确定了室温下甘氨酸在Cu(001)表面能形成c(2×4)和两种(2×4)吸附结构((2×4)1和(2×4)2)，并推断出在两种(2×4)结构单胞中两甘氨酸分子的羧基相对于衬底的吸附取向一致，而它们的氨基则不同.实验中还观察到c(2×4)与(2×4)2结构能相互转变成窄条相互穿插共存，这说明几种吸附结构能量相近.


. 1999 48(1): 94-101. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

结合低能电子衍射(LEED)及其消失斑点规律和扫描隧道显微镜(STM)手段确定了室温下甘氨酸在Cu(001)表面能形成c(2×4)和两种(2×4)吸附结构((2×4)1和(2×4)2)，并推断出在两种(2×4)结构单胞中两甘氨酸分子的羧基相对于衬底的吸附取向一致，而它们的氨基则不同.实验中还观察到c(2×4)与(2×4)2结构能相互转变成窄条相互穿插共存，这说明几种吸附结构能量相近.


. 1999 48(1): 94-101. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 94-101. article doi:10.7498/aps.48.94 10.7498/aps.48.94 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.94 94-101 <![CDATA[自催化沉积非晶态复合材料的组成与晶化特性研究]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.102

用自催化沉积非晶态(Ni,Cu)100-xPx+SiC复合材料，研究了复合材料的组成与晶化特性，结果表明，当x>14或者SiC体积分数小于12.8%时，复合材料即保持非晶态；时效温度达到603—618K，复合材料逐渐向晶态过渡，晶化相为fc c Ni和NiyPz，稳定组织为(Ni,Cu)P+Ni3P+SiC.较非晶态复合材料，晶态材料具有更高的力学性能.


. 1999 48(1): 102-106. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

用自催化沉积非晶态(Ni,Cu)100-xPx+SiC复合材料，研究了复合材料的组成与晶化特性，结果表明，当x>14或者SiC体积分数小于12.8%时，复合材料即保持非晶态；时效温度达到603—618K，复合材料逐渐向晶态过渡，晶化相为fc c Ni和NiyPz，稳定组织为(Ni,Cu)P+Ni3P+SiC.较非晶态复合材料，晶态材料具有更高的力学性能.


. 1999 48(1): 102-106. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 102-106. article doi:10.7498/aps.48.102 10.7498/aps.48.102 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.102 102-106 <![CDATA[金属穿晶脆性断裂统计理论]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.107

讨论了金属穿晶脆性断裂统计理论.根据穿晶裂纹和晶界作用的界面能模型及断裂非平衡统计理论框架，推导出了裂纹扩展速率、断裂强度、断裂韧性、脆性—韧性转变温度及其统计分布函数随晶粒尺度和界面能变化的公式.


. 1999 48(1): 107-113. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

讨论了金属穿晶脆性断裂统计理论.根据穿晶裂纹和晶界作用的界面能模型及断裂非平衡统计理论框架，推导出了裂纹扩展速率、断裂强度、断裂韧性、脆性—韧性转变温度及其统计分布函数随晶粒尺度和界面能变化的公式.


. 1999 48(1): 107-113. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 107-113. article doi:10.7498/aps.48.107 10.7498/aps.48.107 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.107 107-113 <![CDATA[La0.5Sr0.5CoO3薄膜的外延生长及其机理研究]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.114

利用脉冲激光制膜法，在多种衬底和温度条件下，系统研究了La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜的结构和外延生长特性，在LaAlO3,SrTiO3和MgO衬底上实现了LSCO薄膜的外延生长.外延生长的薄膜具有低的电阻率和金属性导电特征.研究表明，外延生长的最佳温度范围为700—800℃，最佳衬底为LaAlO3.并着重探讨了衬底材料和淀积温度等多种因素对LSCO薄膜的生长与性


. 1999 48(1): 114-120. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

利用脉冲激光制膜法，在多种衬底和温度条件下，系统研究了La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜的结构和外延生长特性，在LaAlO3,SrTiO3和MgO衬底上实现了LSCO薄膜的外延生长.外延生长的薄膜具有低的电阻率和金属性导电特征.研究表明，外延生长的最佳温度范围为700—800℃，最佳衬底为LaAlO3.并着重探讨了衬底材料和淀积温度等多种因素对LSCO薄膜的生长与性


