首先从理论上提出自控制反馈耦合驱动混沌同步化方案，数值地分析了双Bragg型声光双稳系统混沌输出同步化条件，使用最大条件Lyapunov指数作为同步化判据．发现通过适当比例的耦合驱动可以使两组混沌系统达到同步的混沌输出，引入自控制反馈可以加速达到同步化的速度并减小所需的最小耦合强度，在噪声的影响下同样可以实现混沌的同步．最后做了实验验证

应用低能电子显微术对W（110）面二维氧化结构进行了初步研究．随着氧暴露量的增加，低能电子衍射图样由清洁表面（1×1）结构转变成p（2×1），再变为带有复杂衍射卫星点的p（2×2）结构．利用低能电子显微术的暗场像模式，对（00）束附近的分数衍射斑点进行了放大成像，发现表面由两种对比度相差很大的区域组成，它们就是具有不同方位取向的氧超结构畴区．两种畴区的分布与衬底表面缺陷特别是表面台阶有一定的关系，而且温度对这种钨表面的二维氧化起着重要作用

研究了最弱受约束电子势模型的散射态性质，获得了扭曲库仑波的解析解．给出了精确的按“k/2π标度”归一化的散射态波函数及相移表达式．讨论了散射振幅的解析性质，给出了束缚-连续跃迁矩阵元的解析计算公式．结果可广泛应用于处理原子的散射问题

通过分析运动三能级原子与驻波激光场的斜交相互作用，设计了两种原子干涉仪．通过对原子波在这两种干涉仪中分裂、偏转和重合等全过程的分析，证明当原子和光场满足一定条件时，原子不同内态间的干涉效应将产生．最后对利用这两种方法实现和观察原子波的干涉在理论上作了一些探讨

用局域模模型来解释甲烷的伸展和弯曲振动能谱，其中伸展振动和弯曲振动间的相互作用用费密共振项来描写，它由一个伸展振子的玻色产生（或湮没）算子和两个弯曲振子的玻色湮没（或产生）算子乘积的Td不变组合构成．这模型包含10个参数，与已发表的甲烷振动能谱的实验数据比较，得到能量的方均根偏差为12.38cm－1．

讨论用多色激光场与分子耦合来抑制局域模波包的扩散，从而将能量长时间锁定在单一化学键上以便实现选键化学的可能性．用全量子理论和半经典理论分别建立了分子振动在弱激光场和强激光场中激发和演化的模型．结果表明，多色弱场无法将布居数囚禁在局域模波包上．在强场作用下，利用强激光产生的功率加宽和波包之间的干涉，有可能将布居数囚禁在基态和局域模振动态之间

采用多光子离化谱和荧光激发谱技术，对碘分子单频和双频五光子离化谱和三光子荧光谱进行了研究和标识．对OODR五光子离化谱中一组间隔为72cm-1的振动序列进行了归属，并确定了其激发、发射和离化通道

用OBK近似和CDW近似计算了H++He+和H++Li++碰撞过程中电子俘获到激发态的分截面与俘获到基态分截面的比值，结果发现用OBK近似给出的比值和用CDW方法所给出的相应比值在高能区符合得很好．由此提出了一种用于计算高能H+与任一类氢离子碰撞的电子俘获总截面及任一激发态分截面的方法

使用高分辨平焦场谱仪，在“星光”激光器上，对类氖钛J=0—1，3p—3s跃迁32.6nm软X射线激光空间发射区域进行了实验测量，并与LASNEX和XRASER程序模拟结果作了比较．实验采用预脉冲打靶技术，预、主脉冲时间间隔5ns，峰值能量比为1%．结果表明：当驱动能量在50—150J范围内变化时，等离子体介质中X射线激光发射区与驱动能量大小密切相关，并随之增大而增大

采用双值随机电报模型描述随机频率跳变过程．考虑具体的晶格结构，计算了几种顺磁离子光子回波的非指数衰减．和Monte Carlo方法模拟的结果非常接近，同实验观察一致，几种样品的衰减形式几乎相同

对光场与窄能带晶体的强耦合体系可引进一种新型的元激发——能级激元．得出了该元激发的能谱，并分析了其一些性质

提出了用透射光谱方法测量非线性吸收系数和非线性折射率与波长的关系，理论分析结果表明这两个参数可由线性和非线性透射光谱以及调谐染料激光线型得到．用该方法研究了ZnSe薄膜在77K和室温两种温度下的光学非线性，得到了这两个温度下的非线性吸收系数和非线性折射率与波长的关系，这一结果与其他方法得到的结果相符合

报道了用溶胶凝胶技术制备掺入半花菁染料的二氧化硅薄膜．在不加电场极化条件下，由半花菁分子的自取向导致光学二次谐波产生，定量测得厚度为50nm薄膜的二阶非线性系数χ（2）为6.6pm/V，并初步研究了半花菁分子自取向的机理

