本文用位移算符作用于一超对称哈密顿量而引出超相干态,研究了它们的性质,计算了当超相干态的参数绝热变化时产生的Berry相因数。

通过一个积分变换,量子系统的能量本征值问题可转化为求解非线性的Riccati方程,由它可以容易地求出基态能量及相应的波函数,讨论了此方法与通常的因子化方法的关系并以各种常见的系统作为显示此方法优越性的示范。

本文把关于量子纯态之间的统计角概念推广到量子混合态,并提出了单个混合态的发散角这一概念,导出了纯态判据,用到测量上,响应函数不过是量子系统与仪器之间的统计角余弦的平方,而测量过程中的熵增加则显现为混合态发散角的扩大。

本文研究由一维单峰满迭代以很弱的耦合组成的系统的Lyapunov指数,以有力的数值证据表明第一Lyapunov指数与耦合常数之间有普适的标度关系。

本文采用小角X射线散射法分别研究CH2Cl2,CHCl3和CCl4对磷脂酰胆碱液晶态结构的影响机理,通过比较得知,CH2Cl2,CHCl3和CCl4对磷脂酰胆碱液晶态结构影响的不同之处,主要是它们空间旋转电子云密度分布不同所致,空间旋转电子云密度分布呈球状或椭球状的物质都有使磷脂酰胆碱液晶形成片层六角形的机理,呈圆锥状的物质有诱发磷

在核物质Hartree-Fock理论框架下,应用SKM*,SKb和SGⅡ三种Skyrme等效核力参数与带屏蔽的二体库仑势,顾及到核的有限尺度效应,得到了合理的有限核零温饱和性质,发现有限核物质的液气相变临界温度约为12MeV,比无限对称核物质的约低2—3MeV。

本文描述测量离子能量的光学共振方法,这种方法利用多普勒效应把离子能量与离子的光学共振激发联系起来,可应用在leV—100MeV能区,在30keV附近,它的测量准确度可望达到5×10-5,用这种方法测量了142Nd+离子能量,获得了较好的结果。

本工作测量了类氖锗3s-3p X射线激光的23.2nm和23.6nm两条强激光跃迁线水平方向和垂直方向的空间分布,当靶长20mm时,X射线激光水平方向束发散角约为12mrad,主束指向偏离线状等离子体轴线约8mrad;垂直方向束发散角约为22mrad,本工作还采用钼/硅多层膜平面反射镜,对X射线激光进行正反射,获得了X射线激光双程放大的光学特性。

本文采用广义Wigner分布函数的Fokker-Planck方程的方法,讨论了劣腔极限下失谐双光子光学双稳系统的原子压缩效应,得到压缩区在失谐参数△-θ平面的分布,发现在足够大的原子失谐条件下,原子算符R2也可能出现压缩效应。

离子迴旋共振频率(ICRF)波(ω=2ΩD)和低杂(LH)波同时进入D-T聚变反应堆等离子体时,ICRF加热产生的高能D离子对LH波存在着较强的Landau阻尼吸收,影响了低杂波驱动电流(LHCD)的效率;提高LH波的频率,可降低加热离子对LH波的阻尼吸收。

本文从粒子平衡方程出发,运用Howe的氢再循环模型,借助于设置在不同位置并经绝对校准的Hα探测器测得的信号强度等实验数据,研究了HL-1托卡马克放电中总体再循环系数随时间变化,并采用Ehrenberg定义的加料效率的概念来分析在不同壁和孔栏条件或各种工作气体情况下的壁抽吸和壁加料现象,用四极质谱仪观察并比较了不同等离子体放电后的粒子释放情况,较系统地研究了HL-1装置不同运行条件下的再循环现象及其对粒子约束特性的影响。

本文应用X射线衍射动力学理论,计算了晶体表面偏角对X射线双晶衍射摇摆曲线及其半峰宽的影响,得出当晶体表面向某一方向存在一定的偏角时,X射线的入射方向不同,将造成摇摆曲线位置的改变和半峰宽的变化,且其变化趋势随着入射角的变小而增大,随着入射角的减小,反射峰的半峰宽增大,并向高角方向漂移,采用掠入射的不对称衍射方式时,偏角的影响更为明显。

本文根据Freiser关于向列相液晶分子相互作用模型,利用平均场理论,建立了梳型高分子聚合物向列相液晶分子的哈密顿量,导出序参数自洽方程,得到各向同性相至单轴向列相以及单轴至双轴向列相的相变,结果表明,当分子主、侧链耦合项中排斥作用及主、侧链中较强向列相场的场强增大时,单轴至双轴向列相相变温度升高,并从一级相变逐渐变为二级相变。

本文对管式装置中等离子体化学气相沉积过程提出了一种数学描述方式,具体讨论了沉积过程中活性粒子产生频率、沉积速率和沉积效率等与电子密度、气体流速、气体压强等的相互关系,并对部分结果进行了理论解释。

本文采用动力学映象方法,研究了作为泛Fibonacci序列一个子集的一系列一维准周期体系的电子性质,该一维准周期体系S∞由递推公式Sl+1=Sl2j-1Sl-12i构造,其中l≥1,i,j为正整数,初始条件为S0和S1,结果表明,该一维准周期体系无论是对角模型和非对角模型,都存在电子延展态。

