利用Ｍｉｕｒａ变换和Ｃｏｌｅ－Ｈｏｐｆ变换，证明了Ｋａｕｐ－Ｋｕｐｅｒｓｈｍｉｄｔ方程的１０族时间无关对称构成一个非Ａｂｅｌ李代数。与１０族对称相应的１０族方程具有共同的强对称，１０族可积模型的时间无关对称及其构成的李代数亦被给定。

对一类２＋１维双线性方程从两个不同角度建立了形式级数对称理论。从一已知的时间无关对称出发或从与一维空间坐标有关的任意函数出发，均可得到一包含时间任意函数的形式级数对称。对于２＋１维双线性Ｓａｗａｄａ－Ｋｏｔｅｒａ方程，存在６个截断对称。这些截断对称构成一无穷维李代数。一些有意义的子代数（如Ｖｉｒａｓｏｒｏ代数等）也被给定。

用Ｂ ｓｐｌｉｎｅｓ有限基方法计算了磁场（０＜Ｂ≤４．７×１０8Ｔ）中氢原子的基态和多个激发态的能级。对Ｒ?ｓｎｅｒ等及Ｉｖａｎｏｖ所算的能级范围做了补充和扩展，所得结果与其它理论方法已有的结果符合得很好，进一步显示了Ｂ ｓｐｌｉｎｅｓ有限基方法在原子外场效应计算中是一种强有力的方法。

测量了线聚焦激光加热锗等离子体发射的远紫外光谱，对ＧｅＸＸ－ＧｅＸＸＶＩ谱线进行了辨认和分类。给出了谱线波长和相对强度；计算了辐射跃迁概率和吸收振子强度；并；与其他实验室有关结果进行了比较。

根据我们的测量，在铷原子频标中微波功率频移系数总是正的。已有的关于微波功率频移的解释无法解释此现象。本文从微波场引起交流Ｚｅｅｍａｎ效应的观点出发，解释了这一现象。

介绍一台用于中能电子散射全截面的测量装置，并给出了５００－２６００ｅｖ电子与氮分子散射全截面的实验结果。

利用扭曲波玻恩交换（ＤＷＢＥ）近似方法对电子－氢原子碰撞电离截面进行了计算，计算所得总截面和能量微分截面均与最新的实验结果进行了比较，比较结果显示本计算与实验有较好的符合。还给出了能量微分截面的高斯拟合公式，文中对实验与理论计算存在的一些差距进行了讨论。

在原子衰减常数相等、单光子失谐不太大且饱和不太深的条件下，对于两个适当的原子－场耦合常数，简并双光子激光系统一方面能够呈现无反转激光，另一方面又能够呈现无激光反转。

考虑电子束自身场情况下，给出了反向导引磁场自由电子激光中平衡态电子运动的一种正则描述。证明了在可积极限下，不动点附近相轨道的稳定性；并采用美国麻省理工学院的反向导引场自由电子激光实验参数，计算了不同束流强度下的Ｐｏｉｎｃａｒé截面。结果表明，即使自身场相当强（束流强度达到６０００Ａ），平衡态电子的相轨道仍保持其规则性，相空间没有出现混沌，这说明在自由电子激光器中，利用反向导引磁场可以获得比传统的采用正向导引磁场更好的电子束质量，从而改善器件的输出性能。

依据实验结果导出的径向分布函数（ＲＤＦ），因实验测量和数据处理误差引入的误差称作“误差畸变”，如峰形宽化，峰面积改变，峰位移动以及假峰出现等。ＲＤＦ是建立在非晶材料结构各向同性和均匀性假设基础上的。因此当非晶材料存在取向各向异性时，其ＲＤＦ出现一种比误差畸变更为严重的“取向畸变”，它将导致ＲＤＦ的解释出现严重错误。讨论了这种“取向畸变”特征。

