用Ｌａｎｃｚｏｓ方法计算出具有次近邻相互作用的一维量子链的基态和低激发态的能量，求出了模型的反常标度和归一化常数，并建立该模型的共形场理论。

在规范理论随机量子化中，运用投影算子和函数δ（ｔ）构成的核，在零初值条件下，当ｔ趋于∞时，可以使之收敛于平衡态，并得到协变规范下的传播子。这样，规范理论和非规范理论的随机量子化方案即统一于只运用核函数。文中分别对麦克斯韦场、Ｃｈｅｒｎ－Ｓｉｍｏｎ场及线性引力理论进行了讨论。另外，还证明了上述形式的核不会对平衡分布产生影响。

分析了Ｘ射线全息记录过程中影响分辨率的一些主要因素。在完全相干的条件下，Ｘ射线无透镜傅里叶变换全息图的最小分辨距离不可能小于记录时用的Ｘ射线聚束器的焦斑或滤波小孔的半径，而Ｘ射线同轴全息图不可能获得比记录介质的截止频率更高的分辨率。在部分相干的条件下，Ｘ射线无透镜傅里叶变换全息所要求的相干长度和分辨率与样品半径成二次线型关系。Ｙ射线同轴全息所要求的相干长度和分辨率的平方以及样品到全息图的距离成正比，而与样品尺寸无关。随着Ｘ射线全息图分辨率的提高，其所要求的相干长度将大幅度增长。

基于前向四波混频模型，在弱读出光强和强读出光强两种情况下，以及光折变相位栅相对干涉条纹的空间相移为任意值的条件下，给出了光折变相位栅的衍射效率的解析表达式。

考虑到失谐量和初始原子相干性，研究了双光子Ｊａｙｎｅｓ－Ｃｕｍｍｉｎｇｓ模型中原子的压缩行为。研究表明，失谐量对场－原子相互作用中的原子压缩行为的影响很大。通过数值计算，还讨论了初始平均光子数与原子压缩的关系。

用单粒子理论分析了未被有质动力势阱捕获的电子对电磁波泵自由电子激光边带不稳定性的影响。采用与文献［１］相同的方法，导出了色散方程，并进行了详细的分析和讨论。结果表明，未被捕获电子对边带不稳定性具有较大的影响。

用５３２．０ｎｍ的脉冲Ｎｄ：ＹＡＧ激光作为泵浦光，７４７．０ｎｍ的连续半导体激光作为探测光，在Ｃ60甲苯溶液中，利用Ｃ60分子的三重态－三重态非线性吸收效应，获得Ｃ60分子的全光开关和全光调制特性，并用速率方程进行了动力学数值模拟，得到与实验相一致的结果。

用红外吸收法测量了熊猫光纤掺氧化硼应力棒的ＯＨ根含量，用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）仪测量硼、硅、氧和氮的含量，用扫描电子显微镜测量锗分布、芯／包界面的阴极射线发光（ＣＬ）等。对ＯＨ根基波与谐波吸收差别进行了理论分析。

用多重尺度微扰理论导出了宽度均匀缓变水糟中非传播孤波所服从的非线性方程及其解析解。结果指出，孤波恒向宽度较窄的一端近加速移动。加速度正比于宽度的变化率．本文所用的方法原则上可以推广于其他均匀缓变波导中线性波和非线性波的理论研究。

从流体力学方程组出发，引入新的尺度假设，基于多重尺度分析，导出了计及激励、损耗在内的水槽孤波支配方程和驻孤波解，通过耗散分析，给出了下截止驱动振幅△ｃ随驱动频率Ω的约束关系和在△－Ω图象中等振幅线。本文低功率因数尺度假设更符合实际情况，且更有利于解释实验。

在解析求解等离子体流体力学方程组的基础上，数值求解了以ＭｇＸＩ为主体的等离子体能级占据数速率方程，进而给出了短脉冲驱动下膨胀冷却等离子体中ＭｇＸＩｌｓ３ｄ－ｌｓ４ｆ激光跃迁增益系数的时空分布，讨论了泵浦激光脉冲宽度对增益的影响。

