在Ｌａｎｄａｕ规范下计算出均匀磁场中带电粒子的圆心相干态。利用这些圆心相干态可方便地描述带电粒子的圆周运动。这些圆周运动与经典力学的结果比较表明，圆心相干态描述系综中的平均运动．

定义了反映分子刚性的物理量，称为抗弯刚度Ｋ．给出了用具体的化学键结构和键的力常数计算Ｋ的方法．计算得ＰＡＡ，ａｎｉｓａｌｄｅｈｙｄｅ ａｚｉｎｅ和ＢＡ的Ｋ分别为３．１７×１０4，２．９３×１０4，４．１７×１０4ｎｍｋBＫ．导出了分子间位致弹性排斥势．提出了处理弹性棒分子体系的统计物理方法．对ＰＡＡ作了具体的数值计算，并讨论了向列序形成的微观机制：吸引势是主要的，但位致排斥势起十分重要的作用．

研究了电极材料（Ｐｔ／Ｔｉ）对铁电ＰＬＺＴ（７．５／６５／３５）陶瓷薄膜结构和性能的影响．认为在Ｐｔ层厚度一定时，Ｔｉ层的厚度对铁电薄膜的结构和性能有显著影响．当Ｔｉ层过厚或过薄时，铁电薄膜的结构较差；而当Ｔｉ层的厚度适中时，则铁电薄膜的显向下微结构均匀，电性能较好，典型的剩余极化强度和矫顽场分别为２７．８μＣ·ｃｍ-2和６５．１ｋＶ·ｃｍ-1．

在二能级模型的基础上，计算与实验测定了Ｎｅ原子1s5-4d1″能级间的双光子吸收截面，两者结果颇为一致．

用Ｌｉｏｕｖｉｌｌｅ空间投影算符作基，利用虚拟转动对基作用的性质来解决核磁共振中在脉冲和系统哈密顿作用下，高自旋系统弱耦合理论。给出演化公式及脉冲算符的解析分解．

用Ｎｅｗｎｓ－Ａｎｄｅｒｓｏｎ量子模型，计算了低能铯离子与涂有铯原子的钨表面（Ｃｓ／ｗ（１１０））碰撞时，由于电荷交换引起的末态电荷态的分布与Ｃｓ／Ｗ（１１０）表面功函数及表面温度的关系，计算结果与相应的实验符合得较好。同时，也给出了铯离子和原子与Ｃｓ／Ｗ（１１０）表面相互作用过程中粒子电荷态变化的全过程，并对两者作了比较．

用分子动力学方法对金属界面在弯曲状态下的力学行为做了模拟计算．在自行设计的两种弯曲模型中，首先比较了Ａｇ／Ｎｉ在不形成界面、形成界面（错配比约为１５％）以及Ｃｕ／Ｎｉ形成界面（错配比约为３％）时在动态弯曲过程中的势能－应变曲线，应力－应变曲线，模量－应变曲线，通过比较得出的结论是：界面的存在影响很大，失配位错影响界面的性质，并且错配比不同界面的力学性质亦不相同．同时，对计算元胞的尺寸效应做了详细的讨论，给出了用于计算机模拟中比较适宜的计算元胞的尺寸．最后，利用圆弧弯曲模型将静态平移周期性边界条件应用于动态

研究了双模腔场中两个偶极相互作用原子的辐射谱，详细讨论了双模腔场分别处于不同数态时的情形，发现其辐射谱具有如下特点：当两模腔场均处于真空态时，随着δ＝ｇa／ｇ的增加，辐射谱交替出现六峰、五峰结构，且在δ（＝３－１／２）很小时就出现了非对称五峰结构，与单模双原子情形相比较，更为灵敏地反映出原子间的偶极相互作用；当一腔场为真空场，另一腔场为强场时，辐射谱显示出对称的六峰结构，任意两对称峰的间距与(2ｎ2)１／２ｇ成正比；当

基于前向四波作用模型，在局域响应的ＬｉＮｂｏ3：Ｐｅ晶体中抽运光能转移是可能的．利用这个模型说明了信号光放大和高阶衍射光形成的实验结果．

利用染料分子带模型，探讨了染料环形腔系统的光学双稳特性，得到光学双稳可在一个比较大的频率范围内实现；其双稳区域是染料分子带结构参数（带宽及偶极分布的Ｌｏｒｅｎｔｚｉａｎ宽度等）的函数．

用非线性自陷方程的动力学理论计算了水分子、液体水和水蒸汽等的ＯＨ和ＨＯＨ键的非线性振动的量子振动能谱，所得结果与实验值符合得较好，也比简正模式和局域模式的结果较好．

