提出一种双参量孤子细胞自动机,给出速度的代数表达式及裂变条件,分析了相互作用规律和各种守恒量,引入并阐明了基本孤子概念及其守恒特征的应用。
提出一种双参量孤子细胞自动机,给出速度的代数表达式及裂变条件,分析了相互作用规律和各种守恒量,引入并阐明了基本孤子概念及其守恒特征的应用。
以类锂离子3s态到p通道光跃迁为例,在单通道理论框架下统一处理从一个初态(3s)到一个通道(p通道)中无数个激发态(包括束缚态np和连续态εp)的光跃迁过程。具体地根据相对论性和非相对论性原子自洽场理论,分别计算了类锂离子3s态到p通道跃迁的有关振子强度密度,阐明了其相对论效应以及振子强度密度随原子序数变化的标度规律。根据本文所计算的振子强度密度,可方便地获得3s跃迁至所有np束缚激发态的振子强度。
以类锂离子3s态到p通道光跃迁为例,在单通道理论框架下统一处理从一个初态(3s)到一个通道(p通道)中无数个激发态(包括束缚态np和连续态εp)的光跃迁过程。具体地根据相对论性和非相对论性原子自洽场理论,分别计算了类锂离子3s态到p通道跃迁的有关振子强度密度,阐明了其相对论效应以及振子强度密度随原子序数变化的标度规律。根据本文所计算的振子强度密度,可方便地获得3s跃迁至所有np束缚激发态的振子强度。
在复旦大学加速器实验室的30keV同位素分离器上,利用911A离子源对C60+与电子碰撞引起解离进行了研究。测量了解离碎片的质量分布,发现碎片以偶数个碳原子形式存在,同时碎片强度呈指数分布。实验结果表明,由电子引起的解离与较高能量(～300keV)的原子碰撞解离有相似之处。
在复旦大学加速器实验室的30keV同位素分离器上,利用911A离子源对C60+与电子碰撞引起解离进行了研究。测量了解离碎片的质量分布,发现碎片以偶数个碳原子形式存在,同时碎片强度呈指数分布。实验结果表明,由电子引起的解离与较高能量(～300keV)的原子碰撞解离有相似之处。
研究了一类可连续控制分形维数广义cantor集合介质层对斜入射波的反射透射特性。充分利用结构的自相似性,给出了适应于TE波和TM波的一般方法和公式以及在斜入射情况下的新型反射透射频谱,这种谱具有频率分布周期性和自相似性,它既是一种崭新的物理现象,同时又蕴藏着宽广的应用价值。
研究了一类可连续控制分形维数广义cantor集合介质层对斜入射波的反射透射特性。充分利用结构的自相似性,给出了适应于TE波和TM波的一般方法和公式以及在斜入射情况下的新型反射透射频谱,这种谱具有频率分布周期性和自相似性,它既是一种崭新的物理现象,同时又蕴藏着宽广的应用价值。
介绍了电子全息术的工作原理以及制备静电场样品的新方法:一个置于薄导电碳膜上的非导电粒子,例如直径为0.31μm聚乙烯乳剂小球,在电子显微镜中观察时,由于静电积累效应,它将成为一个荷电体,这个荷电体带有正电量Q,并能用一个点电荷场来模拟这个合成电场。采用这个模型,能用电子全息法观测由该点电荷形成的静电场分布及荷电体大小。
介绍了电子全息术的工作原理以及制备静电场样品的新方法:一个置于薄导电碳膜上的非导电粒子,例如直径为0.31μm聚乙烯乳剂小球,在电子显微镜中观察时,由于静电积累效应,它将成为一个荷电体,这个荷电体带有正电量Q,并能用一个点电荷场来模拟这个合成电场。采用这个模型,能用电子全息法观测由该点电荷形成的静电场分布及荷电体大小。
非简并的Λ和V型激光系统都可以通过光抽运产生无反转激光。
非简并的Λ和V型激光系统都可以通过光抽运产生无反转激光。
