研究了特殊线性李超代数SPL(2,1)在齐次和非齐次多项式空间上的微分实现,以及对应的齐次和非齐次玻色-费密实现。

研究了一种二能级原子与辐射场的双光子相互作用模型的混沌行为。结果表明,该模型在不加扰动项或调制项时,即存在着混沌演化行为。以正的李亚普诺夫指数和功率谱的宽峰以及强噪声背景为标志,对混沌行为的特性作了讨论,并证明了在旋转波近似下所得到的双光子Jaynes-Cummings模型并不存在混沌演化行为。

研究了中子星内部从两味夸克物质到三味夸克物质的相变过程。发现这个过程的时标短至10-7s,并且在相变中奇异夸克所参加的半轻子过程是中微子能量损失的主要过程。这样,1.4M⊙质量的中子星内部的非奇异-奇异夸克物质相变会有几个1051erg的能量以中微子形式发射出去,这将表现为一种中微子爆现象。

解决介质中共振辐射的关键问题是求解Holstein方程。本文直接利用算符运算将方程积分,给出了激发态粒子集居数的含无限项的级数表达式。基于对这个级数高阶系数的极限行为的研究,成功地克服了无穷项求和的困难,整理出一个在任意给定精度下都只含有限项的解式,由它可以计算出任何时刻的结果。

由双光子过程密度矩阵元运动方程,运用生成函数方法,求得双光子吸收过程中振幅N次方压缩的解析表达式,分析了振幅N次方压缩随无量纲时间τ,阶数N,入射光场相位角θ及平均光子数│a│2的变化情况,论证了N次方不同的振幅压缩效应的独立性。双光子吸收过程也是产生振幅N次方压缩效应的有效途径之一。

研究一个外场驱动上能级相干的能级系统。它可用来在任意态(裸态和缀饰态)均无粒子数反转时获得激光。

采用速率方程理论研究C60分子实现反饱和吸收的动力学过程,以YAG倍频调Q脉冲激光照射C60甲苯溶液,实验验证了理论模拟的正确性。还分析了分子各能级对反饱和吸收的贡献以及不同激光波长和脉宽对反饱和吸收的影响。

由两个位相型衍射光学元件构成的光学变换系统可以实现一般圆对称光束的波前变换。在只需满足菲涅耳衍射近似条件下,采用稳相法与输入输出法相结合,可以设计出具有较高精度的光学变换系统。

介绍了激光加热Cu靶和NaF靶发射的在1.2keV区X射线转换效率的测量方法和实验结果。结果表明,在激光辐照功率密度为1×1013—1×1014W·cm-2条件下,激光波长为1.06μm或0.53μm时,Cu等离子体发射的1.2KeV区X射线的转换率为NaF等离子体的4—5倍;对此两种等离子体,激光波长为0.53μm的X射线转换效率是波长为1.06μm的2倍左右。

在Littlejohn的带电粒子引导中心拉格朗日体系下,讨论了电子回旋波对磁镜等离子体中捕获电子与逃逸电子的影响,给出了捕获电子变成逃逸电子以及逃逸电子被电子回旋波捕获的条件,并计算了它们的相互转化的概率。

研究了NaCl晶粒在室温下大气环境中扫描隧道显微术(STM)成像性质。对不同形态大小的NaCl晶粒所作的研究表明:离子导电在隧道过程中起着关键作用。由于离子导电机理和强电场的作用,造成STM图像存在“牵引现象”,使针尖分辨能力降低。样品与针尖之间的偏压、环境湿度对隧道状态有较大的影响。

利用非晶晶化法制备了(Fe0.99Cu0.01)78Si9B13纳米晶合金。发现其显微硬度Hv与晶粒尺寸d之间基本服从Hall-Petch关系。利用M?ssbauer谱研究了晶粒尺寸为30nm的材料中类金属原子的分布及其对晶化相电子结构的影响。

用解析方法讨论了当两平行墙对流体施加不同的作用势时流体的浸润相变。系统的状态很敏感地依赖于两墙的作用势和两墙间距离的大小。即使两墙差别很小,在一定条件下仍可发生浸润一墙而不浸润另一墙的现象。系统中发生的浸润相变可能是一级的,也可能是二级的。

用可调探测深度的电子能量损失谱辅以俄歇电子能谱和低能电子衍射,研究Sn/Si系统的界面反应。结果表明:当Sn蒸镀量大于两个原子单层,退火温度由400℃到700℃,在Sn/Si(111)界面Sn与Si发生互混,形成几个原子层厚的Sn/Si互混层,该互混层的特征体峰在15.5eV。在相同温度范围退火,Sn/Si(001)界面无可察觉的互混,仍有Sn岛存在,长时间在550℃退火低能电子衍射图形上出现(113)小晶面的衍射斑。

用分离变量(DV)-Xα方法计算了氧化钇稳定立方氧化锆晶体中氧空位和二价和三价钴杂质离子的电子结构。用各种簇模拟氧空位的不同组态和钴离子的不同配位。报道了各种簇的单电子本征值和电荷分布。用过渡态计算获得光学跃迁的能量,并与实验数据进行了比较。讨论了组分和热处理对晶体吸收光谱的影响。