. 1999 48(1): 114-120. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 114-120. article doi:10.7498/aps.48.114 10.7498/aps.48.114 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.114 114-120 <![CDATA[赝形InGaAs/InAlAs渐变异质结中的零磁场自旋分裂]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.121

在赝形渐变InGaAs/In0.52Al0.48As异质结的二维电子气中，发现了自旋方向向上的电子和自旋向下的电子在零磁场下存在着自旋分裂.利用Shubnikov-de Haas振荡研究了异质结中的自旋分裂行为，通过振荡中的拍频现象，发现了零磁场下的自旋分裂量为8.76meV.


. 1999 48(1): 121-126. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

在赝形渐变InGaAs/In0.52Al0.48As异质结的二维电子气中，发现了自旋方向向上的电子和自旋向下的电子在零磁场下存在着自旋分裂.利用Shubnikov-de Haas振荡研究了异质结中的自旋分裂行为，通过振荡中的拍频现象，发现了零磁场下的自旋分裂量为8.76meV.


. 1999 48(1): 121-126. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 121-126. article doi:10.7498/aps.48.121 10.7498/aps.48.121 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.121 121-126 <![CDATA[多层金属圆柱线中量子输运的表面和界面散射效应]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.127

考虑了量子尺寸效应以及来自杂质、粗糙表面和粗糙界面三方面的散射，运用量子统计的格林函数方法和久保公式，计算多层金属圆柱线中的各种散射电导率.计算结果表明，在杂质、表面和界面的弱散射极限下，系统总电导率等于各个子能级通道的电导率之和，而各子能级通道中杂质、表面和界面产生的散射率是可相加的.


. 1999 48(1): 127-133. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

考虑了量子尺寸效应以及来自杂质、粗糙表面和粗糙界面三方面的散射，运用量子统计的格林函数方法和久保公式，计算多层金属圆柱线中的各种散射电导率.计算结果表明，在杂质、表面和界面的弱散射极限下，系统总电导率等于各个子能级通道的电导率之和，而各子能级通道中杂质、表面和界面产生的散射率是可相加的.


. 1999 48(1): 127-133. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 127-133. article doi:10.7498/aps.48.127 10.7498/aps.48.127 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.127 127-133 <![CDATA[反应溅射a-SiCxNy∶H薄膜特性]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.134

利用射频反应溅射技术在室温下制备了氢化非晶硅碳氮薄膜(a-SiCxNy∶H)，通过红外透射谱(IR)，光吸收谱［α(λ)］，电子自旋共振谱(ESR)和电导率(σ)等测试手段，研究了薄膜的结构和光电特性.在固定甲烷流量γCH4=3%，氢气流量γH2=12%的情况下，改变氮气流量γN2=(0—14)%，综合研究了暗电导率σd<


. 1999 48(1): 134-139. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

利用射频反应溅射技术在室温下制备了氢化非晶硅碳氮薄膜(a-SiCxNy∶H)，通过红外透射谱(IR)，光吸收谱［α(λ)］，电子自旋共振谱(ESR)和电导率(σ)等测试手段，研究了薄膜的结构和光电特性.在固定甲烷流量γCH4=3%，氢气流量γH2=12%的情况下，改变氮气流量γN2=(0—14)%，综合研究了暗电导率σd<


. 1999 48(1): 134-139. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 134-139. article doi:10.7498/aps.48.134 10.7498/aps.48.134 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.134 134-139 <![CDATA[Al的能量吸收边缘和电子粒子数布居分析]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.140

给出了Al电子能量损失谱吸收边缘的理论解释、电子粒子数布居分析及不同散射分截面计算结果的比较.能量吸收边缘被归一化为每原子每电子伏的散射截面.对散射截面的贡献来自三个方面.第一是来自应用推广的Hückel带模型得到的电子从内层向价层的跃迁；第二是来自利用电子气模型得到的电离末态；第三是来自激发原子附近的原子产生的外行平面波弹性反向散射.理论计算结果与实验得到的电子能量损失谱符合较好.


