用SOq(4)量子代数得到q变形三维氢原子的能谱及简并度,还讨论了二维q变形氢原子的能谱和简并度。
用SOq(4)量子代数得到q变形三维氢原子的能谱及简并度,还讨论了二维q变形氢原子的能谱和简并度。
在文献[1]研究的基础上对双星引力辐射阻尼的效应又做了进一步研究.首先给出文献[1]的主要结果及其更正,然后利用文献[1]的结果又给出引力辐射阻尼对双星过近星点时刻的影响。结果表明,引力辐射阻尼对双星过近星点时刻不仅产生周期变化的效应,而且还产生长期变化的效应,这后者的效应使得双星过近星点时刻提前。最后利用所推出的结果对三颗双星(Y Cyg,PSR2302+24.PSRI913+16)做了数值的长期效应的计算。
在文献[1]研究的基础上对双星引力辐射阻尼的效应又做了进一步研究.首先给出文献[1]的主要结果及其更正,然后利用文献[1]的结果又给出引力辐射阻尼对双星过近星点时刻的影响。结果表明,引力辐射阻尼对双星过近星点时刻不仅产生周期变化的效应,而且还产生长期变化的效应,这后者的效应使得双星过近星点时刻提前。最后利用所推出的结果对三颗双星(Y Cyg,PSR2302+24.PSRI913+16)做了数值的长期效应的计算。
对描写光学双稳系统的延时微分方程作了离散化处理,在N=1的情况下,得到一个二维迭代方程,研究结果表明:系统刚失稳时不是单模振荡,而是四模同时振荡,并且各自以独立的方式随着参数A而变化并以倍周期分叉道路进入混沌,同时,在周期三窗口发现了另一个共存的吸引子,其吸引域具有类似二维Mandeblort集的分形结构。
对描写光学双稳系统的延时微分方程作了离散化处理,在N=1的情况下,得到一个二维迭代方程,研究结果表明:系统刚失稳时不是单模振荡,而是四模同时振荡,并且各自以独立的方式随着参数A而变化并以倍周期分叉道路进入混沌,同时,在周期三窗口发现了另一个共存的吸引子,其吸引域具有类似二维Mandeblort集的分形结构。
阐明临界现象(包括两类临界点)与相变的平均场(Landau)理论同样可以适用于增强吸收型光学双稳性(IAOB).分析了近期提出的IAOB模型[9]的动力学特征,在此基础上引入了一种准热力学势。在临界点(第二类)附近,该种势不仅体现出双稳系统中相变的共性,而且也反映了IAOB的特殊性。
阐明临界现象(包括两类临界点)与相变的平均场(Landau)理论同样可以适用于增强吸收型光学双稳性(IAOB).分析了近期提出的IAOB模型[9]的动力学特征,在此基础上引入了一种准热力学势。在临界点(第二类)附近,该种势不仅体现出双稳系统中相变的共性,而且也反映了IAOB的特殊性。
假定重子中轻层子间不存在三体力,并把满足约束Pi2+U(x2)+mi2=0(i=1,2)的二质点组的相对论力学应用于重子的SU3模型,取U(x2)形为α+bx2,通过适当坐标平移,可以将重子中的内部运动等效为两个协变谐振子。采用Kustanheimo-Stiel变换(简称K—S变换),可将它们化为两个三维氢原子问题。这样,在求解中能
假定重子中轻层子间不存在三体力,并把满足约束Pi2+U(x2)+mi2=0(i=1,2)的二质点组的相对论力学应用于重子的SU3模型,取U(x2)形为α+bx2,通过适当坐标平移,可以将重子中的内部运动等效为两个协变谐振子。采用Kustanheimo-Stiel变换(简称K—S变换),可将它们化为两个三维氢原子问题。这样,在求解中能
在核物质的Hartree-Fock理论框架下,通过动量空间状态数的修正Hill-Wheeler公式来顾及核的有限尺度效应,应用Gogny等效核力和唯象Coulomb能公式得到了合理的有限核零温饱和性质,得到有限核的液-气相变临界温度Tc约为12MeV,与由重离子碰撞实验提取到的一致。而且发现,目前广泛使用的有限核表面能唯象公式对于非正常核密度区是不适用的,本文给出了它的一个新的表达式。
