研究了硼的2Ｐ01（基态），2Ｐ02，2Ｐe1和4Ｐe1４个Ｎ＝２共壳Ｐ态结构的定性特征，表明了电子关联对自旋极性的依赖，显示了各量子态对取向（相对于总角动量Ｌ）的偏爱，研究了它们的几何结构和内部运动模式，侧重探讨了量子力学对称性对微观系统的决定性效应。

报道Ｃｓ原子里德伯态Ｓｔａｒｋ能级场电离阈值与｜ｍl｜依赖关系的实验研究结果，从实验上同时测得Ｃｓ原子｜ｍl｜＝０，１，２三种态的电离阈值表达式。

简要描述参数化反散射方法的要点，包括ＷＫＢ和量子两种形式，然后以一个模型势为例，对反散射方法作了仔细的检验。

采用一种简单的实验方法测定低能区几种离子与Ａｕ碰撞产生Ａｕ的Ｌ3空穴态的定向度，及定向度的入射离子能量相关性；同时在平面波玻恩近似理论基础上加上库仑偏转效应的校正进行了理论计算，改善了实验点与平面波玻恩近似理论计算的符合程度，讨论了有关空穴态定向行为。

在ＬｉＮｂO3：Ｆｅ晶体中实现了光折变实时相关存贮。它兼备存贮器与相关器两种器件的优点，又具有光折变器件的实时特点，因而可从数个被存贮的信息中实时、快速地挑选出与输入信息相关的信息。从相关点的强度和位置可立即得到孩信息与输入信息的相关程度和编码序数，其原理基于光折变匹配滤波器的筛远性。因此该器件具有广阔的应用前景。

研究了非旋波近似下Ｊａｙｎｅｓ－Ｃｕｍｍｉｎｇｓ（Ｊ－Ｃ）模型中的场熵演化规律，并与旋波近似下的相应结果进行比较，讨论了虚光子过程对场熵演化的影响。

研究了Ｂａｒｇｍａｎ指标为ｋ＝１／４和ｋ＝３／４的两种ＳＵ（１，１）相干态光场的特性，证明了两种相干态具有不同的量子统计特性，并讨论了光场初始处于ＳＵ（１，１）相干态时，双光子Ｊａｙｎｅｓ－Ｃｕｍｍｉｎｇｓ（Ｊ－Ｃ）模型中，原子的动力学行为及粒子数反转随时间的演化，证明了与初始一般相干态光场不同，原子展现出特殊的周期振荡和脉冲行为。

就激光对组成ＭＯＳ结构电荷耦合器件材料和整个器件的产生硬破坏的过程进行了理论和实验研究。提出激光的热作用和等离子体冲击波的机械作用是导致电荷耦合器件结构被破坏的主要原因。得到了ＹＡＧ激光致使组成电荷耦合器件的半导体材料的光学击穿阈值、视见损伤阈值、热熔融阈值和致使整个器件失效的激光功率阈值等有关结果。

基于连续波背景上的小振幅近似，研究了自变陡效应对正常色散区和非常色散区孤波传输动力学的决定作用。在计及损耗和增益，以及Ｒａｍａｎ自泵的光纤中，两种色散区中均存在明孤波和暗孤波，尤其是发现了与通常明、暗类型相反的小振幅明、暗孤波。

对１─１００ｅｖ的低能位子轰击Ｓｉ（００１）－２×１表面进行了分子动力学模拟研究，利用二维偶对相关函数分析了低能轰击对表面层原子行为的影响。研究表明，１０ｅＶ，１００ｅＶ粒子的轰击，一方面增强了表面原子形成二聚体的能力，使表面二聚体成键数量增加；另一方面，也使表面原子的排列更趋无序。１ｅＶ的粒子对表面原子行为的影响不大，只是使表面原子的振动加剧。

利用微束卢瑟福背散射能谱（Ｍ－ＲＢＳ）分析方法，对Ａｌ70Ｓｎ30合金表面的两种微相区（Ａｌ富集相区和Ｓｎ富集相区），在２７ｋｅＶＡｒ+离子轰击（总剂量为１.４×１０18Ａｒ+／ｃｍ2）前后，分别测定了Ｓｎ原子的深度分布。实验结果表明，在Ａｌ富集相区和Ｓｎ富集相区之间，以及各相区在离子溅射前后，Ｓｎ原子浓度深度分布曲线是不相同的。

应量汞弧光灯作加热光源的背表面检测光热技术和有限差分热流模型研究了ＺｒＯ2涂层的热导和热扩散率。其值分别为：ｋ＝０．００６９Ｊ／ｃｍ·Ｋ·ｓ和α＝０．００２８ｃｍ2／ｓ．结果表明对于带涂层的多层系统的光热检测，有限差分热流模型法是一个有效的数据处理方法。

基于同一格点的电子相关，把局域方法用于Ｈｕｂｂａｒｄ－Ｈｉｒｓｃｈ模型铁磁相。在二阶计算中使用Ｒ＝０，ａ近似，仔细研究了电子相关效应对基态相图的影响．由于计及了密度矩阵非对角元，其影响与Ｒ＝０近似相比变弱。

本文采用扩展的Ｈｕｂｂａｒｄ模型，在电子－晶格耦合的紧束缚近似下，研究了光激发下的Ｃ60，分子的激子态和极化子态。我们发现，电子关联效应相当敏感地影响到单态和三态激子的束缚能。同时，Ｃ60分子动力学晶格弛豫使激子极化子得以形成。光激发下的Ｃ60分子，在电子相互作用Ｕ～５．０ｅＶ，Ｖ～２．０ｅＶ时，能够定性地解释荧光发射谱。