本文从第一性原理出发,应用离散变分法、嵌入集团模型和三维数值弛豫技术计算了铝中一氢-空位复合体和多氢-空位复合体的正电子湮没特性,讨论了氢在铝单空位中可能的占据位置,表明正电子湮没技术是研究固体中缺陷的微观结构的有力工具。

本文讨论了使用常压金属氧化物化学汽相沉积(MOCVD)技术生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的发光特性。ZnSe-ZnS应变超晶格的发射光谱,在高密度激发下通常仅存在一个发射峰;在低密度激发下除带边发射之外,还存在深中心的发射;与低密度激发相比,高激发下发光峰值红移且其半高宽展宽,高质量的ZnSe-ZnS应变超晶格在低激发下,带边发光很强,而深中心发射能被大大抑制,我们观测到一个新的激子发射峰,考虑应变效应与量子限制效应,本文将这一新的发射峰归结为与n=1的轻空穴激子有关的复合发光。

本文研究Bi系超导体高Tc(2223)相的形成机制。提出Bi系氧化物超导体高Tc相的形成过程是:首先Sr-Ca-Cu氧化物(Ca0.85Sr0.15CuO2)与低Tc(2212)相反应形成高Tc相的核,然后样品内2223相核通过象结晶学中晶体生长那样的方式长大成2223相晶粒。2223相成核过程中Sr-Ca-Cu氧化物的形成途径有两条:一条是通过固相反应

利用X射线光电子能谱(XPS)研究了Bi系纯2212相超导单晶和Gd掺杂的2212相绝缘体单晶的电子状态的区别。实验结果表明Gd掺杂引起超导电性的变化是由于D2p轨道空穴填充引起。本文还对Cu2p3/2XPS卫星峰与主峰强度之比(Is/Im),Bi-O层性质以及Bi系Fermi能级附近态密度的来源等问题进行了讨论。

本文介绍GaAs/AlAs超晶格的室温近共振喇曼散射测量结果。由于超晶格中Fr?hlich相互作用的共振增强效应,GaAs LO声子偶模的散射得到了很大的增强。和前人的结果一样,在偏振谱我们观察到了偶模。但和前人的结果不同,在退偏振谱中我们观察到的是奇模,而不是偶模。从而证明了在近共振条件下LO声子限制模仍遵从与非共振时一样的选择定则。二级喇曼散射实验结果表明,在偏振谱中二级谱是由两个偶模组合而成,而在退偏振谱中的二级谱与前人的结果不同,由一个奇模与一个偶模组合而成。上述结果与最近提出的黄朱模型的预言是一

在20—150℃温度范围内,测量了高聚物聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中的正电子湮没寿命谱和湮没辐射多普勒展宽谱随温度的变化。两种正电子湮没参数的温度关系均一致反映了高聚物PMMA中的结构变化。108℃和48℃处的变化与玻璃化转变和β相交有关,而本实验发现正电子湮没特征在84℃处出现异常,这可能是此温度下少量自由体积孔洞的连通所致。由实验测得的o-Ps寿命及其相对强度计算了PMMA中自由体积孔洞的尺寸及自由体积分数随温度的变化。

本文应用俄歇电子能谱和X射线光电子能谱对化学腐蚀和硫处理的InSb表面进行了研究。实验中发现经过CP-4腐蚀以后在样品的表面生成了InSb的氧化层,氧化层中的组分是锑的氧化物明显多于铟的氧化物。样品经过硫处理以后能够除去InSb表面的氧化层并且形成硫化物钝化层。

采用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了P2S5/NH4OH钝化液处理的GaAs(100)表面的微观特性。AES测量表明,在钝化膜和GaAs衬底之间的界面处无O组分,只有P和S组分。XPS测量分析指出,经过P2S5/NH4OH溶液处理后,GaAs表面处Ga2O3和As2O3
. 1992 41(4): 683-688. 刊出日期: 1992-02-05 ]]>

采用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了P2S5/NH4OH钝化液处理的GaAs(100)表面的微观特性。AES测量表明,在钝化膜和GaAs衬底之间的界面处无O组分,只有P和S组分。XPS测量分析指出,经过P2S5/NH4OH溶液处理后,GaAs表面处Ga2O3和As2O3
. 1992 41(4): 683-688. Published 1992-02-05 ]]> 1992-02-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1992 41(4): 683-688. article doi:10.7498/aps.41.683 10.7498/aps.41.683 41 4 1992-02-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.41.683 683-688 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.41.689

本文采用X射线光电子能谱、紫外光电子能谱和低能电子衍射对室温下P在GaAs(100)表面上的生长进行了研究。结果表明,在生长初期P是成团吸附的,随着淀积量的增加而生长成α-P薄膜,该薄膜的价带结构与等离子体淀积的α-P:H薄膜的价带结构相似。在界面处有约一单层的P与衬底表面的Ga成键。α-P覆盖层使GaAs表面势垒下降约0.2eV。