研究了广义球对称带电蒸发黑洞周围的时空中Dirac粒子的Hawking辐射以及Starobinsky-Unruh过程.

讨论极端相对论量子系统的能谱问题.从给出一个典型的极端相对论系统(Lund模型)的精确解及证明一个新的维里定理这两方面来演示了动能形式对能谱的影响.

以经典电动力学分析自由电子激光辐射场,讨论辐射场的一般特性,并利用麦克斯韦方程组、波动方程、电子连续性方程以及相对论电子运动的洛伦兹力方程和能量方程一起系统地建立了自由电子激光辐射场的自洽解方法.

解析地研究了电子束的热效应对由基模群聚电子束产生的相干谐波功率的影响,并与外源预群聚电子束产生相干谐波的机制进行了比较.

用octadecyl hydrogen maleate(OHM)晶体谱仪进行了4.5nm附近如下三组共振光泵X射线激光的抽运谱线和吸收谱线对波长匹配实验研究:SiXⅡ3d—2p,4.4021nm,MgX2s—4p,4.4050nm;CuXIX4f—3d,4.7329nm,MgX2p—4d,4.7310nm;和AIXI3p—2s,4.8338nm,MgIX2s2—2s4p,4.8340nm.其中第二组线对据我们所知尚未见报道.比较并讨论了这三组线对的优缺点.

从理论和实验两方面讨论了外泵浦场存在时四能级模型的饱和吸收体激发态简并四波混频过程,结果显示外泵浦场强对激发四波混频信号强度有较大的影响,在外场由小到大的变化过程中,信号强度经历一个由小到大再到小的过程.

利用光与物质相互作用的半经典理论建立了啁啾脉冲激光放大的输运方程,数值分析了多程放大过程中自相位调制对啁啾脉冲时域特性和频域特性的影响研究结果表明,由于自相位调制引起附加频率啁啾产生,啁啾脉冲瞬时频率发生变化,放大特性受到影响.通过对增益饱和状态下自相位调制效应的研究,提出利用入射脉冲的线性频率啁啾抑制自相位调制的影响.

离散等离子体卡计测量等离子体能量,研究～0.8ns,1.05,0.53μm激光辐照Au盘靶产生的Au等离子体对激光的吸收规律.报道了吸收与激光入射角度和功率密度关系的实验结果.根据分析实验结果提出了吸收的定标规律.实验结果与一维平面等离子体模型模拟结果相符.

测得了Sr1-xBaxNb2O6(SBN)和(K1-yNay)z(Sr1-xBax)l-zNb2O6(KNSBN)晶体的Raman谱,并用群论和晶格动力学观点进行了讨论.为其掺杂改性提供了科学依据.

研究并发现在退火Ge/Fe多层膜中表面的晶化和生成化合物的温度均高于内部,并仔细探讨了Raman谱的反常,研究了在退火过程中物相变化与磁性的关系.

测量了在多孔硅形成初期阶段的电流I-电压V曲线,计算了硅表面原子吸附不同元素时电荷的转移量.指出在(单晶硅/电解液)界面处存在一电偶层,它影响着多孔硅材料的形成和性质.讨论了制备中氢氟酸(HF)浓度、电流密度和光照等因素对材料形成的影响.

运用格林函数的解析方法研究金属双层膜的电子输运.考虑了量子尺寸效应和来自杂质、粗糙表面和粗糙界面三方面的散射,计算单粒子格林函数和平行电导率,得到了金属双层膜的电导公式.计算结果表明,在薄膜极限和表面及界面散射的最低阶近似下,系统总电导率等于各子能级通道的电导率之和,而各子能级通道中杂质、表面和界面产生的散射率是可相加的.

在18—300K温度范围内,研究了用半绝缘体GaAs作为衬底的GaAs/AlGaAs多量子阱的光生电压谱.共观测到11H,11L,22H,22L,33H,33L,13H和31H等多种允许和禁戒的激子吸收峰.低温下的光生电压谱清晰地反映了多量子阱台阶式的状态密度分布.认为光生电压谱也可以作为一种判断多量子阱和超晶格外延生长质量的方法.还讨论了光生电压随温度的变化和光生电压效应的机理.

研究了非掺杂固体C60与n-Si和与p-Si接触的电学性质,电流-电压(J-V)特性测量表明两种接触的导电极性相反,且都具有很强的整流作用,表明在两种接触界面附近存在着阻挡载流子输运的、性质不同的势垒.电流-温度(J-T)测量表明,电流与温度的倒数呈指数依赖关系,从中估算出C60/n-Si和C60/p-Si异质结的有效势垒高度分别为0.30和0.48eV.引进异质结的能带模型,成功地解释了上述测量结果,由能带模型和测量数据估算出以硅为衬底的

通过吸收光电流谱的测量.观察到用国产MBE设备生长的与InP衬底晶格匹配的In-GaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性.报道了可用于波导型调制器制作的MQW样品材料的X射线双晶衍射结果,并用计算机模拟出与实测十分相似的曲线,得到了可靠的量子阱结构参数,证明样品材料具有优良的外延质量.利用等效无限深阱模型进行的理论计算表明,应考虑样品p-i-n结内建电场的影响,才能使算出的吸收边红移与实验值符合.

