将陈-莫比乌斯公式作了进一步推广。用修正的莫比乌斯反演公式解决了Ewald求和的反问题——由晶体中原子所受的总势求得原子间的对势。对几种典型晶体结构,提出了基于迭代法的算法及相应的存储结构。分析了算法的稳定性及误差,并进行了试算。

对Wu等人所观察到的水槽孤波相互作用的现象,给出了微扰变分解析分析,所得结果初步解释了水槽中孤波相互吸引和相互排斥现象,同时给出了同相双孤波的合并周期和第一次合并时间,孤子间的相互作用力及相互作用势,为孤波相互作用提供了粒子描述。

研究了落管中Pd77.5Au6Si16.5合金的过冷、生核及亚稳相的形成。在小于400μm的金属小球中发现Pd的固溶体相;在较大的金属小球中则观察到Pd3Si金属间化合物相。本文还在经典生核理论的基础上,计算了不同相的固液自由能差、成核功、生核速率及晶体生长速度随温度的变化关系,并由此得到时间-温度-转变曲线(t-T-t),计算与实验结果较为一致。

讨论了用B splines构造有限正交基矢集的方法,并将这种基矢用于超精细相互作用的多体微扰计算,得到了与实验一致的结果。

研究任意二维金属目标对二维电磁导弹的散射规律。研究结果表明,当一个能量衰减速率为r-ε(0-εR/(2r+R),其中R为目标镜像点处的曲率半径。

利用Jaynes-Cummings(缩写为J-C)模型研究了失谐情况下强相干光的长时间挤压行为,其中原子与光场的作用包括单光子跃迁和双光子跃迁两种情况。给出大N极限下挤压度的解析表达式。研究结果表明:对单光子跃迁,失谐(非共振)时的挤压行为定性上与共振时相似,小的失谐对挤压只有小的影响,双光子跃迁时情况不同,失谐起着重要作用。共振时不出现挤压,失谐时才出现挤压,被压缩的不确定度准周期地出现极小,在大N极限下,此极小值系列并趋于零。

Λ和V型系统都由于原子相干性既可显示无反转有激光又可显示有反转无激光。原子相消干涉可抑制Λ型激光的相位噪声,相长干涉则可抑制V型激光的相位噪声。

对光声喇曼光谱(PARS)作了系统的理论分析,分别导出固体和液体介质中的光声喇曼光谱的信号表达式,并进行了数值估算。

提出等离子体波对光脉冲产生相位调制的观点,把光脉冲在背景等离子体波中传播时的频率移动与脉宽压缩效应统一起来。给出了脉宽演化的方程,它类似于在势阱中运动的经典粒子的能量守恒方程;估算了脉宽压缩对应的等离子体波振幅阈值。数值计算进一步证实这些结论。最后指出实验上用等离子体波压缩短脉冲激光脉宽的可能性。

利用低能电子衍射(LEED)研究了离子轰击加退火处理的和淀积外延的两种Si(113)表面的原子结构。发现对于经750—800℃退火后的两种Si(113)表面,当其温度高于600℃时存在1×1非再构表面相。随着样品温度缓慢地冷却至室温,Si(113)-1×1表面经过3×1(约600—400℃)最后转变为3×2再构。当退火温度为600℃时,则只出现3×1再构,室温下的3×2和3×1表面都是很稳定的。讨论了表面杂质对Si(113)表面原子结构的影响。在衬底温度为580℃的Si(113)表面上进行淀积生长,当外延

采用镶嵌原子模型和分子动力学计算机模拟方法研究了液态贵金属Au,Ag在熔点附近的结构。结果表明,在熔点附近,液态Au和Ag存在局域立方对称性,并且这种对称性之间的长程取向关联较弱。

根据Biersack角扩散模型,建立了计算MeV重离子在固体靶中的平均投影射程的方法。与新近发表的1.0MeV的In+,Xe+,Ta+和1.0—2.0MeV的Pb+在Si中的平均投影射程实验数据相比,本文计算值与实验值的最大偏离为8％,而Monte-Carlo(TRIM′86)和PRAL的计算值与实验值的最大偏离分别为23％和22％。这表明本文的计算在预言1.0—2.0MeV的重离子(In+,Xe

利用正弦平方势和变曲率的抛物线近似描写了弯曲硅单晶的粒子退道效应,进一步证实利用弯晶来偏转(或控制)带电粒子运动方向的可能性。导出弯晶的退道系数并讨论了它的可能应用。

研究了YBa2Cu3O7-δ正交相和四方相中氧在Cu(1)-O基平面上跳动引起的两低频内耗峰;研究了在正交-四方相变过程中它们随氧含量的变化规律,并据此分析了YBCO中正交-四方相变的级次,认为在～200℃该相变实际上可能是一个一级相变。

阐述了一旦给定细胞自动机方法的法则,将如何构造实际问题的物理学模型的方法。并用此法构造出非平衡相变模型。同时对类平均场近似方法进行了讨论,并将其预言与非平衡相变模型的精确的数值结果进行了比较。