. 1999 48(1): 140-147. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

给出了Al电子能量损失谱吸收边缘的理论解释、电子粒子数布居分析及不同散射分截面计算结果的比较.能量吸收边缘被归一化为每原子每电子伏的散射截面.对散射截面的贡献来自三个方面.第一是来自应用推广的Hückel带模型得到的电子从内层向价层的跃迁；第二是来自利用电子气模型得到的电离末态；第三是来自激发原子附近的原子产生的外行平面波弹性反向散射.理论计算结果与实验得到的电子能量损失谱符合较好.


. 1999 48(1): 140-147. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 140-147. article doi:10.7498/aps.48.140 10.7498/aps.48.140 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.140 140-147 <![CDATA[在工频外磁场下高温超导体的交流损耗]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.148

在工频外磁场条件下，研究了不同工艺的Bi-2223/Ag带和Cu位元素替代的YBa2Cu3-xSnxOy超导体的交流损耗.实验结果表明：在单芯Bi-2223/Ag带中，热处理时间、温度及超导芯厚度的增加都将增加Bi-2223相的含量，因而导致磁滞损耗增加.将单芯带细分成19芯Bi-2223/Ag带能减少磁滞损耗，但另一方面，超导芯间的耦合增加了银基体的涡流损耗，因此19芯带的损耗只比单芯带减少20%左右.在YBa
. 1999 48(1): 148-153. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

在工频外磁场条件下，研究了不同工艺的Bi-2223/Ag带和Cu位元素替代的YBa2Cu3-xSnxOy超导体的交流损耗.实验结果表明：在单芯Bi-2223/Ag带中，热处理时间、温度及超导芯厚度的增加都将增加Bi-2223相的含量，因而导致磁滞损耗增加.将单芯带细分成19芯Bi-2223/Ag带能减少磁滞损耗，但另一方面，超导芯间的耦合增加了银基体的涡流损耗，因此19芯带的损耗只比单芯带减少20%左右.在YBa
. 1999 48(1): 148-153. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 148-153. article doi:10.7498/aps.48.148 10.7498/aps.48.148 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.148 148-153 <![CDATA[YBa2Cu3O7-δ外延薄膜的不可逆线与磁通玻璃线]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.154

在0—10T磁场范围内，系统地测量了YBa2Cu3O7-δ外延薄膜处于磁场平行和垂直膜面两种情况下的R-T曲线和I-V曲线, 并对该样品的不可逆线和磁通玻璃线作了直接的比较.结果表明, 由不同约化电阻率判据给出的不可逆线和磁通玻璃线遵守相同的H∝(T(0)-T(H))n 关系.对于不可逆线, n=3/2，对于磁通玻璃线,n=4/3.不可逆线的位置不仅与判据有关而且与测量电流密度也有关，磁通玻璃线位于不可逆线的下方.探讨


. 1999 48(1): 154-162. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

在0—10T磁场范围内，系统地测量了YBa2Cu3O7-δ外延薄膜处于磁场平行和垂直膜面两种情况下的R-T曲线和I-V曲线, 并对该样品的不可逆线和磁通玻璃线作了直接的比较.结果表明, 由不同约化电阻率判据给出的不可逆线和磁通玻璃线遵守相同的H∝(T(0)-T(H))n 关系.对于不可逆线, n=3/2，对于磁通玻璃线,n=4/3.不可逆线的位置不仅与判据有关而且与测量电流密度也有关，磁通玻璃线位于不可逆线的下方.探讨


. 1999 48(1): 154-162. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 154-162. article doi:10.7498/aps.48.154 10.7498/aps.48.154 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.154 154-162 <![CDATA[2∶17型快淬Sm-Fe-Cu-Si-C的硬磁性]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.163

研究了Sm2Fe15Si2C和Sm2Fe14CuSi2C化合物的结构与磁性，测量了化合物的居里温度TC和饱和磁化强度Ms.通过对取向样品在磁场平行和垂直取向方向测量的磁化曲线的拟合得到了不同温度下化合物的磁晶各向异性场HA和各向异性常数K1和K2.实验结果表明，Cu的


