讨论了事件视界存在的条件,发现黑洞质量与宇宙因子之间存在一种制约关系,这种制约关系不但与时空维数有关,而且与黑洞蒸发的快慢有关。并给出了Klein-Gordon方程在黑洞视界附近的渐近解,得到了Hawking辐射温度和热谱公式。

胆甾相螺旋性结构的形成,分子间位置关联起十分重要的作用。采用格胞模型,导出了指向矢满足的二阶微分方程。有胆甾相解,并确定了螺距。位置关联可导致螺距随温度变化。这一理论可推广用来讨论蓝相的分子理论。

在对类氟等电子系列MgⅣ-TiⅩⅣ离子奇宇称激发态及其间的组态相互作用详细分析的基础上,利用组态相互作用的半经验方法,精确预言了pⅦ离子2P~43p组态的所有精细结构能级以及2p~43P—2p~43s,3d跃迁的谱线波长和振子强度。

从前文推出的守恒流方程和几何结构出发,研究了光束在介质中传输过程中的受力情况,并作了相应的分析力学分析,最后进行了一些简单的实例应用。

根据Pegg-Barnett的相位理论和Glauber的光场相干性的量子理论,用dressed-atom态方法,研究了理想腔中与二能级原子相互作用的相干光场的量子相位涨落、量子相干性和光子数分布的时间特性。计算结果表明:在原子与光场的共振相互作用情形,原子的作用就象一个非线性滤波器;在描述光场的非相干性方面,光场的量子相位特性与量子相干性也是并协的。

原子的相干性可导致双光子关联自发辐射激光场的压缩效应,本文利用线性理论证明抽运噪声的抑制可进一步降低光场的噪声。

用求极值方法得到激光介质最佳吸收密度的计算公式,它是纵向抽运固体激光器获得最佳输出的极值条件。由此可以计算相应的元件合适长度和输出镜合适透过率。还讨论材料的吸收对激光性能的影响,建议采用α_p~2/α_1为Q值,作为纵向抽运激光材料的品质因素。

报道四苯并卟啉锌/芳晴/有机玻璃TZT/AC/PMMA体系光化学烧孔的光谱稳定性、多重烧孔及激光诱导的填孔效应。

对如何求解描述低气压低温等离子体的基本方程提出详尽的叙述,并对某些读者提出的问题作了具体的解释。这个方法,在数学和物理上,可能具有重要的意义。

详细地讨论了托卡马克等离子体对离子迴旋波非全吸收,离子迴旋共振加热天线为三维模型的条件下,离子迴旋波与等离子体的耦合问题。与全吸收等离子体模型(或称单次吸收模型)所计算得到的结果相比,本文得到的波的驻波场的解及耦合阻抗谐振特性的理论计算结果与中小型托卡马克实验所观察到的现象更为接近。

考虑了弹性各向异性和弹光各向异性,得到了含有长程应力场的钾矾KAl(SO_4)_2·12H_2O单晶体中a螺位错的双折射端点像的强度分布,其结果与实验相符。据此,给出了估计晶体中内应力场的主应力大小和方向的方法。

以界面电化学反应动力学和离子输运动力学为基础,构造了一种多孔硅形成与结构的动态计算机模拟模型,模型中采用了电势的指数形式来表示化学反应概率。文中给出了与多孔硅的横断面透射电子显微镜(TEM)图谱和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)照片十分接近的形貌图示。

采用扫描隧道显微镜(STM)详细研究了银胶的表面结构和NaCl对其凝聚状态的影响,并与透射电子显微镜(TEM)的结果进行了比较。结果表明银胶颗粒表面原子处于有序与无序状态之间,部分原子以聚集体(如二聚体或多聚体)的形式存在,另一部分原子则处于松散状态。而且,NaCl的存在明显改变了银胶的凝聚状态,主要表现为NaCl诱导的银胶颗粒发生链状和网状凝聚。

对y切铌酸锂单晶基片镁离子内扩散后,镁的扩散层经电子探针显微分析(EPMA)表明,随着扩散深度镁离子浓度只有近似半抛物形分布,由此得到镁激活能为221kJ·mol~(-1)。探索性地分析了锂外扩散的机理,并提出了一种抑制锂外扩散的方法。对镁离子浓度分布进行了理论模拟,其结果基本上与实验符合。文中所得结果可用于铌酸锂单晶光纤芯-包层波导结构的实现,经选择适当参数(扩散温度、扩散时间、MgO膜厚度、晶纤直径)可望达到低次模传输。

