本文研究具有控制矢量的静磁多极系统,导出这多极系统的对称变换与其M函数诱导对称变换的关系,并建立一个严格、普遍的简单方法,以便从这多极系统的对称性群出发,导出它对谐波势的约束关系。

用模拟电路的方法对随机共振现象进行多方面的实验研究,讨论随机共振机制,测量输出信噪比(SNR),由于在随机共振过程中部分噪声能量可转变为信号能量,利用这个机制可能在强噪声对信号的抑制下取出信号。

本文采用Rayleigh-Schr?dinger微扰方法计算钪离子ScII 3d2的三重态3P2和3P1的超精细相互作用常数,并与实验作比较,计算结果表明,原子实的极化(特别是自旋极化)效应对磁偶极常数有着决定性的影响。

本文在比较严格条件下求解三能级原子系统的激光共振电离过程的速率方程,仔细分析和计算连续、准连续和脉冲激光激发与电离的效率,文中给出一些典型实验条件下的计算结果,以及电离效率随各种参数变化的趋势,本文给出的计算方法和所用的程序具有普遍的适用性,只要给出必要的参数,即可用该程序对具体的实验过程进行定量计算。

本工作结合多光子离化谱,激光诱导荧光及荧光激发谱技术,仔细研究Cl2分子高激发Rydberg态和混合Rydbery-价态的结构及性质,定域了11∑u+态内区的位置,证明21∑u+态强的Rydberg-价混合特征,发现一新的u对称性Rydberg态并建议标识为1∑u态的激发,对三光子激发过程,21
. 1992 41(3): 387-399. 刊出日期: 2005-07-03 ]]>

本工作结合多光子离化谱,激光诱导荧光及荧光激发谱技术,仔细研究Cl2分子高激发Rydberg态和混合Rydbery-价态的结构及性质,定域了11∑u+态内区的位置,证明21∑u+态强的Rydberg-价混合特征,发现一新的u对称性Rydberg态并建议标识为1∑u态的激发,对三光子激发过程,21
. 1992 41(3): 387-399. Published 2005-07-03 ]]> 1992-02-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1992 41(3): 387-399. article doi:10.7498/aps.41.387 10.7498/aps.41.387 41 3 2005-07-03 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.41.387 387-399 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.41.400

本文利用受激Raman抽运,选择性地制备了C2H2分子电子基态的红外非激活振动能级的单一转动态(X1∑g+,v″2=1,J″=9,11,13),并从紫外激光诱导的A1Au(v′3=1)←X1∑g+(v″2=1)荧光谱,直接测定上述三个转动态的C<

本文研究带电粒子束在轴对称电场(包含束空间电荷平均场)中的温度和能量展宽,所得结果表明,在漂移区内,此种能量展宽与束电流成正比,与束的宏观流动速度成反比,因此,对于强流重离子束而言,此种能量展宽在总的能量展宽中将起重要的作用,若束能为20keV,束流为20mA,在漂移区中,1H离子束的能量展宽为26.5eV,而相同条件下的121Sb离子束则为291.5eV,而且随束流增加线性上升,本文对束温度的研究结果表明,在漂移区中,束空间电荷效应使束温度增加。

本文研究在呈指数衰变的驱动场的作用下,二能级原子系统算符间的对易关系,及所满足的Bloch方程的解,通过解Laplace变换后的差分方程,计算出二能级原子系统的瞬态共振荧光光谱,并对计算结果进行分析与讨论。

本文详细计算一般的混合迭加态中△a1和△a2的k阶矩,应用Bloch矢量方法详细讨论混合迭加态中的高阶压缩,描写并定量计算,各阶压缩的压缩区域及压缩条件,讨论最佳压缩的条件,指出在高阶压缩的迭加态中,两个正交的分量a1和a2在某些条件可望同时被压缩,最后,试图对迭加态压缩的本质作一些探讨。

本文采用朗之万量子理论获得光抽运双光子激光具有双光子损耗时的朗之万方程,进一步获得稳态平均光子数、频率牵引、线宽和动态斯塔克效应,对激光增益来源的分析表明,非相干抽运仅有单双光子两步过程有贡献,而相干抽运,除上述过程外还有单双光子一步过程有贡献,而且,上述两个过程都受到负反馈和饱和因子的制约,线宽与稳态平均光子数无关。

本文提出一种新型小周期wiggler结构,它是由带铁芯的双绕螺旋片组成,产生圆极化磁场,对周期为10mm,长100mm的wiggler原型的磁场进行测量,横向磁场可达1KG,根据现有的加速器,加速电压为400—500keV,提出了输出频率为190GHz的小周期wiggler自由电子激光放大器设计。

对两种非晶态B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl-xAl2O3-0.1V2O5(x=0.05和0.15),用差热分析、电导率测量、X射线衍射和电子自旋共振进行研究,发现:1)V2O5不仅作非晶网络形成剂,而且改变了晶化过程;2)对B2O3-Li2
. 1992 41(3): 448-458. 刊出日期: 2005-07-03 ]]>