在核物质的Hartree-Fock理论框架下,通过动量空间状态数的修正Hill-Wheeler公式来顾及核的有限尺度效应,应用Gogny等效核力和唯象Coulomb能公式得到了合理的有限核零温饱和性质,得到有限核的液-气相变临界温度Tc约为12MeV,与由重离子碰撞实验提取到的一致。而且发现,目前广泛使用的有限核表面能唯象公式对于非正常核密度区是不适用的,本文给出了它的一个新的表达式。
从准非线性Schr?dinger(NLS)方程出发,导出了色散缓变光纤中光孤子脉冲传输所满足的与常规光纤中含增益效应等价的NLS方程,给出了该方程的微扰解析解和光孤子脉冲宽度演化表达式。对于阶跃型单模光纤,得到了光纤几何参数与增益系数之间的一般函数关系。最后采用数值模拟方法模拟了不同色散缓变光纤中光孤子脉冲传输特性,指出色散缓变光纤不仅能补偿光纤损耗对孤子脉冲的展宽效应,而且能压缩光孤子脉冲,因而预计它可能有较广泛的应用前景。
从准非线性Schr?dinger(NLS)方程出发,导出了色散缓变光纤中光孤子脉冲传输所满足的与常规光纤中含增益效应等价的NLS方程,给出了该方程的微扰解析解和光孤子脉冲宽度演化表达式。对于阶跃型单模光纤,得到了光纤几何参数与增益系数之间的一般函数关系。最后采用数值模拟方法模拟了不同色散缓变光纤中光孤子脉冲传输特性,指出色散缓变光纤不仅能补偿光纤损耗对孤子脉冲的展宽效应,而且能压缩光孤子脉冲,因而预计它可能有较广泛的应用前景。
对于均匀展宽激光器的非线性镜锁模,提出了一种解析分析方法。所得脉冲包络为时间的双曲正割函数。得到了脉冲宽度的简单解析表示,并对结果进行了讨论。
对于均匀展宽激光器的非线性镜锁模,提出了一种解析分析方法。所得脉冲包络为时间的双曲正割函数。得到了脉冲宽度的简单解析表示,并对结果进行了讨论。
介绍了在“神光”装置上进行的不同类型腔靶X射线面、体发射物理机制的实验研究。实验采用波长为1.053μm的激光,脉冲波形为高斯型,能量为500一700J/束,脉冲宽度为600一1000ps.典型靶由三个柱型腔组成,采取双束对打,两端的腔为吸收-转换区(源区),中间腔为辐射加热的内爆区。给出源区及内爆区X射线面、体发射测量结果,并通过分析、估算给出面、体发射强度比。
介绍了在“神光”装置上进行的不同类型腔靶X射线面、体发射物理机制的实验研究。实验采用波长为1.053μm的激光,脉冲波形为高斯型,能量为500一700J/束,脉冲宽度为600一1000ps.典型靶由三个柱型腔组成,采取双束对打,两端的腔为吸收-转换区(源区),中间腔为辐射加热的内爆区。给出源区及内爆区X射线面、体发射测量结果,并通过分析、估算给出面、体发射强度比。
给出等离子体介质中的简并与近简并四波混频形成透射光栅时的普适四波非线性耦合方程组。得到了在任意复耦合系数下的精确解析解,其解不仅适用于各种等离子体形态,也可以推广到光致折射材料中去。对进一步理论研究四波混频相位共轭原理以及研制新型非线性光学器件有所帮助。
给出等离子体介质中的简并与近简并四波混频形成透射光栅时的普适四波非线性耦合方程组。得到了在任意复耦合系数下的精确解析解,其解不仅适用于各种等离子体形态,也可以推广到光致折射材料中去。对进一步理论研究四波混频相位共轭原理以及研制新型非线性光学器件有所帮助。
鉴于实际中等离子体不均匀性和非周期性边界条件,建立了受激Raman散射(SRS)和受激Brillourin散射(SBS)非线性耦合模型。SBS对SRS的影响主要表现在两方面:1)Langmuir波与离子声波的非线性相互作用,2)SBS与SRS的竞争。本文研究了离子声衰变不稳定性、离子声波对Langmuir波的非共振散射两种非线性过程在SRS发展过程中的作用,给出一维不均匀等离子体中SRS发展图象。Langmuir波向短波转换,从而被强烈阻尼是抑制SRS的重要机制。文中给出了SBS/SRS耦合过程中决定SR