. 1999 48(1): 163-170. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

研究了Sm2Fe15Si2C和Sm2Fe14CuSi2C化合物的结构与磁性，测量了化合物的居里温度TC和饱和磁化强度Ms.通过对取向样品在磁场平行和垂直取向方向测量的磁化曲线的拟合得到了不同温度下化合物的磁晶各向异性场HA和各向异性常数K1和K2.实验结果表明，Cu的


. 1999 48(1): 163-170. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 163-170. article doi:10.7498/aps.48.163 10.7498/aps.48.163 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.163 163-170 <![CDATA[溅射制备的Co/V多层膜微观结构特征与铁磁共振研究]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.171

研究了用射频磁控溅射方法制备的［Co(1.5nm)/V(dV)］20(0.5nm≤dV≤4nm)多层膜的结构和磁性.用X射线衍射、透射电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜等手段对其结构的分析，表明它们层状周期结构良好，沿膜的生长方向具有fcc Co(111)和bcc V(110)织构，且是由小的柱状晶粒构成的多晶薄膜.界面一定程度的合金化，使其成为成分调制周期结构，也是它们的一个结构特征.由其铁磁共振谱计算得到较小的g因子和4πMe


. 1999 48(1): 171-179. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

研究了用射频磁控溅射方法制备的［Co(1.5nm)/V(dV)］20(0.5nm≤dV≤4nm)多层膜的结构和磁性.用X射线衍射、透射电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜等手段对其结构的分析，表明它们层状周期结构良好，沿膜的生长方向具有fcc Co(111)和bcc V(110)织构，且是由小的柱状晶粒构成的多晶薄膜.界面一定程度的合金化，使其成为成分调制周期结构，也是它们的一个结构特征.由其铁磁共振谱计算得到较小的g因子和4πMe


. 1999 48(1): 171-179. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 171-179. article doi:10.7498/aps.48.171 10.7498/aps.48.171 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.171 171-179 <![CDATA[CdTe/CdZnTe多量子阱激子复合动力学性质的研究]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.180

报道了分子束外延制备的高质量CdTe/Cd0.64Zn0.36Te多量子阱结构的光学性质，由变温光致发光光谱讨论了随温度升高辐射线展宽和辐射复合效率降低的机理.在变密度激发的皮秒时间分辨光谱中，发现不同激发密度下发光衰减时间不同，并研究了它的机理.在高激发密度下观测到n=2的重空穴激子发光.


. 1999 48(1): 180-185. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

报道了分子束外延制备的高质量CdTe/Cd0.64Zn0.36Te多量子阱结构的光学性质，由变温光致发光光谱讨论了随温度升高辐射线展宽和辐射复合效率降低的机理.在变密度激发的皮秒时间分辨光谱中，发现不同激发密度下发光衰减时间不同，并研究了它的机理.在高激发密度下观测到n=2的重空穴激子发光.


. 1999 48(1): 180-185. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 180-185. article doi:10.7498/aps.48.180 10.7498/aps.48.180 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.180 180-185 <![CDATA[c(22)-(K+CO)在Co{1010}表面吸附的NEXAFS研究]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.186

对CO和K共吸附在CO{1010}表面的系统进行了O的1s NEXAFS理论研究，证实吸附分子CO的键长比气体状态时增长约0.01nm.用MSC(多重散射团簇)理论计算谱与实验结果比较发现：在原峰右侧出现了一个新的弱结构.证明了此结构是由于K通过钴衬底对CO的间接作用造成的，它具有共振的性质.


. 1999 48(1): 186-192. 刊出日期: 1999-01-20 ]]>

对CO和K共吸附在CO{1010}表面的系统进行了O的1s NEXAFS理论研究，证实吸附分子CO的键长比气体状态时增长约0.01nm.用MSC(多重散射团簇)理论计算谱与实验结果比较发现：在原峰右侧出现了一个新的弱结构.证明了此结构是由于K通过钴衬底对CO的间接作用造成的，它具有共振的性质.


. 1999 48(1): 186-192. Published 1999-01-20 ]]> 1999-01-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1999 48(1): 186-192. article doi:10.7498/aps.48.186 10.7498/aps.48.186 48 1 1999-01-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.48.186 186-192