对两种非晶态B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl-xAl2O3-0.1V2O5(x=0.05和0.15),用差热分析、电导率测量、X射线衍射和电子自旋共振进行研究,发现:1)V2O5不仅作非晶网络形成剂,而且改变了晶化过程;2)对B2O3-Li2
. 1992 41(3): 448-458. Published 2005-07-03 ]]> 1992-02-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1992 41(3): 448-458. article doi:10.7498/aps.41.448 10.7498/aps.41.448 41 3 2005-07-03 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.41.448 448-458 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.41.459

用高分辨电子能量损失谱研究CO在有序表面合金Cu{001}c(2×2)-Pd上的吸附位置,在240K,CO仅直立地吸附在Pd原子的顶位;在135K,低覆盖度时,CO仅直立地吸附于Pd原子顶住,覆盖度增加后,CO同时直立地也吸附于Pd和Cu原子的顶位。

在电子助进化学气相沉积(EACVD)类金刚石薄膜中,使用和比较CH4/H2与CH4/H2/Ar两种体系,用静电探针测量这两种体系的电子温度、电子密度,结果表明,在CH4/H2/Ar体系中,电子密度较高,使成膜的速率增加。

本文采用自旋极化的MS-Xα方法,以铬离子与氧六配位形成的(CrO6)铬离子为模型,计算铬离子三种价态(Cr2+,Cr3+,Cr4+的电子结构,在D4k群下给出单电子轨道本征值和本征函数、能级分布和光学跃迁,对计算结果作了详细的讨论。

本文仔细地研究准一维电子-晶格系统中的电子关联,提出一种“超平均”电子-电子相互作用,通过考虑近邻的电子相互作用on-site,site-site,site-bond,以及on-bond等四项,建立一个相互作用模型哈密顿量,数值计算结果很好地解释反式聚乙炔中的中性孤子的光谱实验和ENDOR实验结果。

本文叙述氢化非晶硅(a-Si:H以下简称非晶硅或a-Si)太阳电池经不同剂量的X射线辐照后光电转换性能的变化情况,还用低能域(入射光子能量hv小于非晶硅光学能隙)光电流光谱法观测了经X射线辐照后,非晶硅太阳电池中局域能级的增加状况,为非晶硅太阳电池将来在航天技术中的应用提供实验数据,实验表明,X射线的辐照效应比可见光强得多,故它可以用来快速鉴定各种非晶硅太阳电池的长期稳定性。

本文研究单晶硅掺金前后的表面光伏和红外吸收谱,证实在相同表面状况下,红外吸收谱的基线与少子扩散长度的对应关系;由半导体统计,推导出简并因子不等于1时扩金硅的统计公式,以及金受主简并因子gAu,a≠1,金施主简并因子gAu,d≠1硅双重能级复合理论公式,由此计算的少子寿命值与测量值之比在1.64—0.745之间。

利用射频辉光放电法沉积a-C:H薄膜,研究不同测量温度、不同退火温度光致发光光谱的变化,以及光致发光光谱随光子能量的变化,实验表明:随着测量温度的升高发光效率降低,用非晶碳网络的二相系统模型对这些结果作了解释。另外,光致发光光谱也随着激发光能量的不同而变化,当激发光能量接近光学带隙Eopt时,发光强度最高。

本文采用二能级(TLS)模型,利用正则变换方法,研究氧化物超导体中层状横波光学声子的非简谐性对层间配对的影响,结果表明:只有在二能级差Ω小于临界值Ωc时,Tc才不为零;Ω越小,Tc越大,这与实验中所显示的绝缘层离子的轴向运动的重要性是一致的。

本文的哈密顿量由静态SSH模型,Hubbard模型及聚乙炔中钠离子唯象势构成,用Ha-rtree-Fock自洽场方法研究掺入的钠在反式聚乙炔中激发-相距15α(α为晶格常数)的带负电荷的孤子对时,电子间相互作用对聚乙炔能带和链电荷分布及孤子半宽度的修正。

本文系统地介绍用于分子束外延的慢正电子束在线分析系统的设计与研制,提出用慢正电子束技术在线研究半导体薄膜的分析方法,在正电子慢化器中采用多钨环加百叶窗组合结构,得到较高的快-慢正电子转换效率。

CO在有K沉积的Cu(111)面上吸附的角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)测量结果表明:在室温下,有分子状态的CO吸附在该表面,CO分子的4σ态信号强度明显低于5σ/1π态的强度,这表明CO分子在该状态下是强烈倾斜的,低温下(～150K),有两种不同的CO吸附状态,一种只有在较高CO暴露量下才出现,而另一种则在任何暴露量下都存在,后者是一种类似于CO在室温时的吸附状态。