基于对氢键分子系统中质子激发和移动的特点的仔细分析，提出一个新的哈密顿函数和理论，用以研究由质子位移所导致的质子的局域性涨落和重离子子晶格的构象畸变而引起的质子的集体激发和质子传递的特性，给出了运动方程和相应的孤立子解，讨论了这些解的特征

求出了平面对称零质量标量场产生的一组引力孤波解，并讨论了这组引力孤波的奇异性和能量问题

用最可几方法对DLA模型进行了研究，求出了DLA集团粒子的最可几分布、分维数和屏蔽指数，所得结果与计算机模拟结果相符合

用于惯性约束聚变诊断的软Ｘ射线探测元器件的能量响应曲线定标，利用北京同步辐射装置（BSRF-3B1束线，束流为20—80mA，光子能量为250—1000eV,通量约为1012photon/s·mm2·mr2·0.1%band width）及反射率计靶室，采用AXUV-100硅光二极管作源强绝对监测．对X射线二极管（XRD）及金刚石光电导探测器等五种探测元件进行能量响应曲线定标，获得初步实验结果，并对数据进行了分析

量子计算机存储单元的相干脱散，破坏量子态中的信息，是量子计算机难以实现的主要原因之一．本文在Rzazewski的工作基础上，针对两能级原子构造的存储单元，研究自发发射对存储单元相干脱散的影响

利用了匀速运动的均匀等离子体中电磁场的色散关系，对电磁波与由强激光驱动的运动电离波面的相互作用过程中出现的静磁模进行了研究，发现在特定的条件下振荡电场也会在该过程中出现，并确定了振荡电场产生的条件

对电磁波在强激光驱动的运动等离子体界面上的反射和透射进行了研究，根据电磁场在等离子体界面上所满足的边界条件以及电磁场的相对论变换理论，推导出了s偏振的电磁波在该运动等离子体界面上的反射和透射系数的表达式，并对几种特殊情况进行了讨论

HT-6M托卡马克通过边界欧姆加热实现了改善约束的H模，利用中性粒子测量方法成功地研究了等离子体H模放电的中性粒子变化．观察到边界欧姆加热H模放电期间从等离子体逃逸的中性粒子比纯欧姆加热明显减少；约束改善后等离子体中心热区的中性原子密度下降，得到了反映等离子体约束改善的中性粒子特征．实验结果与其他诊断进行了比较和讨论

用扫描隧道显微镜（STM）研究了在金针尖和金样品间施加大偏压时所发生的各种不同的现象．在缓变大偏压的作用下，观察到针尖原子会发生场致扩散，导致针尖形状发生变化，并且还观察到了场发射和共振隧穿现象．提出了针尖原子的场致扩散是偏压电场使针尖表面极化引起的这一机理，并且指出了这种场致扩散在用大脉冲偏压作表面加工中起着重要的作用

近期的实验表明跳触现象（jumpto contact）很可能是摩擦的起源．所谓跳触就是当针尖和平的表面距离很近时二者会突然接触从而形成“连颈”．在用扫描隧道显微镜研究这种现象的过程中，利用电导随时间的演变曲线，我们发现扫描隧道显微镜针尖和铅（110）样品表面间的这种连颈在被拉伸到一定程度后，会自发变细直到拉断．环境温度和表面清洁度对这种自发变细过程的显著影响表明这种过程是由连颈表面铅原子的扩散引起的

用高斯型分布的独立无规参数模拟起因于热涨落等原因的格点原子无序起伏，并用对大量彼此独立的原子无序起伏方式采样取平均的方法，研究了原子无序起伏对光激发和电子转移C60的键长和格点电子密度分布的影响．得到了C60中键长和格点电子密度相对于原子无序起伏强度、额外电荷数目和种类的分布曲线．发现：1）在C60的长、短键之差等于0.0044nm，格点原子无序起伏强度为0—0.01nm时，C60中的二聚化结构仍然存在．2）在格点原子

在GdoBr∶Eu的常压和高压荧光谱实验数据基础上，对晶场能级及其重心进行了拟合计算，得到了晶场参数和自由离子参数（Slater参数和自旋轨道耦合参数）在高压下的变化情况．计算结果表明，随压力增大，晶场参数B40，B60增大，B64减小，B20，B44的变化有些起伏．晶场强度在8GPa以

采用推广的强耦合变分波函数方法，研究了在板面垂直方向施加磁场的极性晶体板内电子与体纵光学声子和表面光学声子强相互作用系统的能量和有效质量，得出了作为厚度和磁场强度函数的极化子的能量和有效质量表达式．对Cu2O材料作了数值计算，并讨论极化子的基态能、电子与声子相互作用能以及有效质量随板厚及磁场强度变化的规律

论述了自洽集团方法（SCM）与修正集团场方法（MCFM）的等价性，在SCM和MCFM的基础上，提出了一种计算临界点的新方案，并以正方格子Ising模型为例介绍这种方案的应用

研究了低温退火Co/C软X射线多层膜中掠入射反射率的增强现象．通过测量一级调制峰强度随退火温度和时间的变化，测得了低至-10-25m2s－1的有效扩散系数．由于所研究的Co/C多层膜的调制波长远大于Co-C系统的扩散临界波长，有效扩散系数近似等于真实宏观扩散系数．负的宏观扩散系数表明，在Co-C系统中有相分离的趋势．这一结果可解释为由Miedema宏观原子模型计算得到的正的Co-C系统的混合焓．高退火温度下反射率的降低是界面锐化与界面粗糙化

