利用奇性流形的任意性，选用不同的展开函数及非标准截断展开于KdV方程，得到了许多用复杂隐函数表示的精确解.

利用齐次平衡法给出了一类较广泛的五阶非线性演化方程的孤波解，数学物理中著名的Kaup-Kupershmidt方程、Caudrey-Dodd-Gibbon-Sawada-Kotera方程和五阶Korteweg-de-Vries方程等都可作为该方程的特殊情形而得到相应的孤波解.

对与速度成正比的阻尼谐振子，通过正则变换，采用路径积分方法，得出了阻尼谐振子的严格波函数，还讨论了阻尼谐振子的坐标、动量的零点涨落.

通过对由三个氘原子组成的氘团簇离子(d+3)与三个分立的氘核(3d+)在轰击吸氘固体靶时所发生的D-D聚变反应率的差别的研究，进而揭示氘团簇离子在与固体靶中的氘核发生聚变反应时所体现出的团簇效应.实验结果显示，在10—40keV/d能区，每个氘团簇中的氘核(d+3/3)所产生的聚变反应率高于具有相同速度的独立氘核(d+)所产生的聚变反应率.反之，在50—100keV/d能区，独立氘核比之于氘团簇中的单个氘核所产生的聚变反应率要高.两者之间的比值具有非常明显的能量相关性.这种团簇特性与团簇离子本身特性及固体靶环境等多方面因素有关.对其作用过程和实验中观测到的现象的实质做了具体讨论.

根据Webb测得的同化作用激活元胞的Raman光谱，利用给出的α螺旋蛋白质分子体系哈密顿量及能级结构，给出了该体系Raman光谱的选择定则.

提出利用径向基函数构造广义判别函数及神经网络模型，显示了模式识别与神经网络之间的密切联系.利用此函数和模型实现了多目标的面内(二维旋转)、面外(三维空间旋转)旋转不变识别，计算机模拟表明，对于旋转不变识别这是一个很有效的方法.一个光电混合系统被提出实现此旋转不变识别方法.

研究位相正交算符在相量的q形变相干态中的压缩性质和二能级系统中粒子数-位相压缩及其不确定关系，进而得到了一些新的粒子数-位相不确定态.

利用热场动力学的方法研究了具有热噪声的相干态和压缩态中场正交分量的高阶涨落和高阶压缩.利用测量相位算符讨论了这些热化态中相位的高阶涨落.从而得到在有限温度下这些态的低阶及高阶涨落与温度的关系和压缩特性与温度的关系.由于实际的场态总是在一有限的温度下，所以讨论温度对涨落和压缩的影响是很有意义的.

针对激光间接驱动聚变,使用广义衍射积分理论,以随机位相板、部分相干光以及随机相位板加部分相干光入射的“二合一”光束均匀化方案为例，进行了详细的数值计算和分析讨论.给出了柱形腔靶注入孔以及内壁上的光强分布,所得结果对间接驱动束匀滑方案选择有参考意义.

考虑到磁场中的带电粒子在与磁场方向垂直的两个方向上的能级分离，采用玻耳兹曼统计分布，得到几个公式.说明了低温强磁场时可能出现的情况.据此说明了如何对磁流体方程给予一定的修正.

对非晶Fe78Si9B13合金进行了连续高密度超短脉冲电流处理.处理时采取两种制度：1.脉冲频率和作用时间不变，电流密度不断增加；2.电流密度和作用时间恒定，脉冲频率不断增加.用穆斯堡尔谱学等技术研究试样在电脉冲处理后的晶化结构.结果表明，随电流密度、脉冲频率不断增加，非晶的晶化形核率显著增加.

利用X射线光电子能谱研究了Au／GaP接触体系界面结构，组分随着热处理温度的变化.实验结果表明，即使在室温下金属和半导体原子间的扩散与迁移也会发生.Au/GaP接触退火时导致界面上GaP的分解并伴随着原子间快速扩散.当热处理温度升高，Au-Ga原子界面反应增强，从而生成复相结构Au-Ga金属间化合物.如Ga2 Au，GaAu等.Au/GaP接触的界面是一个含有金、半导体原子的合金再生长层.从金属学的观点对界面的特性进行了讨论.

