利用代数动力学方法得到了SU(1,1)(?)h(3)线性非自治量子系统的精确解及其Cartan不变算子,并发现了量子解与经典解之间的新的间接对应关系.结果还表明代数动力学方法对于这种具有非半单李代数结构的线性动力系统仍然适用.

利用代数动力学方法,分别在两种不同的规范条件下,得到了描述量子辐射场与经典流相互作用的hw(4)线性非自治量子系统在谐振子表象和相干态表象中的精确解及其Cartan不变算子,建立和澄清了量子解与经典解之间存在的直接对应的规则.结果表明代数动力学方法对于具有非半单李代数结构的线性动力系统仍然适用.

利用Einstein引力-物质系统的局域Lorentz不变性获得了相应于角动量的守恒定律.由于存在超势,总的流是自然守恒的且只依赖于标架(vierbein)最后给出两个具体而典型的实例,以说明此守恒定律的合理性.

我们指出不用分解原来的完整系统,对整个系统的一个复制系统引入合适的非线性反馈项就可以实现并完成混沌的同步化.我们以Lorenz系统为例用李雅普诺夫函数方法构造了几种反馈形式并数值地研究了这种同步化方法.

对Cl~-在银胶体系中与苯甲酸(C_6H,COOH)和对羟基苯甲酸(HOC_6H_4COOH)在银表面上的相互作用和吸附竞争进行了研究,证实了Cl~-对上述两类分子的SERS信号增强具有明显的淬灭效应.1640cm~(-1)振动所反映的Cl~-存在前后—COO~-与银表面相互作用强弱的变化,证实了Cl~-促使分子从银表面脱附这一过程的存在.同时对—OH在其中的影响作了讨论.

对非晶态Fe_9(1-x)Cu_xZr_10(x=0,4,6,8,10,15,20)合金的低温电阻率、热电势率、高温电阻率和循环退火过程中的电阻率进行测量,结果表明:样品低温电阻率在T_c.附近出现极小值,可用相干交换散射模型说明,热电势率在77—380K间为负值,可用Motts-d散射模型解释:高温电阻率与温度关系和Ziman理论不一致,是相分离的结果;可逆和不可逆结构弛豫分别与CSRO和TSRO有关

利用窄脉宽,低能量并具有一定时间间隔的两束激光脉冲驱动薄膜锗靶,获得高增益X射线激光的实验方法和结果,每束入射激光能量仅几十焦耳,脉宽100—160ps,两脉冲时间间隔35Ops,所用的靶为锗薄膜靶,其长为10mm,厚为34.0nm,实验中利用掠人射光栅谱仪观测到类氖锗3s—3PJ=0—1和J=2—1两条激光线,它们的波长分别为19.61nm和23.63nm,折射角均为12mrad,人发散用分别小于10.8mrad和17.8mrad.

采用量子理论详细地分析有损耗的分束器作为量子非破坏性测量系统时的量子态制备能力和量子光学分流能力与透射损耗和反射损耗的关系.给出当输入探测光的量子起伏为某一确定值时,要实现量子非破坏性测量分束器损耗的上限值.还讨论输人信号光不是相干态而是含有热噪声的相干信号场时,信号光的量子起伏对量子非破坏性测量的影响.

研究了对相干态(paircoherentstate)与两个二能级原子的相互作用过程中原子和场的动力学特性,并讨论了原子间的偶极相互作用对它们的影响.结果表明:辐射场的压缩以及和压缩(sumsqueezing)的幅度,出现的次数均随原子间的耦合强度的增加而迅速减小.当两个模之间的光子数差增大时,辐射场的压缩以及和压缩的幅度,出现的次数均随之减小,辐射场的两模之间的非经典相关程度减弱,模1的亚泊松分布减弱.在原子的崩溃区域,模2的亚泊松分布增强.增大q将加快原子和双模光场的能量交换.

分别研究了初始处于基态或激发态的一个二能级原子与相干态光场相互耦合的双光子Jaynes-Cummings模型中场的振幅N次方压缩特性,并讨论了其压缩度随入射光场的初始平均光子数和压缩阶数N的变化.

在KT-5C托卡马克上,采用多块组合的可偏压限制器控制等离子体边缘电场.进行了改善等离子体的边缘参数及其机制的研究.实验显示,限制器的正、负偏压都能改变等离子体电位,但正偏压更有效,能有效地建立边缘电场,进而抑制边缘扰动改善等离子体约束.利用可移动静电探针,测得正偏压期间边缘电子温度T_e(r)、电子密度n_e(r)、空间电位V_p(r)分布变陡,与计算得到的边缘粒子通量Г(a_(?))减少,整体粒子约束时间τ_p增加结果是一致的.

