给出了一个直接推导量子Ｕq（ＳＵ（１，１））群普适Ｒ矩阵的方法；至少对低秩量子群，此方法是简单有效的。应用所得到的Ｒ矩阵，得到了上述量子群的Ｃａｓｉｍｉｒ不变量的明显表达式。作为应用，本文重新得到了上述量子群的二阶Ｃａｓｉｍｉｒ算子。

通过在ＳＬ（２，Ｒ）Ｗｅｓｓ－Ｚｕｍｉｎｏ－Ｎｏｖｉｋｏｖ－Ｗｉｔｔｅｎ（缩写为ＷＺＮＷ）模型中加入破坏共形对称性的约束，获得了一个新的经典完全可积的二维场论体系，它把著名的ｓｉｎｈ－Ｇｏｒｄｏｎ方程作为其特例。这个广义ｓｉｎｈ－Ｇｏｒｄｏｎ体系的特点是完全可积性和可超定域化，并且描写这些特点的ｒ矩阵是杨－Ｂａｘｔｅｒ方程（经典的）的一个解，它反对称，依赖于两个谱参数，但通过Ｌｏｏｐ代数的自同构变换和谱参数的重新定义后，此ｒ矩阵仍是依赖于一个谱参数的三角型ｒ矩阵。

本文在文献［４］的基础上，讨论了广义ｓｉｎｈ－Ｇｏｒｄｏｎ体系的Ｄｒｅｓｓｉｎｇ对称性及其可定域化的条件。

研究了一维简并双参数四次方映射的符号动力学，构造了揉平面的超稳轨道的骨架图及关节点。根据拓扑熵定义，给出了拓扑熵混沌存在的判据。

从奇异夸克物质的热力学巨势出发计算了奇异星的组份，得到电子丰度随强相互作用耦合常数或奇异物质的密度增大而减小．利用弱电统一理论，推导了奇异物质的中微子能量损失率。通过研究有薄壳的均匀奇异星和中子垦的冷却过程，得到年轻奇异星的表面温度比同年代的中子星的表面温度低得多，这可以作为区别奇异星与中子星的观测途径。

根据组态相互作用理论，研究了组态相互作用对类钠铜离子自电离组态２ｐ5３ｓ３ｌ（ｌ＝０,１，２）自电离速率和分支比的影响．结果表明，与单组态近似下的计算相比，组态相互作用显著地改变了上述组态各能级的自电离速率而且使２ｐ5３ｓ2组态的自电离分支比减少；使２ｐ5３ｓ３ｄ和２ｐ5３ｓ３p组态的自电离分支比增大；尤其是２ｐ5３ｓ３ｄ组态的自电离分支比增加较为明显。

对双光子光声效应作了系统的理论分析，导出了双光子光声效应的波动方程，并求出双光子光声信号的表达式。

在下能级相干的型三能级系统得到了原子密度矩阵方程的严格解。在强相干情形分析了产生无反转激光的抽运条件，并导出了光强饱和项。

用非线性数值分析方法，计算反向导引场自由电子激光器中平衡态电子的类熵量。结果表明：其值比正向导引场时更小，对应的平衡态电子束质量，一般都优于正向导引场情况下的电子束质量；而在反谐振点，类熵量剧增，电子束质量严重变坏，从计算得到的结论，与美国麻省理工学院的实验结果定性上一致。

系统地研究了用带有非线性倍频晶体的附加耦合腔来压窄激光光脉冲的动力学作用过程，报道了该锁模激光系统在瞬态平衡时输出脉冲宽度的具体表达式；另外，通过数值分析计算，给出了该系统锁模激光输出特性优于单腔情形的原因。

研究了赤道电离层等离子体交换不稳定性和大气重力波的耦合性质。如果没有外部扰动的影响，非线性效应使交换不稳定性饱和在一个很小的幅度上。在适当的条件下，重力波能触发交换不稳定性。如果重力波的幅度足够大，所触发的交换不稳定性的扰动幅度能达到５０％甚至更大，产生等离子体泡，本文的理论揭示了电离层大尺度扩展Ｆ的产生机制，可以解释许多重要的电离层观测现象。

