详细分析了三维各向同性振子的三种典型的q形变形式。这三种q形变哈密顿量分别具有S3,SUq(2),及Uq(3)对称性。特别地,在第三种情形下给出Uq(3)?SOq′(3)的具体实现。利用形变泛函映射,讨论了q形变振子与经典振子间的关系。
详细分析了三维各向同性振子的三种典型的q形变形式。这三种q形变哈密顿量分别具有S3,SUq(2),及Uq(3)对称性。特别地,在第三种情形下给出Uq(3)?SOq′(3)的具体实现。利用形变泛函映射,讨论了q形变振子与经典振子间的关系。
为了理解格子气自动机的热性质,本文用12bit六方格子多重速度模型模拟了静止流和Couette流的流场分布和温度分布。模拟结果与理论结果进行了比较,得出了有益的结论。
为了理解格子气自动机的热性质,本文用12bit六方格子多重速度模型模拟了静止流和Couette流的流场分布和温度分布。模拟结果与理论结果进行了比较,得出了有益的结论。
应用位置空间重整化群方法,对引入“鬼”场的二维次近邻正方格点渗流模型进行研究,得到临界值Pc和临界指数α,β,γ,ν,δ,η。
应用位置空间重整化群方法,对引入“鬼”场的二维次近邻正方格点渗流模型进行研究,得到临界值Pc和临界指数α,β,γ,ν,δ,η。
研究了激光场的空间非均匀性、探测器接收角(或孔径光阑)的大小对强场自电离光电子谱的影响,结果表明,上述因素对光电子谱有显著影响,当探测器接收角(或孔径光阑)较小时,光电子谱出现峰开关效应;而当接收角(或孔径光阑)较大时,峰开关效应则被完全破坏。
研究了激光场的空间非均匀性、探测器接收角(或孔径光阑)的大小对强场自电离光电子谱的影响,结果表明,上述因素对光电子谱有显著影响,当探测器接收角(或孔径光阑)较小时,光电子谱出现峰开关效应;而当接收角(或孔径光阑)较大时,峰开关效应则被完全破坏。
提出一种描述自旋体系密度算符演化的新方法,可统一处理核磁共振波谱学中强、弱偶合自旋体系及弱射频场存在下密度算符的演化。具体分析一些核磁共振实验:自旋轻扰、自旋锁定、偶极耦合作用、强耦合AB和ABX自旋体系的演化。
提出一种描述自旋体系密度算符演化的新方法,可统一处理核磁共振波谱学中强、弱偶合自旋体系及弱射频场存在下密度算符的演化。具体分析一些核磁共振实验:自旋轻扰、自旋锁定、偶极耦合作用、强耦合AB和ABX自旋体系的演化。
本文将文献[1]中提出的方法应用于电子-氢原子弹性散射角分布的计算。对所得结果作了讨论,并与实验数据作了比较,符合程度比较好。
本文将文献[1]中提出的方法应用于电子-氢原子弹性散射角分布的计算。对所得结果作了讨论,并与实验数据作了比较,符合程度比较好。
将文献[1]提出的多重散射展开方法用来计算正电子-氢原子的弹性散射角分布。对结果作了讨论,并与其他作者的结果作了比较。结果表明,多重散射展开方法的数值计算相当简单,而精确度又与其它较为复杂的方法相当。
将文献[1]提出的多重散射展开方法用来计算正电子-氢原子的弹性散射角分布。对结果作了讨论,并与其他作者的结果作了比较。结果表明,多重散射展开方法的数值计算相当简单,而精确度又与其它较为复杂的方法相当。
根据Pegg-Barnett相位定义,计算了Fock态、相干态、压缩态、孪相干态、纠缠态等光场的相位概率分布函数,以及一些单模光场在介质中传播时的相位分布函数随时间的演化情况,并作了数值模拟。
根据Pegg-Barnett相位定义,计算了Fock态、相干态、压缩态、孪相干态、纠缠态等光场的相位概率分布函数,以及一些单模光场在介质中传播时的相位分布函数随时间的演化情况,并作了数值模拟。
研究了两个双能级原子与真空腔场具有不同相互作用强度时的自发辐射线型。在一般情况下,两原子系统的“真空场拉比劈裂”存在12峰结构。单原子的双峰结构和两等同原子的6峰结构可作为特例得出。
