给出双参数变形量子Lie超代数SL_(?)(2/1)的不可约表示

给出了作任意加速运动同时又作转动的动态Kerr黑洞的辐射温度和视界面方程,视界面不再是球面.辐射温度与辐射谱分布不仅随时间变化,而且与空间方位角有关.

对于Josephson结动力系,给出一阶变分方程的解,并由此得到考虑了二阶近似的距离函数.

在变率方程的基础上解析求解了一维的包含损耗在内的光脉冲传输的正问题与逆问题,并通过数值计算加以验证.

在LiNbO_3:Fe晶体中双光束对称入射几何配置下观察到由共享光栅对多种各向异性散射光锥的增强(5—10倍),提出了由两组三波、四波混合共享光栅的六波、八波混合理论模型.理论计算与实验结果符合很好.

类晶气体是一种新的物质形态,即原子在空间中高度有序,而电子局域在各自的原子中.讨论一维类晶气体的共振荧光,发现在适当的条件下,共振荧光可呈现合作效应,并推导出共振荧光的谱结构,发现改变有关参数可以显著地改变共振荧光谱分布的特性和荧光的空间分布特性,类晶气体共振荧光的这些有趣的新特性是其它形态的物质的共振荧光所没有的.

考虑具有一相干驱动场的简单三能级原子模型,探讨该系统的色散、吸收特性,得到在强相干驱动场条件下,可导致该介质对弱探测场的透明;该三能级原子系统能够用来产生一超大折射率.

用解析方法研究了双原子与单模腔场的共振Raman相互作用过程中,双原子与腔场之间耦合常数的相对大小对原子与场的动力学特性的影响.在一般情况下,Rabi振荡出现四个不同的崩溃与回复系列,位相概率分布呈现四峰结构.对于不同的原子初态,Rabi振荡的崩溃与回复、原子与场的纯态演化以及场的位相特性有很大差异.

建立了改型wiggler自由电子激光的非线性理论,导出了自洽非线性方程组.用计算机模拟方法对改型wiggler高次谐波自由电子激光进行了分析,得到了电子在与光场相互作用,从线性调制到非线性饱和演化过程中的相空间群聚图、高次谐波的增益、抽取效率以及电子束能谱图,同时,还研究了电子束能散度对高次谐波的增益和效率的影响等.模拟结果证实了改型wiggler自由电子激光是实现短波长相干光辐射的重要途径之一.

运用高精度X射线双晶衍射议对GeSi/Si应变超晶格进行了分析研究,实验上观测到在卫星峰之间存在着干涉条纹(Pendellosung),建立了界面的随机概率模型.结合计算机模拟发现:Pendellosung条纹对界面的粗糙十分敏感,当界面粗糙度较小时,只影响Penderllosung条纹的规则排列,而当粗糙度较大时,不仅使Pendellosung条纹强度下降,规则排列受到破坏,并且还将导致高级卫星峰强度下降,峰形严重宽化.

进行T=80,300,1023K晶态和熔融态RbCI的分子动力学模拟,并对模拟结果进行了键序参数分析.模拟表明,采用Fumi-Tosi形式的两体有效势与Dixon和Sangster给出的势参数,可很好地重复EXAFS和中子散射实验结果.熔融RbCI中的键取向序,可很好地用两结构模型来描述,简单立方局部结构约占65%,正四面体占35%.通过两结构模型对径向分布函数非对称展宽、配位数、键角分布和粘度作了讨论.

采用Finnis-Sinclair类型的多体势模型,用分子动力学方法对L1_2型有序金属间化合物Cu_3Au中的单、双空位进行了计算机模拟研究.选取了空位的三种可能的迁移方式,计算了单、双空位的迁移激活能.这三种迁移方式是:最近邻空位跳跃、一组由相关的六步最近邻跳跃构成的空位循环运动和次近邻空位跳跃.计算了单空位的形成能和双空位的结合能.讨论了对扩散起主要作用的微观机制.所得计算结果与实验值符合得很好.

以文献[10]中作者系统研究离子注入Si中缺陷形成判据为基础,研究多种高能重离子的注入和退火行为,提出一种简便和有效抑制二次缺陷形成的新方法.

