提出并证明了一个适用于六角密堆(hcp)结构的Mbius变换公式.从晶体中原子的结合能出发，利用这个公式可以得到具有hcp结构的晶体中原子间的相互作用对势.作为例子，利用这一方法计算了镁的对势.

求解了非谐振子势V(x)=x2/2+g/2x2的本征方程，给出了精确的能谱方程和归一化波函数.应用双波函数理论，得到了在非谐振子势场中单粒子运动状态的力学量的时间演化方程.

综合考虑扩散粒子浓度n、粒子扩散限制范围Δ、扩散粒子与种粒子或团簇相遇时，反应概率P及粒子扩散步数W的影响，提出了有限步扩散反应置限聚集的分形生长模型，模拟得到一系列典型的聚集生长图形，计算了相应的分形维数.结果表明，在粒子浓度n较小时，呈离散团簇状生长；而在粒子浓度较大时，则随反应概率P或粒子扩散步数W的增大，从离散团簇状生长转变为连续枝叉状生长.

指出了在利用能谱曲线分析量子混沌现象时,除了要做能量平展外,还应对曲线参数作平展处理.通过归一能谱曲线的均方根斜率,给出了一个普适的平展参数变量的方法.另外,如能谱曲线有平均倾斜现象,在参数平展前还应做相应的能量移动使其消除.讨论了经过平展处理后的能谱曲线的曲率与Gaspard-Rice-Mikeska-Nakamura无量纲曲率公式的关系.

研究了高纯多晶铝在三角和正弦两种波形的应变控制下的疲劳过程中的超声衰减.结果表明，在小应变振幅下，影响超声衰减变化地主要是位错与点缺陷间的相互作用，波形的变化能改变点缺陷的分布，因而影响超声衰减的变化；而在大应变振幅下，位错大量增殖，对超声衰减变化起主导作用的是位错与位错间的相互作用，波形对位错增殖和位错间相互作用影响甚小.

描述了25MeV/u40Ar反应中在前角区方向测得的出射碎片的协变速度谱，提取碎片的平行动量分布宽度及其约化平行动量分布宽度，进而对出射的产物进行了分析.

采用全经典理论研究了一维氢分子离子H+2与超短强激光脉冲相互作用的动力学过程.利用经典统计方法，对激发、离解、电离和离解电离概率的时间演化进行了数值计算.并对计算结果进行了分析.

研究了电子与氖原子在10—100eV能量范围内的碰撞，给出散射从基态到n≤4各态的微分散射截面.

利用扭曲波Born交换近似方法计算了Ne+，…，Ne6+的电子碰撞电离截面，计算结果同实验和其他理论结果相一致.为满足实际应用需要，给出了高精度的拟合公式.还讨论了扭曲波Born交换近似方法对低电离度离子的适用性以及交换势的引进对计算结果的影响.

通过分子动力学方法模拟纳米面心立方晶体铜的结构，并对模拟的结果进行了不同晶粒尺寸的纳米晶体的密度、能量分布以及弛豫前后的X射线衍射、径向分布函数等计算.结果表明，大体积分数的晶界和畸变的晶粒是纳米晶体有别于传统的粗晶粒晶体材料结构的重要方面，由此导致纳米晶体一系列不同性能.

利用“跳跃模型”讨论了大调制度下光折变材料对运动干涉条纹的非静态记录过程，给出了描述运动干涉条纹非静态记录时电荷密度波前三阶分量振幅的微分方程，以及前三阶空间电荷场的解析表达式.讨论了前三阶空间电荷场振幅改变量对干涉条纹运动速度的依赖关系，若扩散场不为零但较小时，施加较小的外电场能够实现对空间电荷场高阶分量选择性地增强.若扩散场较大(大于外加电场)，则不能实现对空间电荷场高阶分量选择性地增强.

利用与不变量有关的幺正变换方法并利用数值计算，研究了光的两种模式间的一种非经典性质的转移问题：Fock态(为非经典态)与相干态的相互转换问题.

在北京同步辐射源上，对无底衬透射光栅在844eV X射线能量点的绝对衍射效率进行了实验标定，利用光栅模型，得到了光栅所有结构参数，并由此得到了透射光栅对100—2000eV能区软X射线的各级绝对衍射效率理论计算曲线.

利用半导体激光器的单模速率方程及超短光脉冲在光纤中传输的非线性薛定谔(NLS)方程，从理论及实验上研究了增益开关DFB半导体激光器出射的啁啾光脉冲在色散补偿光纤(DCF)及色散位移光纤(DSF)中的压缩过程与规律.实验上，从1.55μm增益开关DFB半导体激光器出射的重复频率为2.5GHz、脉冲宽度为53.8ps的光脉冲经色散补偿光纤压缩至12ps,而后利用色散位移光纤中的高阶孤子压缩效应将脉冲压缩至2.5ps.改变色散位移光纤参数及入射光功率后获得最窄光脉冲宽度为2.1ps.理论与实验结果符合.

用相对论哈特里-福克-斯莱特自洽场方法计算热等离子体内的原子结构和平均离化度，应用玻耳兹曼关系和熵涨落理论，对一定温度、物质密度下的热等离子体内的离子丰度作了细致的研究，给出了一种快速求解离子丰度的物理方法，研究了离子离化度、丰度的变化规律.

