利用自旋1/2XXZ量子链与Sine-Gordon模型的等价性,在高斯有效势方法下,引入大动量截断因子,分析Sine-Gordon模型的相图,得到XXZ量子链的零质量区,并与精确解进行了比较和讨论.

用扭曲波方法计算Al~(10+)基态在Is~22s的Is,2s电子和第一激发态Is~22p的2p电子的电离截面以及基态的总电离截面(包括内壳层激发自电离).入射电子能量(?)(即(?)以2s电离能I_(2s)为单位)为1.05,1.125,l.25,1.5,2.25,4……同时计算出了电离阈值以下的激发截面(乘以所谓态密度),实现了在电离阈值处与阈值以上电离能量微分截面光滑联接;计算了光电离截面积分值,实现了在入射电子能量趋于无穷时与电子碰撞电离截面衔接.计算结果与其他方法进行了比较.

双电子复合是一种共振辐射复合过程,在这一过程中,一个具有特定能量的自由电子与电离度为q的离子A~(+q)碰撞,形成有两个电子激发的自电离态n_(?)l_(?)nl,该自电离态进一步发射光子,复合成A~(+(q-1))离子,一系列n(?)l_(?)nl自电离态(n_(?)l_(?)l固定,n从有限到无限变化)形成一个通道,本文在相对论单组态理论基础上,具体探讨了类氦铁离子(3s_(1/2)~nP_(1/2))J=(?)通道中,双电子复合速率随n的变化规律,根据本文得到的规律,可以很方便地计算任意离子的任意一

在玻恩近似下,建立了高能电子与原子、离于非弹性碰撞过程的相对论性理论计算方法,并以类Li等电子系列为例,阐明了电子与原子、离子非弹性碰撞过程的相对论效应.它包括:1.靶原子的相对论效应,它随原子序数的增加而增大.低z靶(如Li)的相对论效应可以忽略;对Au~(+76)靶的2_3—3p跃迁,广义振子强度相对论性计算值比相应的非相对论性值小27.1%.2.入射电子的相对论效应,它随入射电子能量的增加而增大.对高能入射电子,在特殊角度,要考虑广义振子强度横场项对微分截面的影响.在极端相对论情况下,如入射电子动能

应用多重散射自治场理论对钴原子团簇(N=3—13)的电子结构进行了理论研究.通过电离阈值在不同构型、不同组态的理论值与实验值的对比,初步探讨了合适的电子组态及团簇构型.根据电子组态的局域3d价电子布局,发现钴团簇的平均原子磁矩,总体来说随原子数增加而下降.根据团簇构型,推测了钴原子团簇的稳定性及多种生长方式.

建立了一个比较完整的、周性性自洽的充氢溴化亚铜激光动力学模型,获得了激光工作物质粒子数、激光光强、电子温度、电子密度等一系列参量的时空分布与变化,并与实验值作了比较.

从单粒子模型理论出发,对考虑空间电荷的自由电子激光进行了分析,并提出了迭代计算方法,计算结果表明,自由电子激光中三波耦合的一次迭代解与已有结果一致,二次迭代解显示了空间电荷波有更复杂的结构.

对非线性折射率慢弛豫介质的Z扫描理论进行了详细推导,得到了透射光场的表达式.分析表明:对于慢弛豫介质,其Z扫描过程也是非线性折射的累积过程.实验结果与理论分析一致.

波长为532nm、主脉冲脉宽为55ps、重复频率为82MHz的激光脉冲列在掺Ce的KNSBN晶体中进行二波耦合.当探测脉冲(倒空脉冲)相对于泵浦脉冲有一定时间延迟时,泵浦脉冲发生整形.整形效果随入射总光强的增大而变得越来越明显.实验结果与理论符合很好.

在平均离子模型的基础上,发展了一个计算离子组态概率分布的有效方法,称为统计方法.根据激光靶耦合程序模拟给出腔靶等离子体状态条件,研究1.06μm激光金等离子体的非平衡离子组态分布和X射线发射谱特性.得到与实验谱相同的能带范围,并得出在激光等离子体中多电子同时处于激发态的离子组态对X射线发射的贡献不能忽略的结论.

就电子在等离子体中被驻波随机加速的可能性和条件进行了分析和数值计算.分析结果表明:等离子体中的电子在驻波场中的两个共振区的叠加导致电子的随机行为的产生.并估算了随机加速的阈值.数值计算了电子的随机加速的能量和随机加速的阈值.采用Poincare截面图技术,跟踪了电子的随机运动的轨迹.

测量了激光加热块状银靶产生的等离子体XUV光谱.计算了T_e分别为65eV,86eV和130eV时,AgXIX4s-4P,4P-4d,4d-4f7条谱线在不同电子密度时的强度.根据AgXIX4d~2D_(s/2~-)4f~2F_(r/2)和4P~2P_(3/2)-4d~2D_(s/2)两条谱线的强度比,推导了激光银等离子体电子密度.当入射激光功率密度W为6×10~(12)W/cm~2时,银等离子体电子密度N_e=1×10~(20)/cm~3.