报道了Pd-NaF,Pd-Cu,Ag-NaF和Ag-Cu耦合双爆炸膜内壳层光电离X射线激光的实验方法和一些实验结果。结果表明,在本实验条件下,激光加热NaF或Cu靶产生的1keV区的光子,可以增强Pd或Ag等离子体中类-Cu离子的3d104p-3d94s2软X射线发射的强度,但不足以形成X射线激光的输出。
报道了Pd-NaF,Pd-Cu,Ag-NaF和Ag-Cu耦合双爆炸膜内壳层光电离X射线激光的实验方法和一些实验结果。结果表明,在本实验条件下,激光加热NaF或Cu靶产生的1keV区的光子,可以增强Pd或Ag等离子体中类-Cu离子的3d104p-3d94s2软X射线发射的强度,但不足以形成X射线激光的输出。
利用高增益、低色散飞秒激光放大器研究了多种非线性介质的超连续谱特性,获得宽谱带飞秒激光超连续谱。
利用高增益、低色散飞秒激光放大器研究了多种非线性介质的超连续谱特性,获得宽谱带飞秒激光超连续谱。
用量子力学方法处理光纤孤子的传输问题。用类Kerr介质的微观模型及色散关系,导出了含修正项的量子非线性薛定谔方程;求出其微扰解并且研究了修正项对压缩的影响。结果表明:三阶色散对压缩无影响,而立方导数项则使压缩变浅。
用量子力学方法处理光纤孤子的传输问题。用类Kerr介质的微观模型及色散关系,导出了含修正项的量子非线性薛定谔方程;求出其微扰解并且研究了修正项对压缩的影响。结果表明:三阶色散对压缩无影响,而立方导数项则使压缩变浅。
采用光学显微镜、X射线形貌术以及激光散射层析等方法,对新型非线性光学材料三硼酸锂晶体中的一种特殊的包裹体——负晶进行观测和研究,揭示了它的本质和组成,探讨了它的形成机理。
采用光学显微镜、X射线形貌术以及激光散射层析等方法,对新型非线性光学材料三硼酸锂晶体中的一种特殊的包裹体——负晶进行观测和研究,揭示了它的本质和组成,探讨了它的形成机理。
较为系统地研究了掺碳p型GaAs和InGaAs的金属有机物分子束外延(MOMBE)生长特性和电学特性。结果表明,衬底温度和分子束强度等生长条件对于样品的生长速率、空穴浓度及In组分含量等具有较大的影响,在InGaAs的生长中这种影响更为强烈。根据对实验结果的分析,可以认为,作为分子束源之一的TMGGa(CH3)3,trimethylgallium,三甲基镓的分解状态与生长条件的相关性,是引起生长速率和空穴浓度等变化的主要因素。
较为系统地研究了掺碳p型GaAs和InGaAs的金属有机物分子束外延(MOMBE)生长特性和电学特性。结果表明,衬底温度和分子束强度等生长条件对于样品的生长速率、空穴浓度及In组分含量等具有较大的影响,在InGaAs的生长中这种影响更为强烈。根据对实验结果的分析,可以认为,作为分子束源之一的TMGGa(CH3)3,trimethylgallium,三甲基镓的分解状态与生长条件的相关性,是引起生长速率和空穴浓度等变化的主要因素。
系统地研究了取向倾侧铜-铋三晶的断裂行为,并与铜-铋双晶的结果比较,结果表明:三叉结点对不同取向的铜-铋三晶的断裂行为产生不同程度的影响,使得同一晶界在铜-铋三晶和双晶中有不同的断裂行为,三叉结附近的高内应力引起范性形变的不均匀性,使三晶中出现滑移多相性和晶粒的旋转。结合三叉结点附近应力场的计算,对此进行了讨论。
系统地研究了取向倾侧铜-铋三晶的断裂行为,并与铜-铋双晶的结果比较,结果表明:三叉结点对不同取向的铜-铋三晶的断裂行为产生不同程度的影响,使得同一晶界在铜-铋三晶和双晶中有不同的断裂行为,三叉结附近的高内应力引起范性形变的不均匀性,使三晶中出现滑移多相性和晶粒的旋转。结合三叉结点附近应力场的计算,对此进行了讨论。