用射频/直流磁控溅射法制备了CeO2/Nb2O5双层氧敏薄膜，利用X射线光电子能谱(XPS)，描述并解释了单层CeO2薄膜中氧随温度变化的动力学行为，以及CeO2/Nb2O5薄膜界面对氧敏特性的影响.通过对Ce3d XPS谱的高斯拟合，计算了Ce3+浓度并给出了判定Ce4+还原的标志.结果表明，界面效应可以提高CeO2/Nb2O5薄膜中Ce4+的还原能力，使之远远高于单层CeO2薄膜，这对薄膜的氧敏特性是极为有利的.

高分子的一维特性使电子激发产生显著的自陷(self-trapping)效应，两个单激子(exciton)会复合形成双激子(biexciton)，这是形成双激子的重要通道，其效率高于双光子过程.这种复合过程伴随着晶格畸变，需要了解其演变过程并确定其弛豫时间.本文利用动力学方程研究了激子-激子复合的弛豫过程，确定了它的弛豫时间为160fs，同时还研究了外电场E对复合过程的影响，结果表明，当E大于0.5MV/cm时，两个单激子不能复合成双激子，而是解离成正负双极化子.

介绍了用偏光显微镜对α-LiIO3特性的观察.研究了五种不同电极界面状态的八块晶体样品在c向静电场作用下晶体的电导、空间电荷的沉积和分布.观察到由于α-LiIO3的空间电荷的输运形成的彩色准直条纹.此彩色条纹与光折变型光栅的衍射带之间有对应关系.而不同的电极界面状态对α-LiIO3晶体的电导和离子输运有明显的影响.

研究了Fe/［NiFe/Cu］30多层膜线列阵的室温磁电阻和磁滞特性，列阵的线密度为250和500线/mm，采用激光全息光刻和离子束刻蚀技术制成.线列阵样品的磁性与刻线加工前的连续膜有明显区别.最大巨磁电阻率有增也有减，最大增量为3.32%.外场平行线轴的矫顽力有的增加有的不变.这除了因为原始连续膜层间耦合态有差异之外，还与由线列阵加工引入的单轴各向异性和其它变化相关.

针对硬磁盘驱动器中磁头定位两级伺服系统设计了一种新型压电致动器——悬臂梁式变宽度分割电极片状压电致动器.沿厚度方向极化的PZT压电陶瓷薄长片，宽度沿长度方向变化且沿长轴对称，一端固定一端自由构成悬臂梁.其上下两表面的电极均沿长轴分割成对称的两部分.施加电场使其中一半在d31模式作用下伸长，而与其对称的另一半缩短，则压电片沿宽度方向产生弯曲，自由端便可产生致动位移.对该致动器的驱动电压-端部致动位移特性进行了理论分析、有限元模拟及实验验证.致动器中的电场诱导应力远小于陶瓷的抗张强度.致动器端部位移的测试结果略大于理论计算值.与现有磁头悬浮臂尺寸相近的致动器，在20—50V的电压驱动下均可获得1—2μm的致动位移.对25kTPI(track per inch)的高道密度硬磁盘，该位移已能覆盖至少一个磁道宽度，满足磁头定位两级伺服系统对第二级致动器致动位移的基本要求.

应用固体与分子经验电子理论，在价电子结构层次，系统地研究了Ti-Al系金属间化合物的力学性能.根据该理论的基本思想，比较了相关平行电子理论由电荷密度对力学性能的处理方法，模型化了价电子结构空间分布图象，揭示了Ti-Al系金属间化合物的脆性本质.据此提出了能反映金属间化合物均匀变形能力的价电子结构对称性形因子α，表明α与塑性有很好的对应关系，并给出了其脆性判据.初步建立了价电子结构与力学性能定量的经验关系.

由于黑洞具有Hawking辐射，它对时空必有影响(所谓反作用).结合用热力学方法研究黑洞反作用问题所得结果.应用求解考虑辐射场存在时的半经典爱因斯坦场方程.得出考虑Hawking蒸发对Schwarzschild时空反作用后的静态球对称度规.由此所得一切物理结论都是自洽的.