利用北京同步辐射光源，对居里点在室温附近的掺铁钽铌酸钾光折变晶体进行了Ｘ射线白光形貌术研究．观察显示，晶体内部除了杂质偏析物和一组沿［０１０］方向的生长层外，还有一组与之正交的畴组态，后者被发现不满足一般面缺陷的衬度消光规律，仅有异常散射效应揭示其衬度．利用同步辐射波长的可调谐性，揭示了该组畴随波长改变其衍时衬度变化的规律，而且畴的衍射强度被发现违背Ｆｒｉｅｄｅｌ定律．依据实验证据，这组畴被确认为１８０°铁电畴．对畴形成原因和晶体生长特性进行了讨论．

利用了自旋１／２二维Ｉｓｉｎｇ模型及其“不等式方法”，确定了三元Ⅲ─Ｖ半导体会金（００１）面外延生长中的二维平面基态有序结构和基态相图，并通过层状叠加得到了合金中可能出现的长程有序结构，较好地说明了实验发现的（００１）衬底外延生长中的长程有序现象．

在２７ｋｅＶ Ａｒ+离子轰击时，用收集膜技术结合俄歇谱仪（ＡＥＳ），研究了三元合金Cu76Ni15Sn9系统的择优溅射行为。同时使用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）与电子探针微分析（ＥＰＭＡ）．观察了靶点表面形貌变化并测定了形貌特征微区的合金组份原子的相对百分浓度。结果表明，Ｃｕ原子较Ｎｉ原子、Ｎｉ原子较Ｓｎ原子，在所测定范围（０─６０°）内择优发射。最后讨论了靶点表面形貌特征和“元素局域富集”现象对择优溅射过程的影响。

利用平面磁控溅射技术，制备了Ｗ／Ｃ超薄多层膜样品。低角Ｘ射线衍射测试、透射电子显微镜显微剖面分析给出了该样品的结构参数，由这些结构参数模拟给出的光学特性与实测的4．４７ｎｍ的绝对反射率角谱有较一致的表现。

对三种不同晶面（（１００），（１１０）和（１１１））的超晶格（ＡｌＡｓ）1（ＧａＡｓ）1，（ＡｌＡｓ）3（ＧａＡｓ）3的电子结构进行了第一性原理的计算，采用冻结势万法系统地分析了在不同的晶向和不同的周期层厚度的情况下，超晶格界面处的电荷转移、平均键能的对齐行为和价带边的不连续性。进一步从第一性原理的数值计算上检验了以平均键能为能量参考的异质界面价带边不连续性的理论计算方法。

报道了ｘ＝０．２１４组份、低补偿度（Ｋ《１）ｎ－Ｈｇ1-xＣｄxＴｅ晶体在０．３─３０Ｋ温度范围，０─７Ｔ强磁场下的横向磁阻、电子霍耳迁移率、霍耳系数测量结果，观测到了磁致金属－绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为。分析实验数据，提出：低补偿度、组份：ｘ＝０．２附近的ｎ－Ｈｇ1-xＣｄxＴｅ，磁致金属－绝缘体相变（ＭＩＴ）发生的机理是载流子在浅施主杂质态上的磁冻结；发生磁冻结的前提是热冻出（ｔｈｅｒｍａｌ ｆｒｅｅｚｅ

报道了超导陶瓷ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ6+δ与铁电陶瓷ＢａＴｉＯ3进行复合的结果。研究了该复合功能陶瓷的物相、（超）导电性和低温电阻温度特性。结果表明，采用合理的合成工艺，可得到呈现混和分布的两相复合功能陶瓷材料；该复合材料的电导特征符合三维渗流导电行为，发现在较高ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ6+δ含量时，样品呈超导电性，并对此作了初步讨论。

采用变分方法，比较了超欧姆耗散两能态系统中位移变分态和位移－压缩变分态的特性。通过研究发现，在强耦合区域，位移－压缩态较稳定，其基态性质不仅取决于谱密度，而且还依赖于耦合强度ｇ1～ω1λ的指数λ；位移－压缩态稳定的区域将随λ减小而增加。对于欧姆耗散两能态系统，在位移－压缩态退局域相区域亦有同样的特性，且该区域亦随λ减小而增加。

利用稳态量子ｒｅｐｌｉｃａ对称自旋玻璃理论，研究了具有Ｄｚｙａｌｏｓｈｉｎｓｋｉｉ－Ｍｏｒｉｙａ（缩写为ＤＭ）各向异性相互作用的Ｓｈｅｒｒｉｎｇｔｏｎ－Ｋｉｒｋｐａｔｒｉｃｋ自旋玻璃在外场中的热力学性质。数值计算了不同外场和各向异性作用的自旋为１／２和１的熵、比热、局域磁化率和相应的序参数随温度的变化。发现局域磁化率与热场动力学的结果相符合。特别地，本文的比热－温度曲线能满意地解释Ｂｒｏｄａｌｅ等实验观察到的不同磁场下的交叉特征。

报道了在ｃ向切割ＬｉＮｂＯ3：Ｆｅ晶体薄片的前向光散射中观察到的一种新的类似鸭蛋形的各向异性衍射光环图样，并且提出了由入射光、强的背向散射光而引起的四波混频各向异性光散射机制，圆满地解释了有关实验结果。