实验利用特制的斜面Al靶,在空间均匀辐照的高功率激光驱动下,研究了激波在不同厚度材料中的传播稳定性,对应于激光状态方程实验中通常所用的靶参数(主要指厚度)范围,给出了相应的测量结果.实验所获得的激波发光信号及d-t图,P-d图表明,冲击波在此范围内具有很好的传播稳定性.

结合Recursion方法和Dean方法在“近似球”模型下系统研究了晶粒尺寸对Si晶格振动特性的影响,讨论了晶格振动态密度中最高频率峰(主峰)随晶粒尺寸增加所表现出的峰位蓝移和峰宽变窄.通过分析态密度随晶粒尺寸的变化,发现态密度具有收敛特征:态密度在尺寸达到一定程度时变化较小.

采用内部求和d轨道处理下的线性丸盒轨道方法,对在GaAs衬底上生长的应变层越晶格(InAs)_n/(GaAs)_n(001),(n=1,2,3,4,5)的电子结构进行了第一性原理计算,得出了其能带结构、带隙值和态密度分布.本文得出的(lnAs)_1(GaAs)_1在布里渊区中各高对称点的能隙值与从头赝势方法的计算结果相一致,得出的带隙值与光致发光实验结果符合得很好.为了确定该系统的价带能量不连续值(△E_(?)),并全面考虑各因素对其的影响,本文提出一种基于自治超原胞计算及其冻结势处理下的形变势方法.该方

建立金属-绝缘体-半导体器件反型层子能带结构的势理论模型,并由此模型研究了金属-绝缘体-半导体器件红外探测器的工作机理及制作的关键.

采用紧束缚方法计算了GaAs/Ge_xSi_(1-x)(001)的电子能带结构.按GaAs的畸变势常数实验值决定紧束缚参数随键长变化的标度定律指数.计算时同时考虑由应变引起的键长和键角变化对电子能带结构的影响.计算结果表明:当衬底合金组分x<0.3时,应变GaAs层将由直接能隙结构转变成间接能隙结构.除L点导带能谷外,其它各导带底能谷的电子电导率有效质量均基本保持不变.为了使应变GaAs层仍保持较好的电学特性,衬底合金组分x最好大于或等于0.5.

利用等温原位电阻测量和热重分析等方法,深入研究Bi_(1.6)Pb_(0.4)Sr_2Ca_2Cu_3O_(10+5)超导材料在不同温度下氧气和空气中的退火行为,发现电阻率和重量均随退火时间单调增加,最后趋于平衡.同时观察到类Ca_2PbO_4杂相析出,调制结构由Pb型(波矢q=β_1b)逐渐转变为Bi型(q=β_2b+c),适量的杂相析出使T_c(0)有所增高.根据电阻率变化的规律判断,类Ca_2PbO_4杂相析出受2223母相Bi_2-O_2层中Pb~(+2)离子的二维扩散控制,求得Pb~(+2)离子

经813K温度退火后的纳米微晶Fe_(?)(CuCrV)_(9.5)Si_(13)B_8由α-Fe(Si)晶粒和晶界两种磁相组成,温度从10—8l3K的穆斯堡尔研究显示晶粒的超精细场随着温度的变化曲线上有一个转折.用超铁磁性模型进行拟合,结果表明晶界和晶粒间存在强的交换耦合作用,使晶粒的有效磁各向异性常数减小为原来的六分之一.

研究作为电致发光的加速层的SiO_2中电子的输运行为.给出SiO_2层中陷阶辅助电荷输运的理论模型,并用实验对这一模型进行了验证.认为电致发光条件下SiO_1层中的电子在低场下是以陷阱跳跃的形式输运的,而在高场下陷阱中的电子离化进入导带.

纳米GaAs颗粒通过射频磁控共溅法成功地被镶嵌在SiO_2薄膜中.通过不同基片温度下沉积的薄膜的Raman光谱观察到了明显的声子限域效应.其结果表明:当沉积时基片温度低于200℃时,X射线衍射和Raman散射均表现出非晶结构特征;当基片温度升高到300℃时,薄膜内的GaAs具有闪锌矿结构,同时其结构振动纵光学声子模对应的Raman散射峰将从非晶散射峰中分离出来,但同大块材料相比,该峰表现出明显的宽化和红移;随着沉积时的基片温度进一步提高,其宽化和红移相应地减小.