采用一种新的简便的氢钝化方法,可以在Si(100)衬底表面获得稳定的钝化层。用俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED),C-V和二次离子质谱(SIMS)等方法对衬底表面及其上面生长的分子束外延层进行检测,发现这种方法可以有效地防止衬底表面被碳、氧沾污,降低退火温度至少200℃,并完全消除外延层与Si(100)衬底界面处的高浓度硼尖峰。在此基础上,结合衬底表面锗束处理的实验结果,对硼尖峰的主要来源是由于硅衬底表面的氧化层这一观点提供了新的有力证据。
采用一种新的简便的氢钝化方法,可以在Si(100)衬底表面获得稳定的钝化层。用俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED),C-V和二次离子质谱(SIMS)等方法对衬底表面及其上面生长的分子束外延层进行检测,发现这种方法可以有效地防止衬底表面被碳、氧沾污,降低退火温度至少200℃,并完全消除外延层与Si(100)衬底界面处的高浓度硼尖峰。在此基础上,结合衬底表面锗束处理的实验结果,对硼尖峰的主要来源是由于硅衬底表面的氧化层这一观点提供了新的有力证据。
用LDF-LMTO-ASA超元胞法,以四倍于元胞的超元胞,以Nb4C4□0,Nb4C3□1,Nb4C2□2Nb4C1□3Nb4C0□4为五种“样本”,结合任意组分x的伯努利分布,计
用LDF-LMTO-ASA超元胞法,以四倍于元胞的超元胞,以Nb4C4□0,Nb4C3□1,Nb4C2□2Nb4C1□3Nb4C0□4为五种“样本”,结合任意组分x的伯努利分布,计
用恒定光电导法测量了纳米硅(其晶粒尺寸为3-5nm,晶态成分比Xc为45％—50％)薄膜在0.9—2.5eV范围的光吸收谱。分析了在不同光子能量范围可能存在的对光电导作主要贡献的几种光跃迁过程,以及随着Xc的增加,材料由非晶、微晶转变为纳米硅薄膜时光吸收谱的变化。发现纳米硅晶粒之间的界面区(平均厚度约为1nm)中载流子的跃迁及传输过程对整个范围的光吸收谱起主导作用。联系纳米硅的这种特殊结构解释了有关实验结果。
用恒定光电导法测量了纳米硅(其晶粒尺寸为3-5nm,晶态成分比Xc为45％—50％)薄膜在0.9—2.5eV范围的光吸收谱。分析了在不同光子能量范围可能存在的对光电导作主要贡献的几种光跃迁过程,以及随着Xc的增加,材料由非晶、微晶转变为纳米硅薄膜时光吸收谱的变化。发现纳米硅晶粒之间的界面区(平均厚度约为1nm)中载流子的跃迁及传输过程对整个范围的光吸收谱起主导作用。联系纳米硅的这种特殊结构解释了有关实验结果。
基于中子散射实验结果,应用键价计算方法研究了Y1-xPrxBa2Cu3O7-δ(x=0,0.2,0.4,0.6)体系中离子的价键特性。对Cu(1),Cu(2)及Y(Pr)的键价和计算结果表明,Cu(2)的键价和与超导临界温度(Tc)之间存在着强烈的关朕。在氧含量基本保持不变的情况下,随Pr含量的增加,体系中电荷分布发生改变,Cu(1),Cu(2)的键价和下降,Y(Pr)的键价
基于中子散射实验结果,应用键价计算方法研究了Y1-xPrxBa2Cu3O7-δ(x=0,0.2,0.4,0.6)体系中离子的价键特性。对Cu(1),Cu(2)及Y(Pr)的键价和计算结果表明,Cu(2)的键价和与超导临界温度(Tc)之间存在着强烈的关朕。在氧含量基本保持不变的情况下,随Pr含量的增加,体系中电荷分布发生改变,Cu(1),Cu(2)的键价和下降,Y(Pr)的键价