采用经验紧束缚理论，以类似闪锌矿结构的晶体模型模拟GexSi1-x合金，根据总能最小原则计算了GexSi1-x合金中的键长及点阵常数．同时以紧束缚方法计算了原子位置发生弛豫前后的电子能带结构，并与虚晶近似下的计算结果进行了比较．计算结果表明，GexSi1-x合金中的键长基本上与合金组分无关，各自接近于Ｇｅ，Ｓｉ晶体中的键长，与广延ｘ射线吸收精细结构（ＥＸＡＦＳ）测量结果符合得

用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法模拟了ＧａＡｓ（００１）面的邻晶面上的分子束外延的生长过程，模拟的基本模型是常用的ＳＯＳ模型，结果显示在Ａ类邻晶面上二维成核模式起主委作用，但在Ｂ类邻晶面低温下是二维成核模式起主要作用，但在高温下台阶成核模式成了主要的成核模式．另外在高温和低温下都存在成核原子数的饱和现象．

用电离Ｎ２产生的离子束作为外延生长氮化物的Ｎ源已获得成功，在ＧａＡｓ（１００）衬底上长出了具有立方结晶的ＧａＮ薄膜，其（２００）X射线衍射峰宽仅２３′。并用高分辨率电子能量损失谱测到立方ＧａＮ的表面光学声子出现在损失能量为８２ｍｅＶ处．

对同质硅分子束外延层的界面缺陷进行了测试与分析．对存在高浓度施主型界面缺陷的Ｐ型材料，通过解泊松方程计算了该材料的肖特基势垒的能带图，得到了该缺陷能级上电子的填充与发射随外加反向偏压变化的情况．并分析了用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）对其进行测试所需的条件，以及与常规的ＤＬＴＳ测试结果的不同之处．提出了可同时对该缺陷上电子的发射和俘获过程进行ＤＬＴＳ测量的方法．实验测量结果表明，该高密度的界面缺陷的能级位置位于Ｅc－０．３０ｅＶ．

对快速退火后用共蒸发Ｂ２Ｏ3方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当；外延层与衬底之间载流子浓度转变陡峭，获得了晶体质量良好的外延层．

报道了采用磁控溅射法在α－Ａｌ２Ｏ3分形基底上沉积Ａｇ薄膜表面的形貌、结晶状态以及其Ｖ－Ｉ特性．结果表明：分形的Ａｌ２Ｏ3基底导致Ａｇ薄膜具有起伏不平的结构、较差的结晶状态并且存在大量的孔洞，它们同样受基底温度和薄膜厚度的影响．在一定的厚度范围内，Ａｇ薄膜呈现反常的非线性Ｉ（Ｖ）特性，其行为也受薄膜厚度、基底温度和测试环境的强烈影响．

基于单占据ａｉσ表象和电荷涨落机制，应用简并微扰理论推导了非含ｃｕ氧化物Ｂａ1-x·ＫxＢｉＯ3的双带Ｈｕｂｂａｒｄ模型有效哈密顿量．考虑到坐标空间两个相反自旋空穴的次近邻格位配对，得到了格林函数运动方程和超导方程．合理解释了超交换作用和跳跃能对次近邻配对的作用，并且超导窗是由于坐标空间Ｃｏｏｐｅｒ配对的结果．

碱金属掺杂富勒烯与传统的超导体情况不同，它有一个很宽区域的声子谱，其最高频率和最低频率分别与费密能ＥF和零温超导能隙△0为同一数量级，这必将导致对原来强耦合超导电性理论的修正。本文在此情况下求解Ｅｌｉａｓｈｂｅｒｇ方程，得到Ｔc和△0的表达式。结果表明，分子间的低频振动模和分子上的高频振动模同样参与电声耦合，Ｔc主要取决于声子谱中高频成份的贡献，而△0的增加主要取决于声子谱中