研究了超短脉冲强激光在等离子体通道中传播时产生的自生磁场．利用相对论动量方程和泊松方程及安培定律得出自生磁场的一个基本公式，在此基础上解析并数值研究了通道中产生的自生磁场的特性和结构，初步探讨了超短脉冲强激光在等离子体中传播时形成的排空效应对自生磁场的影响，并分析了产生自生磁场的机制

用理论分析和粒子模拟方法对激光等离子体共振吸收的波碎过程进行了研究．讨论了温度参量对共振吸收的影响，发现在共振区域电子不但会被其在静电波势阱中的振荡加热，也会被朗道阻尼所加热；在低密度区域还存在着湍动加速机制．在一定的功率水平下，可以观察到二次波碎行为

利用实时小角中子散射实验研究了非晶态Cu12.5Ni10Zr41Ti14Be22.5合金相分离的动力学标度性质．通过对相分离过程中实时小角中子散射谱进行详细的标度分析，揭示出散射函数S（q，t）（q为散射波矢，t为时间）在相分离的早期即达到动力学标度态，从而证明动力学标度假设也适用于描述深过冷液态的相分离过程

采用等离子体化学汽相淀积技术生长a-GexSi1-x∶H薄膜，然后在800℃，105Pa下于传统开口管式炉中氧化热处理，制备嵌埋在SiO2中的nc-Ge微晶粒．利用傅里叶变换红外光谱、喇曼光谱和X射线衍射谱分析样品的微结构，研究a-GexSi1-x∶H薄膜的氧化过程中发生的化学和物理变化，并用平衡态化学反应热理论加以解释．在某些样品中观察到室温下的光致发光现象，采用Brus电

利用角度修正的嵌入原子方法研究了Cu（100），（110），（111）和（311）等8个面的弛豫，得到了与实验符合较好的结果．然后研究了Cu（100）面上的自扩散机制，得到了与实验和局域密度近似计算相符合的结论．还计算了（110）和（111）面的扩散势垒

在取向不同的CdTe衬底上用液相外延技术生长了Hg1-xCdxTe薄膜，结合金相显微镜、红外显微镜、X射线双晶衍射、红外吸收及Raman光谱等手段分析了不同邻晶面外延层的性质，结果表明，在“近平面”（衬底偏角δ＜0.1°）或“无台阶面”（δ≈1.2°）上生长的外延层的晶格质量及光学性能较好

应用自洽量子微扰理论研究了由参量α0及β0所描述的一维量子sine-Gordon模型的元激发谱，并通过玻色化技术将所得结果与Thirring模型及半满的Hubbard模型的严格解比较．研究结果表明，导出的元激发谱描述了量子孤子及反孤子的配对激发，而自洽场给出的能隙在α0＜1及4π≤β20≤8π时与严格解的结果符合较好

对硫掺杂C60薄膜样品在433K进行真空退火，并测量了其电导率随温度的变化关系．发现硫掺杂后C60薄膜的电导激活能减小，电导率显著增大．电导率随温度的变化曲线在368K到388K的范围内，存在一个电导率与温度的关系不严格遵循指数规律的过渡区，在过渡区的两侧硫掺杂的C60薄膜则表现出明显的半导体特性，这是由于在不同温度范围内样品中硫分子的结构相变所引起的

用热丝辅助化学汽相沉积技术在Si衬底上合成了含少量受主型杂质的近于本征的金刚石薄膜，并研究了三种金属（Cu，Ag和Al）与它接触的电学特性，以及退火对接触特性的影响．结果表明Cu，Ag与金刚石薄膜接触的电学特性比较类似，而Al则明显不同；而且退火对它们的接触特性影响很大

研究了退火温度为550℃的纳米晶化过程中加热速度对Fe72.7Cu1Nb2V1.8Si13.5B9与Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金磁性的影响．磁性测量结果表明，退火加热速度对这两种合金软磁性能有明显的影响，快速加热可显著提高合金的初始磁导率μi

研究了微波电子回旋共振等离子体化学汽相沉积低温氮化硅薄膜在5—106Hz频率范围内的介电性能．由于低温氮化硅薄膜为具有分形结构的纳米非晶薄膜，致使氮化硅薄膜的介电谱、损耗谱在低频区和高频区具有两种不同的分布规律．在低频区介电谱具有ε′∝ωn－11的关系，ｎ1在0.82—0.88之间，是电子跳跃导电的结果；在高频区介电谱具有ε′∝ωn-12的关系，n2在0

报道在室温下，高浓度Tm和高浓度Yb掺杂的五磷酸盐非晶在966nm半导体激光器激发下，Tm的1G4能级和4F4能级分别产生峰位在480nm波长较强的上转换蓝光发射和很强的近红外780nm荧光发射．这一荧光发射是由于Yb的2F5/2能级对966nm激光的强烈吸收，以及对Tm的相应上转换能级较强的能量传递而产生的上转换过程，Tm的浓度增大又使Tm的3F
. 1997 46(6): 1206-1211. 刊出日期: 1997-03-05 ]]>