用气相生长法生长了最大线度约为１．５ｍｍ的C60单晶。单晶Ｘ射线衍射分析结果表明，该C60单晶为ｆｃｃ结构，晶格常数为１．４１３ｎｍ，在２５１Ｋ附近与相变有关的电导率的尖锐跳变表明，C60单晶具有很高的纯度和良好的均匀性。观察到在２７４Ｋ附近激活能的变化，这可能是另一个相变的反映。

研究紧束缚近似下一个单点对角杂质和它向左右两个近邻杂质跃迁（混合杂质）的局域态的形成与性质。在整个讨论中充分利用了矩阵Ｇｒｅｅｎ函数方法。

利用直拉硅单晶中氧化物沉淀的生长，选择两步热处理制度，验证了Ｈａｍ有关扩散控制沉淀生长理论。并尝试应用Ｈａｍ理论对氧化物沉淀的形核进行处理。

用变分自洽方法求解了ｐ－ＨｇＣｄＴｅ金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构Ｎ型反型层子能带的基态能量Ｅ0及其与表面电子浓度的关系，计算中考虑了窄禁带半导体Hg1-xCdxTe带间相互作用所引起的非抛物带结构、波函数平均效应、共振缺陷态、Ｚｅｎｅｒ隧穿、以及电场在屏蔽长度内的衰减等因素，导出了子能带基态能量Ｅ0的计算公式并获得了与实验符合较好的结果。

利用ＳＴＳ测量并结合扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）扫描图象，给出一组沿石墨单晶表面原子分辨的ＳＴＭ图象上某一线段各点处的扫描隧道谱．ｄ（lｎI）／ｄ（lｎＶ）～ｅＶ由测量谱给出的样品表面ＥＦ附近局域态密度分布与由体能带结构计算得到的结果在一定程度上相符合，将各条曲线中ＥＦ附近的态密度峰能量对相应的空间位置作图，给出石墨表面EF附近能态密度在测量区域内实空间的变化。通过对表面不等价Ａ，Ｂ类原子处局域电子结构的分析并利用简单模型进行计算，给出了与实验

使用分子束外延方法生长了一种新的基于Ｓｉδ掺杂的AlxGa1-xAs/GaAs异质结，测量了０．３－３０Ｋ低温下异质结处二维电子气的横向磁阻、迁移率和Ｈａｌｌ电阻，磁阻的Ｓｈｕｂｎｉ－ｋｏｖ－ｄｅ Ｈａｓｓ（ＳｄＨ）振荡非常明显。对振荡曲线作快速Ｆｏｕｒｉｅｒ变换分析，获得了二维电子气中每一子能带上占据的电子数密度和有效质量（ｍ0*／ｍ0＝０．０７３，ｍ1*
. 1994 43(2): 282-288. 刊出日期: 1994-01-05 ]]>

使用分子束外延方法生长了一种新的基于Ｓｉδ掺杂的AlxGa1-xAs/GaAs异质结，测量了０．３－３０Ｋ低温下异质结处二维电子气的横向磁阻、迁移率和Ｈａｌｌ电阻，磁阻的Ｓｈｕｂｎｉ－ｋｏｖ－ｄｅ Ｈａｓｓ（ＳｄＨ）振荡非常明显。对振荡曲线作快速Ｆｏｕｒｉｅｒ变换分析，获得了二维电子气中每一子能带上占据的电子数密度和有效质量（ｍ0*／ｍ0＝０．０７３，ｍ1*
. 1994 43(2): 282-288. Published 1994-01-05 ]]> 1994-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1994 43(2): 282-288. article doi:10.7498/aps.43.282 10.7498/aps.43.282 43 2 1994-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.43.282 282-288 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.43.289

提出了用单频导纳谱法测量储硅单量子阶的能带偏移，与常规的多频导纳谱相比，它只需测一个频率的导纳谱就能得到更精确的实验结果。用该方法对Ｓｉ／Ｇｅ０．３３Ｓｉ０．６７／Ｓｉ单量子阱进行测试，得到激活能为Ｅa＝０．２０ｅＶ。为了计算出能带偏移值，必须能准确确定具有单量子阱结构样品中的费密能级位置，由于在单量子阱结构中费密能级的位置与阱材料、垒材料的掺杂浓度、阱的高度（即能带偏移）及温度等几个因素均有关。为此，本文通过解泊松方程，计算出结合本文样品