系统地研究了高JcBi-2223相银包套带材在0—1T磁场下的电阻转变展宽.实验结果表明,Bi-2223带材的电阻转变具有热激活的性质.研究了磁通钉扎势与温度的关系,得到电阻转变曲线的温度关系为R(T)=R0exp{-u0(1-T/Tc)n/kT},其中磁场平行于ab面时,n=4.5;磁场垂直于ab面时,n=3.在磁场平行于ab面时,耗散与Lorentz力无关,只与平行于ab面的磁场大小有关,这可

研究了颗粒平均直径由9.1—860nm范围的锂铁氧体纳米晶的磁性.它们的比饱和磁化强度σs随其颗粒尺寸减小而线性减小.测量了样品A(颗粒直径为D=860nm),样品B(D=11.8nm)和样品C(D=9.1nm)的比饱和磁化强度随温度的变化曲线σ(T)和穆斯堡尔谱.发现样品B和C的居里温度比样品A的低50℃.从样品C的σ(T)曲线看,样品C好像由二种磁相所构成.利用超顺磁和表面磁性讨论了样品C的特异磁性.

用低温湿氧氧化方法对多孔硅进行后处理,获得了光致发光强度强、发光稳定的样品,顺磁共振谱表明这种样品表面的悬挂键密度较小,通过对样品红外光谱的测试和分析,指出SiH(O3),SiH(SiO2),SiH2(O2)结构的产生是实验中多孔硅稳定性提高的原因.

测量了AlyGa1-yAs/AlxGa1-xAs量子阱激光材料的光致荧光谱.发现在室温连续激光器材料的光致荧光谱中有两个峰,而不能激射的材料中则只有一个很宽的峰.将高能峰归属于准费密能级电子的跃迁.

报道了调制掺杂的应变In0.60Ga0.40As/In0.52Al0.48As多量子阱中室温光致发光光谱.观察到n=1和2电子子带到n=1重空穴子带的强发光峰.在低温下可以观察到n=1电子子带到n=1轻空穴弱发光肩胛.通过对发光强度随激发功率及温度依赖关系以及理论模型的分析研究,认为该调制掺杂量子阱中辐射复合效率降低的主要机制是应变失配位错对载流子的陷阱作用.界面上的失配位错是陷阱的主要来源.并用静态的光致发光理论模型

用相干式自旋回波方法观察到Fe4N合金中的57Fe核磁共振谱.各向异性超精细相互作用及畴壁位移激发造成了FeⅡ的奇异核磁共振线形.

用掠入射X射线衍射法观察到钛酸铅多晶铁电薄膜表面层与体内的相变温度不同,表面层的结构参数也有异于体内;唯象地把多晶铁电薄膜抽象为一个表面层为细晶粒、低应变层,体内为粗晶粒、高应变层的两层结构,根据应力和晶粒尺寸效应对铁电相变的影响,解释了钛酸铅多晶铁电薄膜的相变特征

设计和制造了一套垂直渐冷设备以研究强磁场中的晶体生长,在强磁场和无磁场下,测量了掺碲InSb熔体及其上方的温度分布;生长了低GaSh组分的InGaSb和掺碲InSb晶体.实验表明,8.00T的强磁场能改善InGaSb混晶的质最和提高InSb晶体中Te杂质轴向分布的均匀性.分析认为,这些结果是强磁场提高流体的稳定性和降低对流的速度所致.

针对作者发明的多离子束反应共溅射技术,基于气体动力学原理,在稳恒溅射情况下,建立了多离子束多靶反应共溅射的基本模型,获得了薄膜沉积速率和薄膜成分与反应共溅射工艺参数之间的关系.该模型揭示了影响薄膜成分的本质参量.基于该模型,提出了调控溅射速率及薄膜成分的途径与方法.

系统地模拟计算了不同方位四方相ZrO2(T)椭球片分别在拉、压、剪应力诱导下发生ZrO2(T)→ZrO2(M)马氏体相变时系统应变能的变化.并用能量极小准则确定了有利的形核方位.结果表明相变中伴随较大的剪切变形将使马氏体形核呈现明显的择优取向;不同应力场诱导相变的临界应力相差很大.

结合实验中的工艺技术参数,以Pb,Ti两金属靶的反应共溅射为例,对我们提出的金属氧化物薄膜的多离子束反应共溅射模型进行数值计算,分别得出了各靶的溅射速率R,反应腔中反应气体分压p以及衬底Pb,Ti的金属单质和氧化物所占的有效面积百分比与反应共溅射中直接可调的物理量,即反应气体总量Q和溅射离子束流J的关系.计算结果表明,该模型揭示了反应溅射具有滞回效应的本质特征,反映了反应共溅射中相关参数的相互影响与相互耦合的特点,给出了薄膜中组分原子百分比及其氧化物的形态与溅射工艺的关系,指出了多离子束反应共溅射中稳恒溅