说明带量子位相的谐振子可以为场的量子化提供一条新的途径,重点研究这种谐振子的数学特性,即它的表示理论.讨论它的Fock空间表示(它是有限维的)和相干态表示,定义了统计学特性完全不同的两类相干态.

在三阶非线性自治电路的研究中,作者找到一种带有会聚中心的单螺旋奇怪吸引子.

利用“神光”-I激光装置输出的基频光(波长λ=1.054μm)与间接驱动激光聚变用时一种优化黑腔靶作用,获得了一个高纯度的黑腔辐射场.

用零场下Rydberg态波函数为基矢,在空间展开求得Stark能态的波函数,进而计算了K原子n=15,|m_1|=1的Stark簇在I混合区各能态自发辐射速率及环境黑体辐射引起的受激跃迁速率,讨论了Stark能级寿命与外电场强度及环境温度的关系.

用两步激发和光电离方法,在0-1500V/cm电场范围内,测定了Yb原子n=17至n=20附近.m=0和|m|=1的Stark光谱.采用数值积分方法对实验研究范围内的Stark能级结构作了计算,理论与实验结果基本符合.讨论了电场中能级的抗交叉行为及其与量子亏损的关系,并对m=0和|m|=1两种Stark能级结构的特点作了比较.

根据文献[11]中的微扰方法,利用变分原理计算了光场中基态氢原子的能级.同高频近似给出的非微扰结果相比符合得较好,同高频近似不同,现在的方法能同时并解析地给出能量本征值和波函数

采用我们的“快速”扭曲波方法和程序MCDW(9),计算了类氖Ce~(22+)27个精细能级之间351个过程的激发截面,并且与其它理论值进行了比较.结果表明:碰撞强度大的过程一般符合在10%左右.但是由于组态混合导致跃迁矩阵元严重抵消而变成为相对小的过程以及激发能很小的光学禁戒(电偶极振子强度为零)过程,其截面(或碰撞强度)对模型细节敏感,不同作者计算差别较大.

通过严格求解广义协变的光子运动的测地线方程,讨论了准静态时一线等温膨胀的自洽激光等离子体中光子的运动.用数值方法得到了光子速度的空间分布曲线.

采用量子理论研究V型和A型双模关联发射激光(CEL).V型原子的两高能级具有相干性,A型原子的两低能级具有相干性.结果表明,V型和A型CEL不但能够呈现双模无反转激光,而且双模无反转激光的相对相位和相对振幅的量子噪声能够被抑制到真空态水平.

用流体理论研究了等离子体背景对电磁泵浦自由电子激光的影响,得到了激光的色散关系式,求出了不稳定性增长率的表达式.结果表明,等离子体背景的存在能够明显提高激光的增长率,从而说明在电磁泵浦自由电子激光器中加入等离子体背景具有现实意义.

对InGaAsP半导体激活层中的近简并四波混频进行了理论分析和数值计算.实验观察了在工作波长为1.53μm的InGaAsP分布反馈(DFB)半导体激光器和外色散腔(EDC)半导体激光器中的近简并回波混频.观察到了透射增益对频率失谐的明显的不对称性.实验结果证实了载流子寿命应为～200—300ps.

提出一种新型的光控光开关,以532nm脉冲激光入射金属-类卟啉有机材料,强激发态吸收导致瞬态透镜效应,使同时通过介质的632.8nm激光实现光开关,实验演示了开关特性,开启和关闭时间均为100ns.还演示了激发态吸收和非线性折射两种效应共同作用的单光束光限幅.对上述两种基于非线性折射效应的器件特性进行了理论分析.

报道在垂直激励下颗粒物质的表面孤立于波形隆起及内部的对流分布的实验观察.通过分析,得到一种不同干以往依赖于水平方向边界制约的但却类似于浅水表面波的新的形成机制.