用深能级瞬态谱(DLTS)详细研究了硅离子注入Liquid-encapsulated Czochralski(缩写为LEC)半绝缘GaAs的深中心。结果表明,在注硅并经高温退火的有源区中观测到4个多子(电子)陷阱,E01,E02,E03和E04。它们的电子表观激活能分别为0.298,0.341,0.555和0.821eV。其中E04与EL2有关,但不是EL2缺陷。E04的电子

在自然边界条件下,研究了含有两个杂质离子的反式聚乙炔链中孤子对的稳定性和电子能级结构。所用哈密顿量在SSH模型基础上,附加了一个端点势,并包含了杂质的屏蔽库仑势及格点上e-e相互作用。计算结果显示,杂质离子的库仑作用力程足够长时,链中形成稳定的孤子对,链端的影响增强这种稳定性。带隙宽度随链的增长而变窄,但孤子能级至导带底的跃迁能量随链长变化不明显。

用经验的紧束缚方法对短周期的(Si)n/(Ge)m形变超晶格的电子态进行了计算。结果表明,由于布里渊区折迭的要求,只有当n+m=10时超晶格才可能产生直接能隙。对周期为n+m=10的超晶格,Γ,N,△处的导带谷间的相对位置对直接能隙的形成具有决定作用,而n的大小与衬底的组分对此有极大影响。(Si)6/(Ge)4和(Si)8/(Ge)2超晶格在Si1-xG

用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究了金在p型晶向硅MOS结构Si/SiO2界面区中的行为。结果表明,金与Si/SiO2界面缺陷Hit(0.494)相互作用形成新的缺陷Au-Hit(0.445),和金在硅的禁带中产生一个能量分布很广的连续界面态,利用这些界面态可以合理地解释金使硅MOS结构平带电压向正方向移动的物理机制。结果还表明,在Si/SiO2界面附近的半导体中,金施主中心的剖面分

利用低能电子衍射(LEED)、X射线光电子能谱(XPS)、电子能量损失谱(EELS)、紫外光电子能谱(UPS),对室温下Mn在GaAs(100)4×1表面的淀积过程进行了研究。研究结果表明,当锰的覆盖度θ≥0.25nm时,LEED图案完全消失,表明Mn没有生长成单晶。LEED,EELS的结果都表明淀积初期是层状生长的。对XPS的Ga2p3/2,As2p3/2的峰形、强度进行分析,可以知道在很小的覆盖度下,Mn就与衬底反应。置换出的Ga被局限在离原来的界面约3nm

研究了磁控溅射Mo薄膜的电阻率与薄膜厚度的关系。对Mo薄膜的电阻率进行了原位测量,得到电阻率与薄膜厚度的实验曲线。经拟合计算得到Mo薄膜电阻率与薄膜厚度关系的理论曲线。将实验曲线与理论曲线比较,结果显示在薄膜厚度较大时,电阻率与薄膜厚度的关系与Fuchs-Sondheimer(F-S)理论基本符合,如果计入晶粒尺寸对电阻率的贡献则完全符合F-S理论。并得到Mo薄膜尚未形成连续性薄膜前的导电机制为热电子发射机制的结论。

研究了低通量(～108n/cm2)慢中子对Y系、Bi系及其掺杂高Tc超导体(HTSC)正常态电阻的影响及其机理。实验结果表明,HTSC在低通量慢中子辐照后,正常态电阻R不仅不遵从随辐照通量φn按指数增加的规律,而且还会较大幅度地减小。

基于分形振子(fracton)-电子相互作用,提出了一个无序超导的动力学理论;证明了无序超导体中的电子通过交换虚分形振子可能产生一个有效的吸引作用,它使得具有相反波矢和自旋的电子组成库珀对,从而导致超导。本理论从动力学观点导出了渗流超导的临界温度。

通过引入不同概率的双峰无规神经激活阈分布,来考虑对神经网络“记忆”恢复特性的影响,结果表明即使储存模式数超过孤立Hopfield模型的临界值αc时系统仍然能成功地恢复储存信息。

在用闪蒸法制备的非晶NdxFe1-x薄膜中Nd的原子磁矩呈散铁磁性排列,其有效磁矩随Nd含量增加而减小。磁有序温度Tc的值与外场和测量方法有关,表明了具有不同磁有序温度的磁性原子团的存在。交换交互作用,而不是自发磁化强度,明显地受制备条件的影响。

用溶液成膜、液氮淬火、熔融慢冷和热处理4种方法制得不同结晶度的VDF/TrFE共聚物试样。在已改进的介电弛豫谱仪(精度由原来的1％提高到2‰)上测得复数介电常数。从结晶度为20％的淬火试样室温以下的介电频率谱中发现了非晶介电弛豫,并由此得到了玻璃化温度与共聚物组分含量的关系。