报道在室温下，高浓度Tm和高浓度Yb掺杂的五磷酸盐非晶在966nm半导体激光器激发下，Tm的1G4能级和4F4能级分别产生峰位在480nm波长较强的上转换蓝光发射和很强的近红外780nm荧光发射．这一荧光发射是由于Yb的2F5/2能级对966nm激光的强烈吸收，以及对Tm的相应上转换能级较强的能量传递而产生的上转换过程，Tm的浓度增大又使Tm的3F
. 1997 46(6): 1206-1211. Published 1997-03-05 ]]> 1997-03-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1997 46(6): 1206-1211. article doi:10.7498/aps.46.1206 10.7498/aps.46.1206 46 6 1997-03-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.46.1206 1206-1211 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.46.1212

研究了不同颗粒尺寸的纳米Ge-SiO2镶嵌薄膜的室温荧光光谱以及不同激发光能量对荧光峰的影响．实验结果表明，沉积态Ge-SiO2薄膜样品在可见光区域不发光．退火后的样品（平均锗颗粒尺寸为3.2—6.0nm）在380—520nm波长范围内有明显的蓝光发射现象．当用λ=300nm的光激发，观测到中心波长为420nm（2.95eV）的光致荧光峰；而用633nm波长的光激发，谱图上出现中心波长分别为420和470nm的两个荧光峰．随着纳米锗颗粒尺寸的增加，光致荧光峰的相

在用等离子体增强化学汽相淀积的嵌有纳米晶粒硅薄膜中观测到电致发光．发光谱处在500—800nm之间，它有两个分别位于630—680nm和730nm附近的峰，两个峰的强度与薄膜的电导率有密切关系．根据这种材料的结构特性对载流子的传导通道进行了讨论，并且对发光机制进行了初步解释

p-型硅片上制作的多孔硅在含有强氧化剂的酸液中处于正向偏压时，可先后产生两种不同的电致发光光谱．一种是红光发射，所需的工作电压极小．随着通电时间增加，红光峰位发生蓝移．这种发光可能与量子尺寸效应有关．另一种是红光猝灭之后出现的白光发射，所需的工作电压很高．由于在酸液中红光猝灭之后，多孔层中形成了一连续的SiO2薄层，因此在高电场作用下，热电子注入该薄氧化层，从而导致白光发射

研究了冷沉积制备条件下获得的Ag-BaO薄膜在超短激光脉冲串作用下的光电发射．得到Ag-BaO薄膜的阈值光强为10W/cm2，光量子效率达10-4数量级．光电流密度与入射光强的关系主要表现为一段曲率随光强增大而逐步减小的曲线．其光量子效率是一个可变值，它的变化规律同入射光强及薄膜本身的性能有关

用非平衡热力学耦合模型计算了由CH4/H2，CO/H2和乙炔火焰等气相体系生长金刚石的相图．与经典平衡热力学理论计算结果不同的是这些相图都有一个金刚石生长区存在．相图中的金刚石生长区是实现金刚石气相生长的热力学基础，它的存在体现了超平衡氢原子等激活粒子对石墨的激活和对金刚石的稳定作用．计算的相图与报道的实验结果基本相符，因而对金刚石气相生长的理论和实验研究具有重要的指导意义

采用典型的模型合金丁二腈-0.93%水杨酸苯脂，在精确的实验条件下研究了定向凝固平界面失稳初始扰动波长λI的选择．将实验结果与M-S理论及W-L模型分别进行了系统分析和比较．发现：（1）在平界面失稳的临界点附近，λI的实验结果并不落在M-S理论所预言的波长范围内，而在明显偏离平界面失稳的条件下，λI的实验结果尽管都选择在M-S理论的波长范围内，但比该理论所预言的振幅发展速率最快的波长大数倍，这说明M-S理论未能从根本上解决λI
. 1997 46(6): 1243-1248. 刊出日期: 1997-03-05 ]]>

采用典型的模型合金丁二腈-0.93%水杨酸苯脂，在精确的实验条件下研究了定向凝固平界面失稳初始扰动波长λI的选择．将实验结果与M-S理论及W-L模型分别进行了系统分析和比较．发现：（1）在平界面失稳的临界点附近，λI的实验结果并不落在M-S理论所预言的波长范围内，而在明显偏离平界面失稳的条件下，λI的实验结果尽管都选择在M-S理论的波长范围内，但比该理论所预言的振幅发展速率最快的波长大数倍，这说明M-S理论未能从根本上解决λI
. 1997 46(6): 1243-1248. Published 1997-03-05 ]]> 1997-03-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1997 46(6): 1243-1248. article doi:10.7498/aps.46.1243 10.7498/aps.46.1243 46 6 1997-03-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.46.1243 1243-1248