利用SUq(2)量子代数的q变形振子实现构造出SUq(2)的相干态。证明SUq(2)代数的表示基是正交的,并讨论了它的相干态的归一性、完闭性。指出SUq(2)相干态的相干性受q参数影响较大,它比通常的SU(2)相干态更具有一般性。

运用积分算子和迭代方法求得了依赖于速度的量子受迫非简谐振子的精确解。给出了非简谐振子坐标和动量算符的时间演化。这些算符被表示成适当泛函的拉普拉斯变换及随后的逆拉普拉斯交换的形式。

对一具有含时边界条件的量子体系,有效哈密顿算符可用一种简单的方式去构造而不涉及任何几何处理。用这种方法构造了一个在半径随时间变化的球形盒子内的量子粒子的有效哈密顿算符,并用它来计算波函数的Berry相位。发现有效哈密顿算符与原哈密顿算符在形式上由一静态规范变换相关联。这两个哈密顿算符的量子态差Berry相位。

一个既不可微(或不连续)又不可逆的一维映象可以展示一种新型的阵发。它的机制是稳定不动点与映象不可微或不连续点碰撞而消失。这种阵发可以在该不动点附近的线性化映象本征值绝对值在阵发前为小于1的任何值的情况发生,因而可能突然出现在倍周期分岔序列中途任一部分,使序列中断进入混沌。在稳定不动点消失后映象产生的阵发时间序列中,层流相长度呈现与外控参数距临界值距离的对数依赖关系。这种新型标度规律不依赖于映象的细节。作者认为这种阵发应广泛存在于许多实际系统之中。

采用Kustannheimo-Stiefel变换(简称K-S变换),将四维协变谐振子的介子结构模型化为三维氢原子问题。在求解中能较自然地避开时间自由度激发的困难,求得介子质量谱的平方规律。

从分析比较标准量子亏损理论与最弱受约束电子势模型理论中能量的不同表征方式出发,试引入可以反映原子(离子)体系中屏蔽效应的k校正系数。不同方次的平均值及其它计算结果表明,引入的k系数,不但使直接使用有关等电子系参数进行里德伯系性质的描述很准确,而且在一定程度上反映了这两种系列之间的区别和联系。关于价电子轨道波函数节点数的校正,亦是本文的核心内容之一。

应用我们提出的k系数校正方法,使用最弱受约束电子势模型下的简单解析波函数,则等电子系各成员的跃迁结果只随核电荷数Z变化。由此,非常方便地进行了LiI跃迁概率和3电子系振子强度的计算,与量子亏损方法相比,不但能够反映出等电子系跃迁的规律性,而且结果具有相当好的精度。表明结合k系数校正的最弱受约束电子势模型方法,有利于等电子系规律的研究。

根据能级的实验数据,采用最小二乘法拟合得到水汽分子(202),(122)和(004)振动态的Watson的Hamiltonian常数值。利用这些常数值和修正的量子傅里叶变换(QFT)(即QFT*)方法,分别计算了水汽分子(202)带中已有实验数据的一些谱线的氮分子碰撞加宽线宽,以及(202),(122)和(004)带eR(1,1)支谱线的氮分子碰撞加宽线宽、及线宽的温度依赖关系。与实验结果比较表明,利用拟合方法求得的Hamiltonian常数值是合理的,而且QF

从单粒子的相对论性运动方程出发,首先解出运动常数,然后用这些运动常数构成符合Vlasov方程的束粒子分布函数,再由该分布函数算出轴对称电场和磁场中相对论性带电粒子束的束温度和能量展宽,并且对弱相对论性情况和强相对论性情况作了讨论。

明显构造了aq2的两个正交归一本征态,并证明这两个本征态组成一个完备Hilbert空间。

提出了一种适用于微型计算机的自由电子激光非线性粒子模拟简化方法。用这种方法在微型计算机(AST386/33)上所得到的模拟结果,与美国麻省理工学院的实验所测值基本符合。

在简晰的物理模型下,采用数值方法,研究了HT-6B托卡马克参数下的低杂波射线轨迹,波谱移动,功率吸收和驱动电流分布。结果表明,存在着驱动电流的密度窗口,即仅在一定的等离子体密度范围内才能驱动电流(通常在理论和实验上仅注意到驱动电流的密度上限)。文中对这种密度窗口的存在给予了物理解释,并进而讨论了影响驱动电流效率的主要因素。

推导了一般条件下的相对论性电子回旋波色散关系。其中采用了相对论性修正的分布函数。对奇点作了较好的处理。所得到的公式可直接用于计算一般条件下的相对论性电子回旋波的传播和吸收问题。为高温等离子体波的研究提供了一个很方便的理论公式。

本文报道最近在中国科学院上海精密光学机械研究所六路高功率激光装置上对平面、薄膜及凹槽靶激光等离子体的实验结果。诊断结果表明,激光等离子体各参数的空间分布与其靶结构有着十分密切的关系。讨论了各种靶激光等离子体的电子温度、密度及离化态分布的特点并与理论计算的结果进行了初步的比较。