鉴于实际中等离子体不均匀性和非周期性边界条件,建立了受激Raman散射(SRS)和受激Brillourin散射(SBS)非线性耦合模型。SBS对SRS的影响主要表现在两方面:1)Langmuir波与离子声波的非线性相互作用,2)SBS与SRS的竞争。本文研究了离子声衰变不稳定性、离子声波对Langmuir波的非共振散射两种非线性过程在SRS发展过程中的作用,给出一维不均匀等离子体中SRS发展图象。Langmuir波向短波转换,从而被强烈阻尼是抑制SRS的重要机制。文中给出了SBS/SRS耦合过程中决定SR
研究了子晶格干涉畴尺寸不同情况下的X射线衍射问题,给出了衍射峰积分宽度与子晶格干涉畴尺寸的关系表达式,证明出子晶格干涉畴尺寸不同不影响X射线衍射各峰的相对积分强度,提供了一种结构缺陷的分析方法。
研究了子晶格干涉畴尺寸不同情况下的X射线衍射问题,给出了衍射峰积分宽度与子晶格干涉畴尺寸的关系表达式,证明出子晶格干涉畴尺寸不同不影响X射线衍射各峰的相对积分强度,提供了一种结构缺陷的分析方法。
应用深能级瞬态谱(DLTs)技术详细研究低压-金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)生长的Ga0.47In0.53As/Inp量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的DLTS表明,在宽接触激光器的i-Ga0.47In0.53As有源层里观察到H1(Ev+0.09eV)和E1(Ec-0.35eV)陷阱,它们可能分别与样品生长过程中扩散到i-Ga0.4
应用深能级瞬态谱(DLTs)技术详细研究低压-金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)生长的Ga0.47In0.53As/Inp量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的DLTS表明,在宽接触激光器的i-Ga0.47In0.53As有源层里观察到H1(Ev+0.09eV)和E1(Ec-0.35eV)陷阱,它们可能分别与样品生长过程中扩散到i-Ga0.4
利用扩展电阻探针(SRP)和深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究了直接键合的n-Si/n+-Si界面附近的深能级。实验结果表明,在直接键合的n-Si/n+-Si界面n-Si一侧附近可观察到一个明显的电子陷阱E1(Ec-0.39eV)。E1可能是由若干个能级位置相近的陷阱迭加而成的,其浓度在1013-1014cm-3之间。它可能是与制备键合材料的高温(1000-1100℃)处理
利用扩展电阻探针(SRP)和深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究了直接键合的n-Si/n+-Si界面附近的深能级。实验结果表明,在直接键合的n-Si/n+-Si界面n-Si一侧附近可观察到一个明显的电子陷阱E1(Ec-0.39eV)。E1可能是由若干个能级位置相近的陷阱迭加而成的,其浓度在1013-1014cm-3之间。它可能是与制备键合材料的高温(1000-1100℃)处理
用连续介电模型研究了有限厚度四层异质结构的表面和界面光学声子模。精确得到本征失量、色散关系和面电荷密度。前人关于介电平板、双层、三层以及无限四层结构等所有已得结果,都可从此文普遍关系重新推出。另外,还给出了有限阶梯量子阱等有趣而实用结构的色散关系及其数值显示。本研究可视为文献[8]的推广。