利用置换群方法处理自由边界条件下S=1/2有限格点海森堡自旋链,得到所有本征能量及本征态,并在此基础上分析了基态和低激发态的性质。
利用置换群方法处理自由边界条件下S=1/2有限格点海森堡自旋链,得到所有本征能量及本征态,并在此基础上分析了基态和低激发态的性质。
用快速急冷方法制备了Ho2Fe17Cx化合物,研究了它们的形成、结构与磁性。这些化合物在高温下是稳定的,随C含量的增加,晶体结构由六角Th2Ni17型转变为菱形Th2Zn17型。测量了Ho2Fe17Cx化合物在1.5K和室温下的饱和磁化强度,得到每个Fe原子磁矩近似与C含量无关。C原子的引
用快速急冷方法制备了Ho2Fe17Cx化合物,研究了它们的形成、结构与磁性。这些化合物在高温下是稳定的,随C含量的增加,晶体结构由六角Th2Ni17型转变为菱形Th2Zn17型。测量了Ho2Fe17Cx化合物在1.5K和室温下的饱和磁化强度,得到每个Fe原子磁矩近似与C含量无关。C原子的引
将文献[4]的理论结果加以推广,用微扰理论导出了微波场作用下铁磁材料的动态非线性磁化强度的各阶近似表达式。严格分析了在波矢k与外偏置磁场H0成任意角度时非线性静磁表面波的传播特性。证明了静磁表面波在任何传播方向上都不能演化为静磁孤子。
将文献[4]的理论结果加以推广,用微扰理论导出了微波场作用下铁磁材料的动态非线性磁化强度的各阶近似表达式。严格分析了在波矢k与外偏置磁场H0成任意角度时非线性静磁表面波的传播特性。证明了静磁表面波在任何传播方向上都不能演化为静磁孤子。
测量了Pb1-xBaxTiO3(x=0,0.2,0.3)的喇曼光谱。实验结果表明该体系存在着明显的晶粒小尺寸效应。
测量了Pb1-xBaxTiO3(x=0,0.2,0.3)的喇曼光谱。实验结果表明该体系存在着明显的晶粒小尺寸效应。
在狭缝的夫琅和费衍射中,由振动平行和垂直于缝边的偏振光的衍射条纹得到的缝宽值不同。本文介绍这种偏振效应的实验结果,并用边界衍射波对其物理原因进行分析,理论与实验结果符合很好。
在狭缝的夫琅和费衍射中,由振动平行和垂直于缝边的偏振光的衍射条纹得到的缝宽值不同。本文介绍这种偏振效应的实验结果,并用边界衍射波对其物理原因进行分析,理论与实验结果符合很好。
用CNDO/2半经验量化计算方法对CH3NO2分子在Cu(111)面四个吸附位上25种吸附态进行了优化计算,得到以CH3NO2分子中的-NO2取向吸附在Cu(111)面的桥位上,且CH3NO2分子中的ONO面与Cu-Cu键成60°时为最稳吸附态。计算得到的这一稳定吸附态的吸附取向和吸附体系的态密度结果与我们的实验结果是一致的;从吸附态的轨道成分分析表明,
用CNDO/2半经验量化计算方法对CH3NO2分子在Cu(111)面四个吸附位上25种吸附态进行了优化计算,得到以CH3NO2分子中的-NO2取向吸附在Cu(111)面的桥位上,且CH3NO2分子中的ONO面与Cu-Cu键成60°时为最稳吸附态。计算得到的这一稳定吸附态的吸附取向和吸附体系的态密度结果与我们的实验结果是一致的;从吸附态的轨道成分分析表明,
诱导引力与爱因斯坦引力难以用目前的实验来区分。本文在研究诱导引力的量子宇宙学时,发现在希格斯场φ的真空期待值附近,即使无任何其它物质场存在,也存在一个虫洞解,而这种解是无法从真空经典爱因斯坦引力理论中得到的。
诱导引力与爱因斯坦引力难以用目前的实验来区分。本文在研究诱导引力的量子宇宙学时,发现在希格斯场φ的真空期待值附近,即使无任何其它物质场存在,也存在一个虫洞解,而这种解是无法从真空经典爱因斯坦引力理论中得到的。