铁纳米粒子样品系采用气体蒸发法制备,用透射电子显微镜观察其结晶形态和粒径大小,采用X射线衍射、电子衍射、X射线光电子能谱和俄歇电子能谱等多种分析手段详细分析了粒子表面氧化膜的组成、结构和厚度及其稳定性,提出了铁纳米粒子组成和结构模型。结果发现铁纳米粒子本身的晶体结构与普通α-Fe是一致的,为体心立方结构,粒子表面存在约3nm厚的双层氧化膜,外面一层为γ-Fe2O3,厚度约为1nm。里面一层为Fe3O4,厚度约为2nm,

利用X射线衍射（XRD），X射线光电子能谱（XPS）和俄歇电子能谱（AES）对Pd/W/Si（111）界面进行了研究。实验结果表明，当系统作低温退火时，受W膜的阻挡，未生成硅化物，但Pd/W界面和W/Si（111）界面均有互扩散。升高退火温度，Pd－W原子在Si衬底上形成互溶体，Pd原子已穿过W阻挡层而到达W/Si（111）界面处，随着退火温度的继续升高，首先在W/Si（111）界面处生成PdSix,WSix也随之生成，这样就形成Pd-W原子分布的“反转”，在薄

介绍热壁束外延法生长ZnSe/GaAs异质结工作。低能电子衍射和俄歇电子能谱对样品的原位检测表明,用此方法可以在GaAs(100)衬底上外延得到单晶的ZnSe(100)薄膜。当外延生长速率大时,Znse薄膜质量下降,样品的Raman谱中出现TO模。X射线衍射实验结果表明,这种外延膜质量的退化主要是由于在ZnSe(100)薄膜体内存在〈111〉方向的晶核。

本文在苏武沛、Schrieffer和Heeger(SSH)模型的基础上,分别考虑site-type杂质势和Hubbard电子强关联的作用,计算了反式聚乙炔链的电子能谱、本征矢和序参量。结果发现,杂质势对孤子有较强的钉扎作用,它破坏了电子能谱对称性,并使midgap态发生移动,这与Hubbard电子强关联对孤子能级的影响根本不同。值得指出的是,只有同时考虑site-type杂质势和Hubbard相互作用,才能对聚乙炔的掺杂光吸收实验做出正确的理论解释。

用深能级瞬态谱(DLTS)技术系统研究了Si/SiO2界面附近的深能级和界面态。结果表明,在热氧化形成的Si/SiO2界面及其附近经常存在一个浓度很高的深能级,它具有若干有趣的特殊性质,例如它的DLTS峰高度强烈地依赖于温度,以及当栅偏压使费密能级与界面处硅价带顶的距离明显小于深能级与价带顶的距离时,仍然可以观测到一个很强的DLTS峰。另外,用最新方法测量的Si/SiO2界面连续态的空穴俘获截面与温度有关,而与能量位置无明显关系,DLTS测

采用粉末熔化工艺(PMP)制备了高Jc的(YHo)Ba2Cu3O7-y差热分析结果表明,添加Ho可以改变Y系超导体的熔化温度。在YBa2Cu3O7-y中加部分Ho替代Y可以提高体系的Jc,减小样品中211相的平均直径,并且微结构得到改善,在211粒子周围存在大量的晶体缺陷,这些晶体缺陷可能是有效的钉扎中心。

测量了中子辐照熔融织构YBa2Cu3Oy样品从1.5K到85K之间一系列温度下的磁化曲线。磁场H平行于c轴时,在6K观察到磁通跳跃。中子辐照可使临界电流提高一个数量级。分析了临界电流的各向异性,辐照增强与磁场的关系和主要的钉扎中心。讨论了磁通跳跃的物理模型。

提出了反铁磁性自旋玻璃Ising模型,并据此给出其相图。

应用特殊的锁相放大器,在-20℃至180℃范围内测量了三种高绝缘体的表面和体电导,观察到传导极化子的跳跃导电和能带导电;LiNbO3,中两种导电态的转变温度为38℃,传导极化子可以被陷阱俘获而成为束缚极化子。后者不是载流子,但在外电场作用下能产生位移运动而提供超低频电极化效应。LiNbO3和LiTaO3的表面存在大量铁电屏蔽电荷,但它们的表面传导电流却不比玻璃的大,而是提供了特别大的位移电流。显得这些屏蔽电荷是处于束缚极化子态,在45,75

研究了直流等离子体化学汽相沉积(CVD)法合成的金刚石膜内应力随甲烷浓度、沉积温度的变化关系。实验研究表明,金刚石膜的总内应力随沉积条件变化十分敏感。压缩应力是由非金刚石成份及氢等杂质引起的,而伸张应力可由膜中高密度的微空和内面积导致的晶粒间界弛豫模型来解释。