测量了ＢａＳｎ1-xＳｂxＯ3-δ和Ｂａ1-yＬａyＳｎＯ3-δ样品的低温电阻率和磁化率．实验结果表明，在较低温度区域，两类样品的导电机制均是传导电子的范围可变跳跃。而在较高温度区域，ＢａＳｎ1-xＳｂxＯ3-δ样品的电导主要是电子从定域态到扩展态的跃迁所贡献，Ｂａ1-yＬａyＳｎＯ3-δ样品的电导则可能来源于电子的最近邻跳跃。

报道等离子体化学汽相沉积法制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＣ：Ｈ超晶格的蓝移现象，用小角度Ｘ射线衍射确定超晶格的界面陡度。通过红外测量和常数光电流测量发现，超晶格界面附近存在较高浓度的Ｈ和较多的Ｓｉ－Ｃ键，界面Ｈ的热稳定性较差，界面缺陷态密度为１．２×１０１１ｃｍ-2。

系统地研究了Ｒ1-xＰｒxＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ的超导Ｔc与Ｐｒ替代浓度ｘ的关系。发现在离子半径ｒi≤ｒi（Ｄｙ）时，在低Ｐｒ浓度范围内存在一个超导Ｔc平台，并且平台宽度表明一个Ｒ３＋离子尺寸效应。我们认为，Ｔc平台宽度的离子尺寸效应可能起源于Ｐｒ４ｆ电子局域态的改变。提出一个临界Ｒ３＋离子半径ｒic，ｒi＞ｒic时ＲＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ的超导电性消失

利用飞秒脉冲激光与泵浦－探测技术测量了ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ７－δ（其中δ＝０．０，０．１，０．４，０．８）外延薄膜的瞬态反射率改变随时间变化曲线。由于氧含量的不同使得样品瞬态反射率改变随时间变化曲线有很大差异。瞬态反射率改变随时间变化的曲线符号变化可以理解为氧含量的变化改变了样品费密面附近的能带结构。对实验数据的拟合表明δ＝0．４的样品电声子耦合远弱于高Ｔcδ＝０的样品。

对准一维有机铁磁体ｐｏｌｙ－ＢＩＰＯ体系的磁性机理进行了研究。详细考虑了该体系中的电子跳跃、电子关联及派尔斯不稳定性，自洽地计算了其能带结构和自旋密度分布，并数值地研究了各因素对系统特性的影响。结果发现该体系基态为稳定的铁磁态．

用电子自旋共振方法研究光纤的γ射线辐照缺陷情况。结果发现，射线辐照产生一系列同磁缺陷，缺陷中心的浓度随着辐照剂量的增加而增加；缺陷的种类主要是Ｅ＇心、非桥连氧空穴心和过氧根（ＯＨＣ）心，并对它们形成的机制进行了分析和讨论。

用Ｘ射线衍射、Ｘ射线光电子能谱、透射电子显微镜和差示扫描量热法对溅射法制备的Ａｇ超微粒子的晶体学结构、表面组成、微粒形态和热力学性质进行了分析。结果表明，所制备的微粒为内部为Ａｇ、表面为Ａｇ2Ｏ的两相微粒，以及单一的Ａｇ2Ｏ微粒，粒径在１０ｎｍ以上的微粒没有确定的外形，粒径在１０ｎｍ以下的微粒为球形。微粒有不同于块体金属Ａｇ的异常热效应。到４０天时，沉积在碳膜上的Ａｇ，Ａｇ2Ｏ两相微粒有一部份还原形成了单一的金属Ａｇ超微粒子。

通过对动态存储时间的测量，分析了ｘ＝０．３１的ｎ型碲镉汞（Ｈ1-xＣｄxＴｅ）ＭＩＳ器件的少子暗电流机理．理论计算和实验结果都表明，在其工作温度区域（～７７Ｋ），通过禁带中深能级中心辅助的间接隧道电流将限制器件的电学性能。

采用光学发射谱（ＯＥＳ）技术对脉冲ＴＥＡ ＣＯ2激光诱发ＳｉＨ4＋ＣＨ4系统击穿产生的等离子体辐射进行了时间分辨的光谱测量。结果表明等离子体内分子的各碎片发光均在气体击穿时刻开始出现，但具有不同的时间特性，由此探讨了气体分子的分解过程。分析结果支持激光诱发ＳｉＨ4＋ＣＨ4等离子体内的主要离解通道为产生Ｓｉ，Ｃ原子通道的分解动力学机制的解释。据此观点讨论了气体分解碎片间的反应过程。实验与理论符合较好。

研究耦合ＳＵ（５）Ｅｉｎｓｔｅｉｎ－Ｙａｎｇ－Ｍｉｌｌｓ－Ｈｉｇｇｓ（ＥＹＭＨ）系统。得到了场方程的一类静态球对称Ｒｅｉｓｓｎｅｒ－Ｎｏｒｄｓｔｒｏｍ（Ｒ－Ｎ）型解，它代表具有ＳＵ（５）双荷子（磁荷为±3/(2e)）的静态黑洞。

给出与Ａｃｃｅｔｔａ等人所得到的完全不同的Ｂｒａｕｓ－Ｄｉｃｋｅ（B－Ｄ）理论真空虫洞解，且表明这类虫洞与所得到的其他虫洞不同，其喉的尺度是随着Ｅｕｃｌｉｄｅａｎ宇宙时间的增大而线性增大。