利用X射线双晶衍射,测量了经过800—1100℃快速退火处理的重掺硼的分子束外延硅中的应变情况,发现应变部分弛豫.并得出外延层与衬底硅的晶格失配与替位硼浓度(7.5×10~(29)—3.1×10~(20)cm~(-3)成正比,比例系数β为5.1.在此测量基础上,提出硼团簇的形成与分解是外延展晶格质量与电学性质变化的主要原因.

提出采用移动加热器(THM)法在稳态条件下生长碲镉汞晶体的理论模型.该模型利用与时间相关的一维物质扩散方程组,熔区自由边界通过考虑相图来确定,没有考虑对流的影响.给出了x=0.2时碲镉汞晶体生长过程的数值解.结果表明,在生长初始阶段,生成晶体的组分是不均匀的,其长度与生长条件如熔区长度、加热器移动速度、温场分布等因素有关,在初始阶段过后,生成晶体的组分接近多晶料的组分.

室温~4He~+辐照Fet_(11)B_(?)Si_3,Cr_2和Ni_(?)B_(?)Si_5非晶态合金,利用扫描电子显微镜(SEM)观测表面形貌随辐照参数的变化,同时给出表面形变,即发泡或层离的临界剂量范围,以及发泡直径分布算实验结果.

在方格形、圆形和四边星形复合介质导电性的严格数值解基础上,分析和研究了这三种几何形态在渗流阈值附近的导电特性,并求得了它们的导电临界指数,分别为0.356,0.675和0.209.它们不仅在数值上较之分立网络系统的导电临界指数有相当大的差别,而且没有普适性.建议用文中的(3)和(12)式概括两元性和非两元性复合材料的有效电导率.引进了作为复合介质微结构函数的幂指数m,并证明临界指数等于临界幂指数的倒数,它的数值完全由复合介质的几何形态所决定.

在不同温度和磁场下测量了熔融织构YBa_2Cu_3O_y块材的磁衰减和磁滞回线.在20K
. 1995 44(3): 460-470. 刊出日期: 1995-03-20 ]]>

在不同温度和磁场下测量了熔融织构YBa_2Cu_3O_y块材的磁衰减和磁滞回线.在20K
. 1995 44(3): 460-470. Published 1995-03-20 ]]> 1995-02-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1995 44(3): 460-470. article doi:10.7498/aps.44.460 10.7498/aps.44.460 44 3 1995-03-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.44.460 460-470 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.44.471

利用低能轻离子在固体中的输运量可近似由离子标度输运截面单值描述这一标度特性,取得了计算低能轻离子在重靶中射程分布的普适公式,具体地,在用离子输运双群模型计算得到射程分布前四阶矩后,建立这些与标度输运截面之间的近似单值对应关系,在此基础上,拟合得到计算射程分布的前四阶矩以及射程分布的公式.通过与实验值和MonteCarlo计算结果的比较,检验了本文给出的普适公式.利用本文的结果可以较好描述低能轻离子在固体中的射程分布,同时又有很高的计算效率.

用基于两体碰撞近似的动态蒙特-卡罗模拟方法和Boltzmann输运方程近似解法,研究注入离子在无定形固体靶中投影射程分布的统计特性.讨论注入物理参数对表征射程统计分布的平均投影射程、分布的标准偏差、偏度和峰度等的影响.计算结果与有关实验数据比较符合得较好.

用单温度梯度气相法生长了线度达1.1mm的C_(70)单晶.经外形和四圆X射线衍射分析,在室温下,C_(70).单晶为理想的hcp结构,晶格常数分别为a=b=1.0615nm,c=1.7246nm,c/a=1.625.

Fe/Cu(110)表面CO吸附HREELS和ARUPS研究

研究了一类动态黑洞视界附近的粒子能级交错.给出了交错能级最大值的表达式.所得结果覆盖了所有巳知的动态黑洞的结果对于动态非球对称黑洞,其非热辐射的频率范围不仅依赖于时间,而且依赖于角度,这是新的结果.