采用蒙特－卡洛方法对空心阴极放电中鞘层区电子的输运过程进行了研究，电子在鞘层区被非均匀电场加速，两次碰撞之间的步长是由电子与中性粒子的碰撞频率确定。模型中三种碰撞截面积是由实验和理论数据拟合而来。研究了电子平均能量、电子密度和电离系数在径向的分布。电子能量的空间分布结果与实验很好地符合。

利用带折射修正的布喇格衍射定律和薄膜光学理论分析了低角Ｘ射线衍射谱中出现的一系列现象，导出了多层膜周期厚度和周期中不同材料间的配比率的计算公式，对多层膜的低角Ｘ射线衍射谱中主峰间的次峰现象作出了解释，并对低角Ｘ射线衍射测量单层膜厚度进行分析，给出了精确的测厚公式。

通过低温退火工艺以实现ａ－Ｓｉ：Ｈ膜的局部ｎ型轻掺杂，控制了固相晶化过程中的成核中心密度，获得了较大晶粒的良质多晶硅膜。有关测试结果表明：晶化过程是较均衡地沿（１１１），（２２０），（３１１）晶向进行，而按（１１１）晶向择优取向，测得晶粒粒径≈１μｍ，迁移率≈９２．７ｃｍ２／Ｖ·ｓ，室温暗电导率在１０-２—１０-4ｓ／ｃｍ之间，在８００—１０００ｎｍ波段的吸收系数为１０4ｃｍ-1的数量级，相应的吸

报道使用Ｃ60粉末，利用双炉装置，通过闭管汽相法生长Ｃ60单晶的实验及结果。Ｃ60单晶的质量很好，较大单晶的尺寸为０．５ｍｍ×０．６１ｍｍ×１．０ｍｍ。Ｘ射线衍射和电子衍射图的分析得到室温下Ｃ60单晶为ｆｃｃ结构，确定了晶格常数，还进行了Ｒａｍａｎ光谱实验，实验结果表明，热、冷区温度及两者的温度差是影响大尺寸Ｃ60单晶汽相生长的主要因素，对此进行了详细的讨论。

利用量子力学中的电子分子散射理论，研究了低速双原子分子离子在固体电子气中的散射与能量损失，重点讨论了两离子之间的干扰效应对能量损失的影响。根据原子的ｉｎｄｅｐｅｎｄａｎｔ ｐａｒｔｉｃｌｅ－ｍｏｄｅｌ（ＩＰＭ）势和变相法，确定了单原子离子的散射相移和阻止本领，并与非线性密度泛函理论的结果进行了比较。

报道用高氢稀释硅烷为反应气源，用等高子体增强化学汽相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的含有纳米晶粒硅薄膜，未经任何后处理过程，在室温下观察到可见光致发光。将此光发射归因于纳米硅晶粒中的光生载流子在量子尺寸效应下所产生的光子能量高于硅单晶本体能隙，还对发光具有重要影响的一些淀积参数进行了研究。

报道金刚石晶格上对角无序与非对角无序非晶量子点的理论研究，用简单的紧束缚哈密顿量描述模型的电子结构，用ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法求解哈密顿方程，用边界条件对本征值的影响判断局域化，研究发现，带边为扩展态时，带宽的变化趋势与晶态量子点类似；带边为局域态时，尺寸超过某一临界长度后，带宽不变，但带边态密度随尺寸增大而增大。还研究了非晶量子点的介电函数虚部ε2（?ω）。与扩展态对应的ε2（?ω），对尺寸变化较敏感。与局域态对应的ε2（?ω），当尺寸大于

对不同温度退火未掺Ｃｒ的纳米结构Ａｌ2Ｏ3块体的荧光谱进行了系统的研究。结果表明，在纳米级勃母石，η－Ａｌ2Ｏ3和γ－Ａｌ2Ｏ3试样中均观察到两个宽的荧光带（ｐ1和ｐ2带），它们的波数范围分别为２００００—１４５００和１４５００—１１５００ｃｍ－１。ｐ1带可归结为纳米Ａｌ2
. 1994 43(6): 1000-1007. 刊出日期: 1994-03-05 ]]>