测量了Ｔｌ系２２２３相银包套超导带（Ｊc＝１．５×１０４Ａ·ｃｍ-2，７７Ｋ，０Ｔ）在０－０．８Ｔ磁场下电阻转变展宽，实验结果引用热激活磁通蠕动模型加以解释。磁场平行于带面（Ｈ∥ａｂ面）和磁场垂直于带面（Ｈ⊥ａｂ面）两种情况下，激活能与磁场之间满足幂指数关系：Ｕ0∥＝０．２１ H-0.3(eV),Ｕ0⊥＝０．１5 H-0.4(eV)，其中Ｈ的单位为ｋＧ。

对最近邻自旋间具有反铁磁相互作用Ｊs，相隔偶数个自旋间又具有指数型长程铁磁相互作用Ｊ1的一维Ｉｓｉｎｇ模型，利用积分方程的方法得出内能和比热的解析表达式。在Ｊ1＝１，Ｊs分别为０．０５，０．１和０．３的条件下，作出零场时的内能和比热随温度参量变化的图形，并指出其相变临界点。在Ｊ1＝１，Ｊs＝０．１的条件下，作出外磁场变化对内能和比热的影响图。鉴于系统在低温、零场或弱场以及较弱

系统地研究了Rfe10.5V1.5Nx（Ｒ＝Ｙ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ）化合物的结构和内禀磁性，并与相应的Rfe10.5V1.5Nx化合物进行了比较。同Rfe10.5V1.5Nx化会物相比，由于ｖ含量低，Rfe10.5V1.5Nx
. 1994 43(7): 1177-1184. 刊出日期: 1994-07-20 ]]>

系统地研究了Rfe10.5V1.5Nx（Ｒ＝Ｙ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ）化合物的结构和内禀磁性，并与相应的Rfe10.5V1.5Nx化合物进行了比较。同Rfe10.5V1.5Nx化会物相比，由于ｖ含量低，Rfe10.5V1.5Nx
. 1994 43(7): 1177-1184. Published 1994-07-20 ]]> 1994-04-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1994 43(7): 1177-1184. article doi:10.7498/aps.43.1177 10.7498/aps.43.1177 43 7 1994-07-20 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.43.1177 1177-1184 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.43.1185

采用电子束蒸发法制备的８１ＮｉＦｅ／Ｃｒ多层膜具有单向各向异性，磁滞回线非轴对称，相当存在１Ｏｅ数量级的交换偏场。磁电阻回线的上升和下降两枝差别明显，其中以横向磁电阻回线最为显著。有的试样上升枝与下降枝相应的最大横向磁电阻率之差已高达０．７８％，其最大各向异性磁电阻率（Ｒｍａｘ－Ｒｍｉｎ）／Ｒ为４．７２％，甚高于Ｍｉｙａｚａｋｉ等[１］的优质８２ＮｉＦｅ合金单层膜的报道值３％。可以认为这类多层膜的磁电阻效应除主要来源于自旋－轨道耦合机制外，

通过傅里叶变换从新的角度考察了光学非均匀单向纤维增强复合材料的偏振光学行为，发现其光强Ｉ－方位角θ曲线主要仅由不多于三种基波组成，它们是零次（常量）、二次和四次基波。研究结果表明：四次基波的模与主应力差有很好的相关性，在所进行的实验条件下，四次基波的模都按正弦平方曲线规律随主应力差的增减而单调变化；并发现四次基波的初相角α∥4与双折射方向一致。在此基础上提出了复会材料双折射率，△Ｎc的概念。这一结果不仅对进一步认识纤维复合材料的复杂偏振光学现象可能有意义，而且也

多孔硅发光是激发电子通过表面态间接的复合过程。自然氧化引入新的表面态，改变了表面态的分布，从而引起了多孔硅光致发光光谱的移动。

用Ｘ射线衍射确定了纳米材料Fe2O3的平均粒径。测量了正电子的寿命。给出了平均粒径随退火温度的变化和短寿命成分τ1、中等寿命成分τ2以及它们的强度比Ｉ2／Ｉ1随平均粒径的变化。讨论了纳米材料Fe2O3的界面结构、平均正电子寿命τ与多普勒展宽谱Ｓ参效间的对应关系。