在SSH模型基础上,本文研究了掺杂聚乙炔链中杂质势对孤子振动模的束缚影响。不同边界条件下的数值计算发现Goldstone模将受到杂质钉扎并出现两个新的定域模g1′和g2′。另外,还得到了其它已知的定域模g2,g3和g5,这些定域模随杂质势的敏感程度各有不同,在所取参数下取得了与实验基本一致的结果。

用缓慢升温法培育了非铁电性二元系压电晶体Al0.088Ga0.12PO4。通过三种测试结果对结构进行了确认。最后,给出这种新型压电晶体的电弹常数。

把Cluster分为内部原子和边界原子,考虑电荷转移效应对Cluster环境势的影响,利用离散变分自洽电荷密度方法分析非冻结原子轨道的占有数,具体计算了过渡金属离子在ZnSe中的电子结构,Cluster的净电荷和电荷转移。得到了过渡金属离子与配位原子相互作用特性的一些新的规律性认识。

从原子位形概率波理论出发得到了(GaAs)1-xGe2x系统中可能出现的、稳定的完全有序结构。以此为基础,利用从第一性原理出发的自洽LMTO方法,系统地研究了组份x=0.5时5种典型的有序结构相应的电子性质。结果表明,具有不同有序结构的材料的电子特性差别很大。材料中Ga-Ge和Ge-As键的比率越高,材料越有可能呈现金属性。

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延生长的Pseudomorphic—high electron mobility transistor(P-HEMT)结构中深能级行为。样品的DLTS表明,在P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3和俘获截面(10-16cm2)的高温电子陷阱。它们直接影响着器件性能。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的氧

采用经验的紧束缚方法对生长在Si(001)衬底上的应变合金GexSi1-x的光学常数进行了计算。应变对电子能带结构的影响,通过紧束缚参数随键角方向余弦的变化以及键长按经验的标度定则的变化而进行计算。其中标度指数根据对Ge和Si的畸变势常数的实验值进行拟合而确定。计算介电常数虚部时出现的动量矩阵元,根据对Ge和Si的介电常数虚部的实验曲线拟合而决定。列出了当x=0.2和1时的光学常数——介电常数虚部ε2、折射率n、吸收系数α和反射率R的计算结

研究了a-Ge/Pb叠层膜不同温度下退火的行为,得到:PB诱导a-Ge晶化;发现a-Ge/Pb叠层膜在退火互扩散过程中存在两种扩散机制;对a-Ge/Pb为200nm/100nm的叠层膜,在退火互扩散中择优取向的Pb膜出现重新结晶。解释了退火过程中叠层膜电阻率的反常行为。

用闪光蒸镀法在77K制备了NdxFe1-x(x=0.06-0.80)非晶薄膜,原位测定了其电阻随温度的变化。结果表明:在0.192和ρ(T)∝T。晶化不是在一个固定的温度,而是在一个温度区间发生。

通过X射线衍射、差热分析、电子显微镜、超导电性测量等手段研究了研磨对Y-123和Bi(Ph)-2223超导相和成相过程的影响。结果表明:研磨对Y-123和Bi(Ph)-2223超导相的影响显著不同,研磨导制了Bi(Ph)-2223超导相的破坏。同时指出Bi(Ph)-2223超导相同一结构特征的两种属性:好的可塑性和结构易破坏性。前者是优点,后者是缺点。在加工、测量、使用过程中,要尽力避免后一缺点带来的超导电性的破坏或由于局部结构破坏而导致的整体性能的降低。

运用自由费密近似对Union Jack晶格上具有各向异性二体耦合作用及三体相互作用的伊辛模型进行了求解,得到了模型的自由能、自发磁矩和临界点方程。在耦合常数简化为正方晶格上的伊辛模型时,得到了与Onsager一致的解。

在室温X波段对掺V4+的KTP单晶作电子顺磁共振(EPR)谱的测量和分析表明:V4+占据的晶位可分为结晶学上不同的两类,每一类又含4个磁性不等价而结晶学上相同的V4+晶位。测量了3个互相垂直结晶主平面上的EPR超精细线随角度的变化,并用严格的最小二乘法拟合程序,确定了g和A张量的主值以及它们主轴的方向余弦。从而揭示了V4+是处在带有四角畸变的八面体环境及单胞中所有8个磁性不等价V4+晶位的空间取向

测量了掺铍的,阱宽约为10nm的GaAs量子阱在4.2K的光致荧光。掺杂浓度分别为1×1017和5×1018cm-3。测量结果表明:对于无规掺杂,局域在阱中心的铍的状态密度与导带电子从n=1量子能级到阱中心中性铍的跃迁概率的乘积大于对应于介面铍的乘积。另外,实验结果也表明:当掺杂浓度升高时,由于带隙收缩的影响,阱中心铍的电离能减小。