提出了以X射线衍射测量连续过渡型多晶物相深度分布的方案.该方案在入射角大于全反射角的常规条件下,实现了严格的真实尺度下的物相定量深度分布测量.以计算谱对方法及程序的正确性进行了验证,并用实际样品对方法的可行性进行了验证.

提出了一种可用于将来自不同真实深度处的X射线衍射谱信息各自分离出来的技术方案,可以得出不同深度处的衍射强度、峰位和线形.该方法是定量和无损的,并且其深度尺度是真实尺度.此外并提出了吸收深度的概念.这一技术可称为直接法X射线衍射计算机深度层析技术,其可行性用Ni/Mo.双层膜样品进行了初步验证.该方法可应用于定量无损地测量峰形、峰位和峰强的深度剖面,并有可能用于界面层分析.

将量子化学计算方法扩展应用于描述六卤化金属化合物的晶格非稳定性和不稳定方式的一些特点,得到一些有趣的结果,并与喇曼和布里渊散射的实验结果相比较.

用EAM方法(embeded-atommethod)研究H_2在Ni,Pd与Cu的(100),(110)与(111)面上的解离吸附.首先通过拟合单个H原子在Ni,Pd与Cu不同表面上的吸附能和吸附键长,得到H与这些金属表面相互作用的EAM势,然后计算H_2在这些表面上以不同方式进行解离吸附时的活化势垒E_a,吸附热q_(ad)与吸附键长R.并给出H_2在(110)面上解离吸附的势能曲线.计算结果表明H_2的解离吸附与衬底种类、衬底表面取向及解离方式有关.H_2在Ni表面上解离时活化势垒很低,而在Cu表面解

假设在晶体Na_2ZnCl_4·3H_2aO:Mn~(2+)中,处于C_3轴上的一个Cl~-被一个O~(2-)取代,形成MnOCl_3基团,利用对角化能量矩阵的方法,计算了该晶体的电子顺磁共振(EPR)参量D,(?)和g(?)因子,以及单轴压力效应dD/dp和da/dp,得到与实验一致的结果,表明上述假设是合理的.

测量了不同Bi_2Sr_2CuO_y晶体ab平面内的电阻率-温度变化关系.发现在体系从金属到绝缘体的变化过程中,电子导电首先表现出低温下的二维弱局域化行为,然后逐渐过渡到强局域化的变程跳跃传导行为.依据实验结果对氧化物超导材料在低载流子浓度下的金属—绝缘体转变进行了讨论.

改变阳极氧化的工艺条件,制备出光致发光峰能量位于1.4—2.0eV范围内的大量多孔硅样品,其中45块样品在大气中存放一年,102块样品在200℃下热氧化(累计达200小时).在上述两种情况下,光致发光峰能量在氧化后都会聚到1.70—1.75eV能量范围.假设在充分氧化的多孔硅中包裹纳米硅的氧化层中,存在发光能量处于～1.70—1.75eV的发光中心,上述实验结果可以用量子限制/发光中心模型解释.

利用二次离子质谱(SIMS)技术,分析了Ag和A1与YBa_2Cu_3O_(7-x)(YBCO)超导薄膜接触界面互扩散.结果显示,它们有不同的互扩散特征.利用SIMS的分析结果,可以很好地理解经高温热处理后,Ag/YBCO和A1/YBCO样品具有不同界面电学性质的原因.

采用一种有效的簇团迭代法,对蜂窝状点阵量子Heisenberg反铁磁(QHAF)模型进行了MonteCarlo模拟.该方法避免了对于相应三维自旋模型迭代时出现的禁态和临界慢化效应.研究表明,该方法适用于普遍的具有A-B子格点阵的S=1/2反铁磁模型的研究.

本文提出的旋转回波脉冲序列具有激发带宽适中,实验参数调整简单的特点,可广泛应用于固体样品的核磁共振谱测量中.理论计算和实验结果表明它比传统的双90°回波序列的激发效果好.

用高能质子激发单元素靶或化合物靶产生的特征X射线源,系统地测量了1.486—15.165千电子伏能区里硅烷和8.041—29.109千电子伏能区里硅元素的质量衰减系数.不仅在实验上验证了布喇格相加规则在气体化合物中的适用性,而且得到了1.4一6千电子伏能区里硅元素的质量衰减截面,从而填补了硅元素在该能区的数据空白.从实验测得的总截面中减去康普顿散射和漫散射截面,便得到硅元素的光电截面值,并与理论值进行了比较.

报道亚稳态fcc-Mn薄膜在衬底温度为400K的GaAs(001)表面成功外延的结果.进而利用同步辐射光电子能谱研究该fcc-Mn薄膜随厚度变化的过程.从实验上得到fcc-Mn占有态的电子态密度分布,比较分析亚稳态的fcc-Mn相与热力学稳定的a-Mn相之间电子结构的显著差别,并给出可能的机制.