讨论了一般角动量与轨道角动量的联系和区别，指出它们的联系在于SU（2）群和SO（3）群的局部性质即李代数相同（同构），它们的差别在于两群的整体性质不同．一般角动量的最小单位?/2由群的局部性质决定，亦即李代数的对易关系（相当于角动量的对易关系）决定，而轨道角动量的最小单位?由SO（3）群的整体性质决定

运用连续极限和玻色化方法讨论了Ashkin-Teler量子链的临界点，验证了其他作者给出的临界条件，并预言了Ashkin-Teler量子链可能存在新的临界点

以实验粒子的短程线方程为出发点，计算了由旋转参量与电荷参量所引起的近日点进动效应．当粒子绕行方向与场源旋转方向一致时，与Kerr场中情况相比修正项将使进动效应增大．此外，通过引入局域洛伦兹空间截面，可给出该场中运动物体上加速度．显然在随动系中（vi=0），从极轴方向和赤平面粒子均不能到达场源，而是分别停滞在r＝k＋(k2+4m2a2)1/2/2m和r=k/m处．此时可以计算对星系尘埃的吸积作用，即尘埃的分布状况．最后还讨论了赤平面上作圆周运动物体（仅v3≠0）的类柯里奥利加速度

用半经典方法建立了波包在强单色激光场中的激发和演化的一般模型．通过模拟计算表明，只要局域模振动的跃迁偶极矩远大于与之耦合的背景态的跃迁偶极矩，用强单色激光场可以长时间地选择激发分子的一个局域模振动

研制成功了一台先进的多功能用途的（e，2e）电子动量谱仪．装置采用电子束和气体束交叉碰撞方式；使用微通道板一维位置灵敏电子探测器；成功地实现了多参数数据获取和离线分析技术．利用该谱仪分别测量了氦、氩原子和氢、甲烷分子的电离能谱和电子动量谱．该谱仪的能量分辨率为ΔE=1.8eV，动量分辨率为Δp～0.15au

应用离散变分方法，计算了Na3的基态势能面，并由此得到平衡构形参数、振动频率、Jahn-Teler稳定能、Jahn-Teler局域能等，所得结果与实验符合得较好

利用磁控溅射产生金属Cu团簇，同时蒸发半导体介质CdS，将Cu团簇包埋在CdS介质中，制备出金属颗粒半导体膜．团簇大小可通过改变溅射气压控制．用TEM研究了嵌埋团簇的结构．分析表明：CdS很好地包埋了Cu团簇，都呈多晶结构；团簇尺寸在5—20nm，Cu晶格发生了膨胀，膨胀量在7%左右

计算了双原子、三原子系统共振荧光的峰值与线宽随Rabi频率变化的关系，以及受激辐射与自吸收的影响

提出一种新的等离子体脉塞系统——离子通道电子回旋脉塞（ICECM）．利用三维流体理论导出了圆轨道电子注ICECM的色散关系，发现了一种新的辐射模式——离子静电回旋-潘尼模，并通过计算获得了与这种模式对应的波的增长率

通过数值求解时空自洽的铜蒸汽激光动力学方程，详细研究了铜激光的充氢机制．少量充氢提高激光功率的原因是：1）氢具有的大热导率使管壁温度升高，铜粒子数密度增加；2）充氢增加了电子与氢的动量输运碰撞，使放电电流减小．当电源功率一定时，闸流管的功率损耗减小，输入激光管的功率增大．此外，充氢过多（大于（1—2）%氖），通过电子碰撞激发氢分子振动能级，使电子温度和电子密度下降较大，电子没有足够的能量密度激励激光能级，导致激光功率下降

以双向抽运方式为基点，提出了新的、更接近实际的多通放大计算模型与方法，系统地计算分析了共焦腔双向抽运钛宝石激光放大器的放大特性，进而采用新的放大构型完成了啁啾脉冲多通放大．将实验结果与理论计算进行了比较，两者符合得很好．这种放大器大大减少了放大次数并彻底避免了再生腔必需的诸多光电元件

提出了一种测量热激发速率与光电离常数比值的新方法，通过Ce:KNSBN单晶的双光束耦合温度特性的实验数据，计算了Ce:KNSBN该比值的温度特性．理论计算与实验结果相符

提出了一种利用单模光纤压缩波长位于光纤正常色散区的亮脉冲的新方法．即让亮脉冲与一个中心波长同样位于光纤正常色散区的强脉冲对在光纤中同时传输，在适当条件下，交叉相位调制效应会导致亮脉冲的压缩．还通过计算机模拟，对这一压缩方法进行了全面的考察和分析．发现与其它压缩方法相比，该方法不仅更实用，而且可获得更好的压缩效果

提出了中子单色化的新想法，并从理论上给出了具体的处理方法．以石墨、硅及锗为例演示了新方法的应用，并得到满意结果．将新方法与三组双晶法作了比较，二者效果相差无几，但是新方法简单易行且节省费用