对不同温度退火未掺Ｃｒ的纳米结构Ａｌ2Ｏ3块体的荧光谱进行了系统的研究。结果表明，在纳米级勃母石，η－Ａｌ2Ｏ3和γ－Ａｌ2Ｏ3试样中均观察到两个宽的荧光带（ｐ1和ｐ2带），它们的波数范围分别为２００００—１４５００和１４５００—１１５００ｃｍ－１。ｐ1带可归结为纳米Ａｌ2
. 1994 43(6): 1000-1007. Published 1994-03-05 ]]> 1994-03-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1994 43(6): 1000-1007. article doi:10.7498/aps.43.1000 10.7498/aps.43.1000 43 6 1994-03-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.43.1000 1000-1007 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.43.1008

在有效质量近似下，使用线性变分方法计算了处于ＧａＡｓ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡs球形量子点中不同位置的浅施主杂质的能谱结构，讨论了能级的简并度和不同情况下的能级序，扩展了文献［１０］中所得到的结果。计算结果表明电子结构明显地依赖于量子点的半径和杂质离子所处的位置。计算结果还说明选择合适的基函数对于讨论量子点中问题的重要性。

〈１１１〉晶向的掺磷的ｎ型硅外延片经等离子进氢后连同未经等离子氢处理的对比片一起淀积金，制得Ａｕ／ｎ－Ｓｉ肖特基势垒。实验结果表明：氢能使Ａｕ／ｎ－Ｓｉ的肖特基势垒高度下降０．１３ｅＶ；含氢的肖特基势垒的高度可以被零偏退火与反偏退火所控制，即零偏退火使含氢的肖特基势垒的高度降低，而反偏退火使含氢的肖特基势垒的高度升高；而且零偏退火与反偏退火对肖特基势垒高的这种控制作用至少在三个循环过程中是可逆的。在反偏退火以后，含氢的肖特基势垒的高度升高的数值不仅与退火时所应用的偏置电压有关，而且与退火温度也有关。

通过引入电子的弹性散射和非弹性散射的自能和相应的物理格林函数，将磁场中的Ｍａｈａｎ－Ｈ?ｎｓｃｈ量子输运方程推广到自旋玻璃系统中，在电子的近弹性散射近似下，求解了ｓ－ｄ交换相互作用导致的自旋玻璃态霍耳电导；获得了电阻率与自旋玻璃Ｅｄｗａｒｄｓ－Ａｎｄｅｒｓｏｎ（ＥＡ）序参数和局域磁化率之间的关系；讨论了自旋玻璃热电势和特征温度。

用时域和频域介电谱方法可以将晶界层陶瓷中晶粒、内边界层和阻挡层三种不同机构对外加电场的响应讯号分开。从而得出每种机构对样品的总电阻或总电抗的贡献。观察到极化子跳跃导电的弛豫效应，它使样品的阻抗呈现电感性。比较了掺杂氧化锌、钛酸锶和钛酸钡三种典型陶瓷的晶界层的异同。

在通常的ＺｎＯ－Ｂｉ2Ｏ3－Ｓｂ2Ｏ3系电压敏陶瓷中，加入能构成压敏特性的钡添加剂，发现除已知的Ｂｉ2Ｏ3和Ｚｎ2．３３Ｓｂ０．６７Ｏ4晶界相以外，还出现新的晶界相，分析表明是固溶有微量其它成分的偏锑酸钡（ＢａＳｂ2Ｏ6）晶相。同时还发现，ＢａＳｂ2
. 1994 43(6): 1035-1040. 刊出日期: 1994-03-05 ]]>

在通常的ＺｎＯ－Ｂｉ2Ｏ3－Ｓｂ2Ｏ3系电压敏陶瓷中，加入能构成压敏特性的钡添加剂，发现除已知的Ｂｉ2Ｏ3和Ｚｎ2．３３Ｓｂ０．６７Ｏ4晶界相以外，还出现新的晶界相，分析表明是固溶有微量其它成分的偏锑酸钡（ＢａＳｂ2Ｏ6）晶相。同时还发现，ＢａＳｂ2
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