报道了Ｐｄ薄膜电阻率温度系数（ＴＣＲ）随不同薄膜厚度和不同退火温度的变化．实验结果表明：薄膜ＴＣＲ值远小于体材料的值，且对晶粒尺寸有一定的依赖关系；薄膜晶粒尺寸越大，其ＴＣＲ值也越大。采用晶粒间界散射的二流体模型对此结果进行了讨论。

利用Ｒａｍａｎ散射研究了Bi2Sr2-xBaxCuOy（ｘ＝０，０．２，０．４）单晶样品的声子振动性质。实验结果表明，在Bi2Sr2-xBaxCuOy体系的Ｒａｍａｎ谱中主要出现以下几个频率的特征振动模，即１９６，３００，４６０，６２５和６６０ｃｍ－１；而频率为１９６，３００，６２５，６６０ｃｍ－１<

研究了掺Ｂａ对Bi2Sr2-xBaxCaCu2Oy（０≤ｘ≤０．１５，０．３）单晶和多晶样品超导电性的影响，结果表明，有少量Ｂａ２＋离子进入了超导相，且有固溶度极限．对于２２１２相单晶，ｃ轴参数和Ｔc均随Ｂａ含量增加而增加；对于慢冷多晶样品，掺Ｂａ可明显提高Ｔc；然而对于淬大多晶样品，Ｔc没有明显变化，用掺Ｂａ

利用电子衍射方法发现Ｂａ的掺杂增强了Ｂｉ系２２０１相的非公度调制，即沿ｂ，ｃ方向的调制周期都明显下降。超导电性研究发现适量Ｂａ的掺杂（ｘ≤０．２）可提高２２０１相的Tc，但当ｘ≥０．３时，其Tc迅速下降，同时伴随超导相－绝缘相的转变。还利用Ｘ射线和紫外光电子能谱系统地分析了此体系的电子结构的特征，在此基础上综合地分析了该体系的非公度调制结构、电子结构与超导电性的相互关系，指出这种Ｂａ２＋对Ｓｒ２＋的同价元素的替代加剧了

对磁铅石型铁氧体，尖晶石型铁氧体，石榴石型铁氧体以及正铁氧体部分样品的磁卡效应进行了实验研究，研究了非磁性离子的代换对居里温度以及磁熵变的影响。

利用机械合金化方法获得了几种铜－锡合金，特别是熔融法不易获得的η-Cu6Sn5，Ｘ射线衍射结果显示球磨使各样品纳米化，并形成包含确定合金相的固溶体，穆斯堡尔谱表明，各固溶体中除包含合金相外，还存在富锡相及富铜相，提出在机械合金化过程中，首先铜和锡纳米化，然后两种原子相互扩散形成包含合金相、富α－锡相和富ｆｃｃ铜相的固溶体。

基于α石英的晶体结构，将红外发散响应模型和双势阱模型应用到含Ａｌ杂质的α石英中Ａｌ3+－空穴的取向变化弛豫过程，研究其低温介电损耗特性，结果表明Ｔ＜６．５Ｋ时，介电损耗的主要贡献来自于单声子助隧道弛豫过程；Ｔ＞１０Ｋ时，主要贡献来自于热跃迁弛豫过程；而在中间温区，介电损耗是两种过程的迭加，同一弛豫体不同的弛豫过程对应于不同的红外发散响应，还讨论了同一弛豫体引起的超声弛豫损耗。

提出了用能量为１．５－２．５ＭｅＶ的质子弹性背散射分析（ｅｌａｓｔｉｃ ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ，缩写为ＥＢＳ）来测定薄膜中的氧含量，这个方法对于厚度为几十纳米到几个微米的样品，测量精度约５％。采用ＲＢＳ分析并结合ＥＢＳ分析，可全面测得薄膜中各元素的含量。