讨论了在声子作用下，两能级隧道态耦合态激发和退激发规律，并用此理论解释低温低频声吸收规律

讨论了3He在液4He稀薄溶液与振动固体表面之间的横声阻抗．理论计算值与实验结果相符合

利用同步辐射光源测量Na2s二次电子部分产额谱得到Na诱导Si（111）3×1结构的近边Ｘ射线吸收精细结构（NEXAFS）谱，并用原子集团多重散射方法对几种可能的模型进行计算，与实验结果比较，认为Na/Si（111）3×1吸附结构与Mnch模型相一致．Na原子吸附在Si的顶位，Na—Si键长为0.3nm．

对不同Sb掺杂浓度Hg1-xCdxTe（x≈0.38）样品在3.9—115K的温度范围内进行了光致发光实验测量，观察到与局域激子、带到带和施主受主对有关的辐射复合过程．并用光致发光手段发现Sb掺杂在x≈0.38的Hg1-xCdxTe中引入的约30meV的受主能级

运用量子电容谱测量技术，在窄禁带半导体材料InSb和HgCdTe价带和导带中分别发现了两个共振缺陷态．根据建立的实验模型研究了这些共振缺陷态的特性

提出了新型InGaAs/GaAs应变脊形量子线结构．这种应变脊形量子线结合了非平面应变外延层中沿不同晶向能带带隙的变化、非平面生长应变层In组分的变化，以及非平面外延层厚度的变化等三方面共同形成的横向量子限制效应的综合作用．在非平面GaAs衬底上用分子束外延生长了侧面取向为（113）的脊形AlAs/In GaAs/AlAs应变量子线．用10K光致荧光谱测试了其发光性质．用Kronig-Penney模型近似计算了这种应变脊形结构所具有的横向量子限制效应，发现其光致荧光谱峰位的测试结果，与计算结果相比，有10meV的“蓝移”．认为这一跃迁能量的“蓝移”是上述三方面横向量子限制效应综合作用的结果

研究了T*相超导体（Bi，Sr）2（Y，Ce）2Cu2Oy的成相规律，发现缓冷对T*相单相样品的制备是有利的．淬火样品的主相物质为Ce2Y2O7，完全不含T*相结构．在室温到熔化温度的范围，热分析未观察到结构相变．在240—460℃，相对每个Cu原子超导体失氧约0.1个氧．氧气中烧结并缓冷到室温的样品在30K出现零电阻现象

报道了用［二苯并-18-冠（醚）-6］修饰的碱金属富勒烯作核磁共振测试的一些结果．这类碱金属富勒烯呈现的奇特物理特性，反映了材料在低于200K温度下的磁有序性及电子磁矩与核磁矩的强相互作用，使共振信号增强，亦反映了超分子化学能调控碱金属富勒烯的物理性能

将晶态相变中的唯象理论方法推广用于聚合物，说明了聚合物结构转变过程中的介电行为和空间电荷驻极体效应．晶态相变是一级结构的转变，联系着快极化介电常数εh的异常．聚合物的各种转变是二级和三级结构的转变，εh并无异常而出现慢极化介电常数倒数εl-1的抛物型软化．理论与聚丙烯的实验结果很好地符合

利用光声光谱技术对不同退火温度的纳米SrTiO3粉末进行了研究．结果表明，纳米SrTiO3粉末随退火温度升高，吸收边红移，说明能隙变窄，这与颗粒长大、晶格参数减小有关．在700nm附近出现的宽吸收带是由氧缺位俘获的电子在缺陷附加能级上的跃迁所产生的，其变化趋势强烈地依赖于颗粒尺寸

提出了量子阱系统中包括非辐射复合效应和载流子屏蔽效应在内的光生载流子瞬态复合过程的唯象模型．结果表明，荧光衰退时间与样品质量、掺杂浓度以及激发光强度有着密切的联系

对于Au/富Si-SiO2/p-Si和Au/富Si-SiO2／n+-Si这两种结构，研究并比较了它们的电致发光特性．对于前者，当正向偏压大于4V时发射红光，而加反向偏压时不发光；对于后者，加正向偏压不发光，而当反向偏压大于3.5V时发射红光．着重讨论了Au/富Si-SiO2/n+-Si的电致发光机制

从理论上分析了影响软X射线多层膜单色器能量分辨率的机制，给出了一种既能提高多层膜能量分辨率又不影响其反射率的膜材选择规则．并给出近年来在北京同步辐射装置上开展多层膜单色器应用研究的结果

应用同步辐射光电子谱（SRPES）和光致荧光（PL）方法探讨不同钝化条件对GaAs表面键合状态和电子态的影响．发现无论在酸性溶液或碱性溶液条件下，经过CH3CSNH2处理的GaAs表面S都与Ga和As成键，形成硫化物钝化层；钝化层形成后，PL谱的强度明显增强，表明GaAs表面复合中心的减少和缺陷态密度的降低

对一个由简化Hodgkin-Huxley反应扩散方程描述的可激活介质的运动进行数值计算，在一定的初始条件和边界条件下，获得了稳定的旋转波解．根据可激活介质的特点，把模型近似为一些比较简单的形式，从这些近似形式出发，对旋转波产生的原因在理论上进行了定性分析

Hawking-Unruh效应既可以看作时间尺度变换的补偿效应，又可以看作能量尺度变换的补偿效应．温度以补偿场纯规范势的形式出现，反映真空能量零点的改变．Hawking-Unruh效应是惯性效应的一部分．惯性效应起源于加速引起的真空变化