用连续介电模型研究了有限厚度四层异质结构的表面和界面光学声子模。精确得到本征失量、色散关系和面电荷密度。前人关于介电平板、双层、三层以及无限四层结构等所有已得结果,都可从此文普遍关系重新推出。另外,还给出了有限阶梯量子阱等有趣而实用结构的色散关系及其数值显示。本研究可视为文献[8]的推广。
研究了铁基纳米晶合金Fe13.5Cu1Nb3Si13.5B9和Fe91Zr7B2的热膨胀特性,并与相应成分的非晶合金做了比较。结果表明,在居里温度以下,纳米晶合金的热膨胀系数比非晶合金大得多,而在居里温度以上,两者几乎相等。认为上述的热膨胀的差别可能与铁基非晶态合金中存在的因瓦效应有关。
研究了铁基纳米晶合金Fe13.5Cu1Nb3Si13.5B9和Fe91Zr7B2的热膨胀特性,并与相应成分的非晶合金做了比较。结果表明,在居里温度以下,纳米晶合金的热膨胀系数比非晶合金大得多,而在居里温度以上,两者几乎相等。认为上述的热膨胀的差别可能与铁基非晶态合金中存在的因瓦效应有关。
利用LMTO-ASA方法研究了C11b晶体结构的MoSi2三种(001)表面电子结构,分别给出了三种不同表面总体态密度和表面层原子局域态密度及分波态密度,与体结构相关原子态密度作了对比,并对费密能级上的态密度作了比较讨论。就表面稳定性而言,以Mo原子为表层原子的表面结构最不稳定,以单层si原子为表面的表面结构最稳定,该结论支持了T.Komeda等的实验结果[15]。
利用LMTO-ASA方法研究了C11b晶体结构的MoSi2三种(001)表面电子结构,分别给出了三种不同表面总体态密度和表面层原子局域态密度及分波态密度,与体结构相关原子态密度作了对比,并对费密能级上的态密度作了比较讨论。就表面稳定性而言,以Mo原子为表层原子的表面结构最不稳定,以单层si原子为表面的表面结构最稳定,该结论支持了T.Komeda等的实验结果[15]。
报道Cupc/InP异质结的整流(J-V)特性和电容电压(C-V)特性,并研究了界面态对CuPcLB膜Raman光谱的影响。
报道Cupc/InP异质结的整流(J-V)特性和电容电压(C-V)特性,并研究了界面态对CuPcLB膜Raman光谱的影响。
研究了在一维势场Vn=λcos(Qn+anv)(0<v<1)中运动的电子状态,计算了本征能量和本征态的局域化指数。对Q=2π/3,系统的能带由三个子能带构成。当λ小于2时,每个子带中有两个迁移率边界。研究了扩展态、局域态以及迁移率边界随参数λ,ν,α的变化。
研究了在一维势场Vn=λcos(Qn+anv)(0<v<1)中运动的电子状态,计算了本征能量和本征态的局域化指数。对Q=2π/3,系统的能带由三个子能带构成。当λ小于2时,每个子带中有两个迁移率边界。研究了扩展态、局域态以及迁移率边界随参数λ,ν,α的变化。
利用多层溅射技术制备了WSix/Si薄膜,然后测量其平面电阻的退火行为,发现平面电阻在600-700℃之间退火后有陡降,这对应于非晶WSix薄膜中W5Si3四角相的形成。x射线衍射和慢正电子湮没测量也证实了这一点。认为薄膜电阻率的突变反映了导电机制的变化,它和薄膜结构的变化有很好的对应关系。
利用多层溅射技术制备了WSix/Si薄膜,然后测量其平面电阻的退火行为,发现平面电阻在600-700℃之间退火后有陡降,这对应于非晶WSix薄膜中W5Si3四角相的形成。x射线衍射和慢正电子湮没测量也证实了这一点。认为薄膜电阻率的突变反映了导电机制的变化,它和薄膜结构的变化有很好的对应关系。
用熔融法制备了Bi2Sr2CaCu2O8+y掺Na多晶样品,转变温度Tc提高到90K以上,最大的零电阻温度达到92.5K。在流动氧气退火后,未掺Na样品Tc显著降低,而掺Na样品Tc几乎不变,说明二者Tc提高具有不同的机制。据此我们认为Na替代了Bi而使Bio层电荷失去平衡,Cuo面上电子转移到Bio层而形成空穴,空穴和电子的吸引相