报道在HT-6M托卡马克用28MH_z射频源对纯氢等离子体进行二次谐波离子回旋共振(ICRF)加热的实验,实验结果表明,对1/4周短天线,当天线输入功率为300kw时,天线功率密度可达1kw/cm~2,脉冲宽度为30ms,天线负载电阻为2(?).与理论估算值较为接近.实验得到的加热效率为1.5×10~13eV·cm~(-3)/kw,并观察到在ICRF加热时引起的较强的辐射以及高能电子的产生.

根据准协德拜近似从理论上计算了金属纳米晶体的界面热力学特性,包括界面过剩能、过剩焓、过剩熵、过剩Gibbs自由能等,着重讨论了界面过剩热力学参量与界面过剩体积和温度的关系.一些实验测量结果表明,理论计算与实验结果基本相符.

用20keV的质子(H~+)注入到Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As单量子阱,经快速退火,促使势垒上的Al向量子阱内扩散,尝试制备了线宽从0.5μm到0.1μm的量子线结构.由低温(14K)下阴极射线发光谱测量,观察到量子线中发光谱峰的蓝移,并通过与理论计算比较,讨论注入区内外Al的内扩散及掩膜区边缘横向离散的影响.

研究一维分子链中的极化子,考虑了晶格动力学矩阵非对角元对声子Hamiltonian的贡献,得出与原有文献形式不同的极化子解.

介绍了宽禁带II-VI族化合物半导体ZnSe,ZnSSe和ZnCdSe外延膜及它们的超晶格的分子束外延生长.用X射线衍射法(XRD)和光致发光(PL)法分别对其结构特性和光学特性进行了研究.尤其是对超晶格样品所进行的温度变化的PL研究,得出了对于ZnSe/ZnSSe超晶格,其激子激活能(E_(?))仅为17meV,我们用ZnSe/ZnSSe导带不连续较小来解释这个结果.而对于ZnCdSe/ZnSe超晶格,其E_(?)则为41meV,这说明此类超晶格所形成的量子阱,足以对电子和空穴进行限制.这些结果为我们进

从有源RLC回路的运动方程出发,用涨落一耗散定理,研究了回路的能量涨落,电荷及电流涨落,发现低温下这些涨落是属量子力学效应,并给出了电荷、电流的测不准关系;而在温度升高时,涨落是经典的热力学涨落,量子力学效应被淹没.

利用Ising模型在无外场周期边界条件下的哈密顿量的对称性,对矩阵进行块对角化,严格求得2×2×n简单立方晶格Ising模型的解析解,对其他两种自旋集团较小的情况的热力学函数自由能进行数值计算,在数据拟合的基础上提出一种近似解.

诱导引力与爱因斯坦引力难以用目前的实验来区分.在研究诱导引力的宇宙量子场论时,通过对宇宙场的三次量子化,发现在希格斯场的真空期待值附近,即使无任何其它物质场存在,宇宙也可以从“无”(nothing)通过量子隧道过程而创生,其创生宇宙遵从Planck分布.但这种从无到有的宇宙创生过程是无法从真空经典爱因斯坦引力理论中得到的.

用自洽迭代的方法研究了顺式聚乙炔中双极化子的能谱及其附近的局域振动模.结果发现:1)在顺式聚乙炔中,双极化子的电子束缚态数目和位置仅取决于耦台参数λ和电子相互作用U,这类似于反式聚乙炔;参数t_l(消除基态二度简并)虽不能改变电子局域态的个数,但影响了双极化子附近局域模的数目.2)电子相互作用不仅使局域模的频率发生了漂移,而且增加了局域模的个数,这不同于反式,3)局域模的局域性随耦合参数λ以及电子相互作用U的增加而增强,随参数(?)的增大而减弱.

研究了DC/RF磁控溅射Fe/Mo多层膜的磁电阻特性.在反铁磁性耦合的样品中,观察到了磁电阻比率约为12%的巨磁电阻效应.当Mo层厚度改变时,还观察到了周期约为1.0—1.2nm的层间耦合振荡.另外,F/Mo多层膜的磁电阻比率不仅随Mo层厚度改变出现振荡,而且与Fe层厚度的改变也有着很强的依赖关系.

研究了赝二元立方化合物Dy(Fe_1-xGa_x)_2(x≤0.3)的磁性.观测到Ga对Fe的无序置换,导致磁性的重大改变.T>4K的磁性属于正常型,用畴壁内禀钉扎受到热激活的概念,解释了实验结果;由此导出的矫顽力随温度变化的公式(8)与实验符合得相当好.T<4K的磁性属于异常型,表现为退磁曲线有台阶和大跳跃、矫顽力随温度变化出现峰值、磁粘滞性系数与温度无关等.用畴壁隧道效应量子形核的概念,说明了实验结果,而且从理论上估算出由经典热激活到量子隧道效应的交界温度,得到的数值2.21—3.03K与实验值～3K