通过测量GeSi多量子阱的红外谱，同时观察到了相应于量子阱内重空穴基态HH1到重空穴激发态HH1、轻空穴激发态LH1和自旋分裂带SO及连续态间的跃迁吸收．测量了GeSi多量子阱探测器的正入射光电流谱，看到了明显的光响应峰．理论计算中计及了轻、重和自旋分裂带间的耦合及能带的非抛物性，并自洽考虑了哈特里势和交换相关势．与实验结果比较，认为带之间的耦合，使子带间的跃迁情况变得复杂，是正入射吸收产生的原因

讨论了SSH模型在一维有限系统上的稳定性，提出了几种稳定边界的办法，并对边界条件的作用进行了分析讨论

为了研究Nd1.85Ce0.15CuO4-δ体系中载流子的电荷性质，分别在Nd1.85Ce0.15CuO4-δ中用Ca2＋取代Nd3＋制备了Nd1.85-xCe0.15CaxCuO4-δ样品，在Nd2CuO4-δ<

磁场作用下二维Bloch电子，在非极低温情况下，电子Bloch能带的磁致裂隙对电子运动的影响将不重要，这时在准经典近似下分析霍耳漂移速率．通过数值求解，得到不同磁感应强度下波矢空间的稳定唯一周期解或稳定焦点不动解，并通过大量数值计算找出了参数空间中周期解与不动解的参数划分；进一步给出了霍耳漂移速率随磁感应强度变化过程中的突变现象．数值解的性质与Poincaré-Bendixson定理相一致

从实验和理论方面研究了闪锌矿结构ZnSe（100）表面电子结构，讨论了ZnSe（100）无再构无弛豫理想表面及其c（2×2）非二聚和二聚再构表面的结构稳定性，从中得到ZnSe（100）非二聚再构表面较理想表面和二聚再构表面稳定，支持了Farel等的实验结果，分析了ZnSe（100）理想表面与非二聚再构表面表面电子态差别，并与同步辐射光电子能谱作了对比，理论与实验符合较好

采用建立在经验赝势理论基础上的推广k·p方法及电流密度算符技术，计算了生长在Ge0.3Si0.7（001）衬底上的量子阱Ge0.3Si0.7/Si/Ge0.3Si0.7的导带电子束缚能级．详细地研究了因能谷间相互作用而引起的能级分裂情况，同时也讨论了电子束缚能级在阱平面方向上的色散关系

用不同来源的Cl-部分取代Y123相中的O，结果表明：不论以什么方式掺杂，都能获得正交相．以CuCl2方式引入的Cl-主要占据在123相的O2位置上，而以BaCl2方式引入的Cl-则主要占据在O4位置，前者引起超导电性显著的变化，而且使正常态的电导行为由金属性变为半导体性；后者虽然导致Tc下降，但Tc＞77K，且正常态的电导行为未改变，说明CuO面上的氧

对二维Ising铁磁系统中的非磁杂质，利用Monte Carlo方法，获得不同杂质浓度、不同磁场变化速率下的磁滞(?)线，从而得到滞后(?)线面积与磁场变化速率的关系．结果表明，在温度和缺陷浓度组成的相图上，存在一条相变线．低温和低浓度时，(?)线面积与磁场速率的标度指数约为1/3，只微弱地依赖于温度及杂质浓度；而对高温和高浓度的杂质，指数强烈地依赖于温度和浓度

明显构造了开边界条件下XYZ模型的Lax对，进而得到了其一般边界K矩阵

从积算符理论和实验上详细地研究了弱耦合双自旋体系（CHCl3的C-H双自旋体系）的Raman磁共振谱．对不同射频场强度及频偏的Raman谱进行了细致的理论和实验研究，表明积算符理论的计算与实验不仅在弱射频场而且在强射频场时都符合得相当好，克服了微扰论的局限，这为进一步研究复杂自旋体系的Raman谱提供了强有力的理论方法．研究还表明，小的射频频偏将有利于多量子跃迁信号的观测，而适当的射频场强则会提高多量子峰的强度

用干涉仪的方法测量了Ce:BaTiO3晶体的低频电光系数和压电系数．排除压电效应对光通过晶体引起相位的变化，得到低频下经极化的Ce:BaTiO3单晶的电光系数r42=1945±220pm/V和r13=11.8±1pm/V．从而，为研究Ce:BaTiO3晶体的光折变效应和理论计算提供了精确的线性电光系数

研究了Pd40Ni40P20合金在重力（1g）及微重力（μg）条件下凝固组织中溶质原子的分布．与重力条件相比，微重力条件下凝固的样品组织中，初生相的P含量较低，而Pｄ的含量较高；共晶区域内的平均P含量较高而平均Pｄ含量较低．深入分析初生树枝晶一次枝晶间距Ｌ与冷却率υ以及固液界面前沿液相中溶质综合输运系数D的相互关系，发现地面条件下的固液界面前沿液相中溶质综合输运系数D1g比空间的Dμg大1.7倍．

报道了微波放电法在GaAs表面与Al金属片上生长GaS薄膜．用俄歇电子能谱（AES）和卢瑟福背散射能谱（RBS）分析了薄膜的成分，X射线衍射测试了薄膜的结构．结果表明，微波放电法生长的GaS薄膜是属于六方晶系的多晶材料．此外，用椭圆偏振光谱测定了GaS薄膜的折射率以及由金属/绝缘体/金属（MIM）结构的电容值得到GaS薄膜的介电常数