综述了近年来固体C60聚合理论和实验研究的最新结果，分析几种聚合途径各自的特点和共同之处.重点讨论了聚合的物理机制，指出由于聚合反应需要C60分子处于特定的相对位置，自旋指向无序是发生聚合过程的重要前提.

在深入分析BF+2注入多晶硅栅F在多晶硅栅中迁移特性的基础上，建立了F在多晶硅栅中的迁移方程.采用有限差分法，模拟了BF+2注入多晶硅栅F在多晶硅栅中的分布.模拟结果与二次离子质谱(SIMS)分析结果相符.给出了80keV，2×1015cm-2 BF+2注入多晶硅栅900℃，30min退火条件下F在多晶硅中的发射系数e=6×10
. 1998 47(4): 645-651. 刊出日期: 1998-02-05 ]]>

在深入分析BF+2注入多晶硅栅F在多晶硅栅中迁移特性的基础上，建立了F在多晶硅栅中的迁移方程.采用有限差分法，模拟了BF+2注入多晶硅栅F在多晶硅栅中的分布.模拟结果与二次离子质谱(SIMS)分析结果相符.给出了80keV，2×1015cm-2 BF+2注入多晶硅栅900℃，30min退火条件下F在多晶硅中的发射系数e=6×10
. 1998 47(4): 645-651. Published 1998-02-05 ]]> 1998-02-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1998 47(4): 645-651. article doi:10.7498/aps.47.645 10.7498/aps.47.645 47 4 1998-02-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.47.645 645-651 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.47.652

采用定域密度泛函-离散变分方法(LDF-DVM)计算了Si中掺Er的原子构型与电子特性，并计算了O共掺杂对Si中掺Er体系的原子构型与电子特性的影响.结果表明，在没有O共掺杂时，Er处于四面体间隙位置时能量最低，此时Er的5d轨道在Si的导带中引入浅的共振态.处于替代位置的Er形成能略高，Er的5d轨道在Si的导带顶附近引入了受主态.当有O存在时，体系的形成能降低，能量最低的构型是Er处于六角形间隙位置，周围有6个O，此时Er的5d轨道在Si的导带下约为0.3eV处引入杂质态.从而解释了Si中掺Er体系在

推导了四个力学模型和它们对应振动系统的内耗表达式，并给出了试样内耗值与振动系统内耗值的关系.发现对于不同的力学模型，或者说不同力学性质的材料，试样的内耗值与振动系统的内耗值有不同的关系.

选用双轴性并含有多个手征中心的分子作用势，引入手征中心分布结构因子ζχ，采用格胞模型，求得液晶SmC*相的螺距表达式和螺旋性反转条件.计算了TDOBAMBCC,FLC,PACMB和H6/10等4种典型SmC相液晶的螺距随温度的变化及其受ζχ的影响.结果与实验相符.

通过构造C60分子间的相互作用，研究了高压下及玻璃化转变温度附近固体C60的取向状态占有概率分布及再取向的弛豫行为，所得结论均能较好地解释热导率实验中的异常现象.

采用表面嵌入势，用静态计算和分子动力学方法研究了Ag,Pt,Au单个吸附原子在(110)表面上的自扩散现象.分别给出了跳跃机制和交换机制所对应的能量变化曲线及相关原子的运动轨迹，分析了这三种不同金属(110)表面上的自扩散特点，结果与分子动力学模拟及有关的实验结果相符合.

分别采用99.99%的多晶铜片和99.95%的磷脱氧铜片作为沉积金刚石薄膜的基片，通过热丝化学汽相沉积法在两种基片上都获得了大面积、自支撑的多晶金刚石膜.使用高分辨率光学显微镜、扫描电子显微镜、Raman光谱和X射线衍射比较分析了两种铜基片上的金刚石膜.脱氧铜上的金刚石膜质量并不亚于多晶铜上的金刚石膜，而且它的成核密度、生长速率以及应力都高于多晶铜上金刚石膜的同类参数.特别采用了退火工艺和优化的生长条件来获得大面积的连续金刚石膜.

利用同步辐射光电发射和铁磁共振(FMR)研究了Co/GaAs(100)界面形成以及Co超薄膜的磁性质.结果表明,在低覆盖度(约为0.2nm)下,Co吸附原子与衬底发生强烈的界面反应,在覆盖度为0.9nm时,形成稳定的界面.从衬底扩散出的Ga原子与Co覆盖层合金化,而部分As原子与Co原子发生反应,形成稳定的键合,这些反应产物都停留在界面处很窄的区域(0.3—0.4nm)内.另一部分As原子偏析在Co覆盖层表面.结合理论模型,详细地讨论了界面结构及Ga，As原子的深度分布.FMR结果表明,生长的Co超薄膜具

用纳米硅(nc-Si∶H)薄膜制成了隧道二极管，并在其I-V曲线上发现了不连续的量子化台阶.二极管的I-V曲线可分成二部分：(1)0—7V，电流随外加电压增大而增大；(2)7—9V，电流随外加电压急剧增大并出现三个量子化台阶.量子化台阶的出现直接与纳米硅中的晶粒有关，根据nc-Si∶H的独特结构，对载流子的传导通道进行了讨论；用通过nc-Si∶H中量子点的共振隧穿对I-V曲线进行了初步解释.