对不同扩散条件的铌酸锂单晶基片进行了X射线衍射分析(XRD)和扫描电子显微镜观察(SEM)。结果表明,在扩散表面富镁层出现一新相结构,可能是由Li-Mg-Nb-O组成的三元系相结构,这一新相被认为是镁离子内扩散的真正扩散源。并对晶格发生畸变、镁离子内扩散机理以及镁的扩散层折射率变化机理进行了分析和讨论。

利用同步辐射光电子能谱研究了室温下p型InP(100)表面,由于K吸附诱发的催化氮化反应过程。对于N_2/K/InP(100)体系的P2p;In4d芯能级和价带谱的研究表明:碱金属吸附于InP(100)表面可以强烈地影响其在室温下的氮化反应,K的存在极大地提高了N_2在InP(100)表面的粘附系数。由我们的实验结果和碱金属吸附于GaAs(110),InP(110),GaP(110)表面的研究结果可知,碱金属吸附于Ⅲ-V族半导体表面后,可以极大地提高N_2在Ⅲ-V族半导体表面的粘附系数,从而促进Ⅲ-V族半

通过在超薄金属层上蒸镀C_(68)时的电阻原位测量,发现在平均厚度约一个C_(68)单层范围内样品电阻有明显可观测的变化,主要表现为电导增强,电阻变化的程度与金属层厚度有关,最多近一个数量级。这一新的现象揭示出有可能利用宏观物理性质测量来间接研究C_(68)-金属界面相互作用,从而对常规喇曼谱和各种电子谱测量的结果给出旁证和补充。

对使用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)法在不同淀积条件下制备的非晶硅(a-Si:H)、微晶硅(μc-Si:H)和纳米硅(nc-Si:H)薄膜在200—600℃温度范围进行常规退火研究。用共振核反应技术测量了样品中氢含量C_H值及退火对氢含量及其分布的影响。通过室温下对暗电导率的测量得到退火对nc-si:H薄膜电导率的影响,并与a-Si:H,μc-Si:H薄膜的退火行为作了比较。使用紫外/可见/近红外分光光度计对样品透射率进行了测量,分析计算得到了退火温度T_a与ac-Si:H薄膜光学带隙E_g~(o

对名义组份为Bi_2Sr_(2-x)□_xCuO_y(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.7,其中□为空位)的系列样品的微结构进行了研究。电子衍射的研究表明,缺Sr的Bi-2201相的调制波长随着x值的增加而明显减小。Raman散射结果则显示随着调制波长缩短,晶体的结构畸变加剧,晶格无序度增加。利用调制的晶格失配模型讨论了这种由缺Sr所造成的结构畸变行为,并由此指出在Bi系氧化物中非公度调制与晶格的有序度很可能是相关的,调制波长缩短,晶格无序度增加;反之则减小。

银为隔离层、工作频率为35GHz和模式为TE_(011)的铜谐振腔研究YBa_2Cu_3O_(7_δ)超导厚膜的毫米波表面电阻。应用电泳技术在银衬底上沉积YBa_2Cu_3O_(7_δ)厚膜,经机械加工和精细的表面抛光后作为圆柱型腔的两端面。测量两瑞面为YBa_2Cu_3O_(7_δ)厚膜的腔和铜腔的Q值,计算得到35GHz,77K温度下YBa_2Cu_3O_(7_δ)导厚膜的表面电阻R_5为21.88mΩ,低于同样条件下纯铜的值。YBa_2Cu_3O_(7_δ)从正常态经过T_c进入超导态,穿透深度的变

报道了Fe-Cu和Fe-Ag金属颗粒膜的晶体结构和磁性。电子衍射和高分辨透射电子衍射分析证实:在这些样品中铁颗粒从cu或Ag中脱溶出来而均匀分布在整个样品中。磁测量表明,当样品中铁成分较低时(x<0.25),在较高温度下,存在铁磁-超顺磁相变。基于超顺磁性理论,可以很好地解释铁颗粒有效磁矩随外磁场的变化特性,并且由此估计了铁磁颗粒的平均大小。在1.5K温度下,当样品中铁成分较低时(x<0.20),铁颗粒平均原于磁矩低于大块材料。在低温下,磁化强度对温度的依赖性测量表明,随着样品中铁成分的降低,样品磁性呈现

通过测量具有表面化学修饰的SnO_2纳米微粒的吸收光谱、激发光谱和荧光光谱:研究了量子尺寸效应和介电限域效应对其光学特性的影响,探讨了产生这些影响的物理机制。

给出了经典极限下多能谷Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体在磁场下的红外介电函数的一般解析表达式,并通过与k·P模型的结合给出了红外介电函数的半经典处理途径。通过对典型Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体材料PbTe红外介电函数的计算,讨论了能带非抛物性和载流子浓度在多能谷体系中的分布效应对红外介电函数的影响。