研究了两个双能级原子与真空腔场具有不同相互作用强度时的自发辐射线型。在一般情况下,两原子系统的“真空场拉比劈裂”存在12峰结构。单原子的双峰结构和两等同原子的6峰结构可作为特例得出。
在外加磁场的情况下,对单模均匀展宽CO2激光器进行了实验研究。改变磁场的大小,观察到了自脉动和混沌现象,同时还获得了该系统的奇异吸引子,并对其物理机制进行了探讨。
在外加磁场的情况下,对单模均匀展宽CO2激光器进行了实验研究。改变磁场的大小,观察到了自脉动和混沌现象,同时还获得了该系统的奇异吸引子,并对其物理机制进行了探讨。
用二维波动力学耦合模理论研究了带Wiggler场平板型部分填充介质的FEL。研究结果表明,该系统可用低能电子束产生对介质厚度无特殊要求的短波长FEL。适当选择参数,可使其增长率和效率高于普通自由电子激光和切仑柯夫自由电子激光,并证明本系统超辐射放大的工作主模应是纵向截面电场模。
用二维波动力学耦合模理论研究了带Wiggler场平板型部分填充介质的FEL。研究结果表明,该系统可用低能电子束产生对介质厚度无特殊要求的短波长FEL。适当选择参数,可使其增长率和效率高于普通自由电子激光和切仑柯夫自由电子激光,并证明本系统超辐射放大的工作主模应是纵向截面电场模。
报道类氦Al用离子2p—3d粒子数反转的理论与实验研究结果,实验中观测到ls2p—ls3p能级间的粒子数反转,详细研究了其反转系数与激光等离子体参数及靶结构的相互关系,并与理论计算结果进行了比较,得到了令人满意的结果。
报道类氦Al用离子2p—3d粒子数反转的理论与实验研究结果,实验中观测到ls2p—ls3p能级间的粒子数反转,详细研究了其反转系数与激光等离子体参数及靶结构的相互关系,并与理论计算结果进行了比较,得到了令人满意的结果。
在流体或固体介质中,微扰法求解非线性声波的反射和折射问题时,谐波场通常满足非齐次波动方程。应用分离变量法及拉格朗日变动参数法求它的特解,出现了待定的分离常数,给这类非线性声学边值问题带来困难。本文结果表明,为不使定解问题出现佯僇,其独立的特解只有两类,一类是沿边界法线方向有积累效应的解,另一类则是沿平行边界面方向上有积累效应的解,由定解条件来决定究竟选用哪一类解。应用这个结果研究了平面边界的反射和折射谐波,该理论对非线性声学中的平面边值问题有普遍的应用意义。
在流体或固体介质中,微扰法求解非线性声波的反射和折射问题时,谐波场通常满足非齐次波动方程。应用分离变量法及拉格朗日变动参数法求它的特解,出现了待定的分离常数,给这类非线性声学边值问题带来困难。本文结果表明,为不使定解问题出现佯僇,其独立的特解只有两类,一类是沿边界法线方向有积累效应的解,另一类则是沿平行边界面方向上有积累效应的解,由定解条件来决定究竟选用哪一类解。应用这个结果研究了平面边界的反射和折射谐波,该理论对非线性声学中的平面边值问题有普遍的应用意义。
利用X射线双晶衍射方法,对从同一Si(111)基片上切割的两块样品,在不同电解电流密度下,腐蚀形成的多孔硅层相对于基体硅的晶格畸变进行了分析。这两块样品晶格的畸变明显不同。其中电流密度较小的样品畸变较大,其多孔硅层对于基体硅在垂直和平行于晶体表面的方向上,晶格有不同程度的膨胀,搁置一段时间后,两者晶格渐渐匹配,但存在着弯曲。两者的(111)晶面取向亦有偏差。电流密度较大时多孔硅层较厚,其双晶反射强度很低,且弥散地迭加在基体硅反射峰上。
利用X射线双晶衍射方法,对从同一Si(111)基片上切割的两块样品,在不同电解电流密度下,腐蚀形成的多孔硅层相对于基体硅的晶格畸变进行了分析。这两块样品晶格的畸变明显不同。其中电流密度较小的样品畸变较大,其多孔硅层对于基体硅在垂直和平行于晶体表面的方向上,晶格有不同程度的膨胀,搁置一段时间后,两者晶格渐渐匹配,但存在着弯曲。两者的(111)晶面取向亦有偏差。电流密度较大时多孔硅层较厚,其双晶反射强度很低,且弥散地迭加在基体硅反射峰上。