用熔融法制备了Bi2Sr2CaCu2O8+y掺Na多晶样品,转变温度Tc提高到90K以上,最大的零电阻温度达到92.5K。在流动氧气退火后,未掺Na样品Tc显著降低,而掺Na样品Tc几乎不变,说明二者Tc提高具有不同的机制。据此我们认为Na替代了Bi而使Bio层电荷失去平衡,Cuo面上电子转移到Bio层而形成空穴,空穴和电子的吸引相
对Y-系(123)相超导材料的微波焊接进行了初步研究,结果表明微波快速焊接后的试样,经960℃空气中退火15h后炉冷,其Tc可恢复至89.7K,比焊接前试样的Tc低1.6K。利用电子探针对焊接前后样品的显微结构进行了比较,发现焊区组织致密,但在后处理过程中超导相发生了再结晶,导致焊缝变宽,气孔因聚集而变大。同时用电子微探针分析仪发现,焊接后焊区普遍存在Y2BaCuOx相、Ba2-yCuy
对Y-系(123)相超导材料的微波焊接进行了初步研究,结果表明微波快速焊接后的试样,经960℃空气中退火15h后炉冷,其Tc可恢复至89.7K,比焊接前试样的Tc低1.6K。利用电子探针对焊接前后样品的显微结构进行了比较,发现焊区组织致密,但在后处理过程中超导相发生了再结晶,导致焊缝变宽,气孔因聚集而变大。同时用电子微探针分析仪发现,焊接后焊区普遍存在Y2BaCuOx相、Ba2-yCuy
从Peietls-Hubbard哈密顿量出发,讨论了电子-声子相互作用对巡游电子系统磁性激发的影响。结果表明,电子-声子相互作用,不仅改变了X-+(q,ω)的动力学特性,而且在系统能带结构中,使两个自旋子带分裂减小,从而更有利于电子-空穴对的个别激发;另一方面,电-声子相互作用导致自旋波激发出现能隙。
从Peietls-Hubbard哈密顿量出发,讨论了电子-声子相互作用对巡游电子系统磁性激发的影响。结果表明,电子-声子相互作用,不仅改变了X-+(q,ω)的动力学特性,而且在系统能带结构中,使两个自旋子带分裂减小,从而更有利于电子-空穴对的个别激发;另一方面,电-声子相互作用导致自旋波激发出现能隙。
用电弧炉熔炼方法制备了Sm2Fe17-xMxC1.5(M=Ga,Si)化合物,研究了它们的形成、结构与磁性。实验结果表明,用Ga替代Fe,当2≤x≤6时,可形成Th2Zn17型单相化合物,而Si的替代仅在x=2时为单相结构。居里温度随Ga含量的增加从x=2时的633K下降到x=6时的351K,Sm2Fe15Si2
. 1994 43(5): 846-850. 刊出日期: 1994-05-20
]]>
用电弧炉熔炼方法制备了Sm2Fe17-xMxC1.5(M=Ga,Si)化合物,研究了它们的形成、结构与磁性。实验结果表明,用Ga替代Fe,当2≤x≤6时,可形成Th2Zn17型单相化合物,而Si的替代仅在x=2时为单相结构。居里温度随Ga含量的增加从x=2时的633K下降到x=6时的351K,Sm2Fe15Si2
. 1994 43(5): 846-850. Published 1994-05-20
]]>
研究了调谐激光晶体Cr3+:ZnWO4的光致发光特性。报道了它的吸收光谱、激发光谱、发射光谱及其随温度的变化、零声子跃迁和发射寿命等实验结果,并讨论了激发特性、电子-声子耦合作用、ZnWO4中Cr3+的发射寿命曲线等相关问题。
研究了调谐激光晶体Cr3+:ZnWO4的光致发光特性。报道了它的吸收光谱、激发光谱、发射光谱及其随温度的变化、零声子跃迁和发射寿命等实验结果,并讨论了激发特性、电子-声子耦合作用、ZnWO4中Cr3+的发射寿命曲线等相关问题。
研究了一般球对称动态黑洞视界附近荷电Dirac粒子的Hawking辐射,得到了确定视界面位置的方程和辐射温度,并成功地导出Hawking热谱。
研究了一般球对称动态黑洞视界附近荷电Dirac粒子的Hawking辐射,得到了确定视界面位置的方程和辐射温度,并成功地导出Hawking热谱。