对用MOMBE法生长的重C掺杂p型GaAs进行了Raman散射研究,结合理论分析,较好地解释了p型GaAs中纵光学(LO)声子与空穴等离振子耦合(LOPC)模的Raman散射特性,证明它具有与n型状态不同的特点,根据实验结果讨论了重掺杂对Raman散射谱的影响,发现LOPC模的散射峰特征(位置和宽度)与重掺杂效应程度具有很大关系。
对用MOMBE法生长的重C掺杂p型GaAs进行了Raman散射研究,结合理论分析,较好地解释了p型GaAs中纵光学(LO)声子与空穴等离振子耦合(LOPC)模的Raman散射特性,证明它具有与n型状态不同的特点,根据实验结果讨论了重掺杂对Raman散射谱的影响,发现LOPC模的散射峰特征(位置和宽度)与重掺杂效应程度具有很大关系。
用惰性气体蒸发和真空原位加压方法制备了两种具有清洁界面的纳米离子固体CaF2(平均粒度为16nm)和Ca0.75La0.25F2.25(平均粒度为11nm),在31℃至530℃详细测量了其复阻抗谱。结果表明:1)在300—530℃两种纳米离子导体都很好地遵从Arrhenius方程式;2)纳米CaF2的离子电导率比多晶CaF2约高1个数量级、比单晶CaF2
用惰性气体蒸发和真空原位加压方法制备了两种具有清洁界面的纳米离子固体CaF2(平均粒度为16nm)和Ca0.75La0.25F2.25(平均粒度为11nm),在31℃至530℃详细测量了其复阻抗谱。结果表明:1)在300—530℃两种纳米离子导体都很好地遵从Arrhenius方程式;2)纳米CaF2的离子电导率比多晶CaF2约高1个数量级、比单晶CaF2
通过精心制备样品,系统地研究分析YBa2Cu3O7-y体系的超导转变、电阻率、热电势、晶体结构,以及氧含量等随Zn浓度变化的规律。并指出,Zn取代Cu导致CuO面上Cu的数目减少,载流子浓度下降;正是以Zn杂质为中心的正常芯及随之产生的渗流性破坏抑制了YBa2Cu3-xO7-y的超导电性;以Zn杂质散射为基础的渗流超导电性模型与实验结果一致。
通过精心制备样品,系统地研究分析YBa2Cu3O7-y体系的超导转变、电阻率、热电势、晶体结构,以及氧含量等随Zn浓度变化的规律。并指出,Zn取代Cu导致CuO面上Cu的数目减少,载流子浓度下降;正是以Zn杂质为中心的正常芯及随之产生的渗流性破坏抑制了YBa2Cu3-xO7-y的超导电性;以Zn杂质散射为基础的渗流超导电性模型与实验结果一致。
利用具有翻转单个自旋的Metropolis-Monte-Carlo算法,研究蜂窝状格子带有晶场作用的铁磁Ising混合自旋S=1和S=1/2的相图,所得相图与严格解相接近,好于关联有效场方法得出的结果。因此Metropolis-Monte-Carlo算法同样也可以用于研究混合自旋模型。
利用具有翻转单个自旋的Metropolis-Monte-Carlo算法,研究蜂窝状格子带有晶场作用的铁磁Ising混合自旋S=1和S=1/2的相图,所得相图与严格解相接近,好于关联有效场方法得出的结果。因此Metropolis-Monte-Carlo算法同样也可以用于研究混合自旋模型。
利用我们提出的三维量子自旋玻璃理论,通过引入一个量子的Goldbart去耦方案,将三维量子自旋玻璃的稳定性Hessian矩阵的本征值问题转化为类伊辛自旋玻璃的相应问题,并求出了所有的本征值。通过分析最小本征值,获得了Almeida-Thouless(AT)下临界线和Gabay-Toulouse(GT)上临界线所满足的方程。最后,数值研究了不同自旋的AT不稳定性并讨论了我们的理论与热场动力学方法、集团展开方法的联系。
利用我们提出的三维量子自旋玻璃理论,通过引入一个量子的Goldbart去耦方案,将三维量子自旋玻璃的稳定性Hessian矩阵的本征值问题转化为类伊辛自旋玻璃的相应问题,并求出了所有的本征值。通过分析最小本征值,获得了Almeida-Thouless(AT)下临界线和Gabay-Toulouse(GT)上临界线所满足的方程。最后,数值研究了不同自旋的AT不稳定性并讨论了我们的理论与热场动力学方法、集团展开方法的联系。
用快速急冷方法制备了(Er1-xSmx)2Fe17Cy(x≤0.8,1.5≤y≤2.5)化合物,它们具有菱方Th2Zn17型结构,并且在高温是稳定的。与相应的不含C的(Er1-xSmx)2Fe17化合物比较,当C含量y=2.5时,引起单胞体积增加～6.3％,居里温度增
用快速急冷方法制备了(Er1-xSmx)2Fe17Cy(x≤0.8,1.5≤y≤2.5)化合物,它们具有菱方Th2Zn17型结构,并且在高温是稳定的。与相应的不含C的(Er1-xSmx)2Fe17化合物比较,当C含量y=2.5时,引起单胞体积增加～6.3％,居里温度增
研究了FeCrZr非晶合金带的铁磁共振(FMR)谱及谱线随Cr含量的变化,以及谱线随温度的变化,并与FeCrB系的铁磁共振谱比较,发现用Zr替代B的结果,使非晶带的FMR谱中各共振峰的位置和强度发生了明显的变化,结合M?ssbauer谱结果,分析了Zr对Fe基非晶磁织构的影响。
研究了FeCrZr非晶合金带的铁磁共振(FMR)谱及谱线随Cr含量的变化,以及谱线随温度的变化,并与FeCrB系的铁磁共振谱比较,发现用Zr替代B的结果,使非晶带的FMR谱中各共振峰的位置和强度发生了明显的变化,结合M?ssbauer谱结果,分析了Zr对Fe基非晶磁织构的影响。
为了阐述压电应变光束调制器(PESOM),对分布压电源激发的LiNbO3晶体共振器进行了详细解析,在一维近似下导出无损耗PESOM应变场结构的定量结果。
为了阐述压电应变光束调制器(PESOM),对分布压电源激发的LiNbO3晶体共振器进行了详细解析,在一维近似下导出无损耗PESOM应变场结构的定量结果。
对轴切LiNbO3晶体压电应变光束调制器(PESOM)及其作为激光锁模器的特性进行了详细解析。证明x切板共振器是作为激光锁模器的最佳运用方式,而y或z切板将不可避免地具有同时损耗调制和频率调制的双重作用,因而原则上不宜用于诸如激光锁模器这样的场合。
对轴切LiNbO3晶体压电应变光束调制器(PESOM)及其作为激光锁模器的特性进行了详细解析。证明x切板共振器是作为激光锁模器的最佳运用方式,而y或z切板将不可避免地具有同时损耗调制和频率调制的双重作用,因而原则上不宜用于诸如激光锁模器这样的场合。
用扫描隧道显微镜研究石墨被Au离子轰击后的表面损伤。实验结果表明:用低剂量(1×1012ion/cm2)530keV的Au+和4.5MeV的Au++均匀轰击石墨。在石墨表面所产生的最显著的损伤是单个入射Au离子造成的小丘,小丘的横向平均线度约为1.8nm。从高分辨的扫描隧道显微镜图象可以看出,这种损伤往往伴有多种形式的31/2×31/2R 30°的超结构(R为石墨的晶格常数)
用扫描隧道显微镜研究石墨被Au离子轰击后的表面损伤。实验结果表明:用低剂量(1×1012ion/cm2)530keV的Au+和4.5MeV的Au++均匀轰击石墨。在石墨表面所产生的最显著的损伤是单个入射Au离子造成的小丘,小丘的横向平均线度约为1.8nm。从高分辨的扫描隧道显微镜图象可以看出,这种损伤往往伴有多种形式的31/2×31/2R 30°的超结构(R为石墨的晶格常数)