本文将纯规范概念引入共形群,构造了可积Weyl空间中包含引力、物质场和Weyl规范场的规范理论。讨论了有关物质场方程,得到惯性质量表达式m=kφ(x),说明了k的引力荷意义。利用Weyl标量场φ(x)的几何性质讨论了共形对称性自发破缺现象。这时Eins-tein引力自然产生,所有物质场获得统一的惯性标度。理论预言了Weyl矢量介子的存在,它是有质量中性介子,经典意义下不参予同物质场的相互作用。
本文将纯规范概念引入共形群,构造了可积Weyl空间中包含引力、物质场和Weyl规范场的规范理论。讨论了有关物质场方程,得到惯性质量表达式m=kφ(x),说明了k的引力荷意义。利用Weyl标量场φ(x)的几何性质讨论了共形对称性自发破缺现象。这时Eins-tein引力自然产生,所有物质场获得统一的惯性标度。理论预言了Weyl矢量介子的存在,它是有质量中性介子,经典意义下不参予同物质场的相互作用。
本文应用光电子能谱(XPS)方法分析Fe离子注入多晶Al2O3样品中各离子的存在状态。通过微机对谱峰进行高斯拟合处理,得出注入离子Fe不同价态的相对含量。
本文应用光电子能谱(XPS)方法分析Fe离子注入多晶Al2O3样品中各离子的存在状态。通过微机对谱峰进行高斯拟合处理,得出注入离子Fe不同价态的相对含量。
本文提出一个包括吡嗪环内部结构的多模模型来研究吡嗪桥接含Ru混合价二聚体(即C-T离子)。在C-T离子中,两个Ru离子的4dxz电子轨道经过吡嗪环的π*轨道相互耦台,把这些轨道重新组合成键合(B)、非键合(N)和反键合(A)三种类型;构成三个多维势表面,而把有关的光吸收归于电子在相应的势表面之间的跃迁,所得的结果更接近实验事实。
本文提出一个包括吡嗪环内部结构的多模模型来研究吡嗪桥接含Ru混合价二聚体(即C-T离子)。在C-T离子中,两个Ru离子的4dxz电子轨道经过吡嗪环的π*轨道相互耦台,把这些轨道重新组合成键合(B)、非键合(N)和反键合(A)三种类型;构成三个多维势表面,而把有关的光吸收归于电子在相应的势表面之间的跃迁,所得的结果更接近实验事实。
通过光学抽运Zn(4s1S0—4p3P1)共振线,在充有惰性气体的Zn蒸气中观察到两个连续的发射谱带。实验辨认它们可能归属于Zn2准分子3∑u+态,这与理论预言一致。研究谱带的时间与温度特性,以及惰性气体对谱带发射的影响。给出分子形成速率的上限和猝灭速率。结果表明,惰性气体分子在Zn2准分子的形成及衰变中起了主要作用。
通过光学抽运Zn(4s1S0—4p3P1)共振线,在充有惰性气体的Zn蒸气中观察到两个连续的发射谱带。实验辨认它们可能归属于Zn2准分子3∑u+态,这与理论预言一致。研究谱带的时间与温度特性,以及惰性气体对谱带发射的影响。给出分子形成速率的上限和猝灭速率。结果表明,惰性气体分子在Zn2准分子的形成及衰变中起了主要作用。
本文报道草酰氯C2O2Cl2在358—372.5nm范围的激光诱导荧光(LIF)激发谱。对60多条振动谱带进行了归属,其中24条是吸收光谱中没有的。由振动结构得到C2O2Cl2分子在X基态和?激发态的部分振动频率,其中v＂7=84cm-1和v＇7=164cm-1是新的数据。对401振动带的转动结构的分析给出转动常数A=0.190cm-1,B=0.114cm-1,C=0.048cm-1。
本文报道草酰氯C2O2Cl2在358—372.5nm范围的激光诱导荧光(LIF)激发谱。对60多条振动谱带进行了归属,其中24条是吸收光谱中没有的。由振动结构得到C2O2Cl2分子在X基态和?激发态的部分振动频率,其中v＂7=84cm-1和v＇7=164cm-1是新的数据。对401振动带的转动结构的分析给出转动常数A=0.190cm-1,B=0.114cm-1,C=0.048cm-1。
在497—517nm波长范围观测超声射流冷却CCl2自由基的激光诱导荧光激发谱。得到CCl2在?←X跃迁中(v1,v2,0)←(0,0,0)振动带清晰的K结构。对近80个子谱带作了归属。振动分析给出较精确的v＇1和v＇2振动频率和非谐性常数;从K结构的分析得出(A＇-B＇)和(A″-B″)的值,文献未曾报道过。
在497—517nm波长范围观测超声射流冷却CCl2自由基的激光诱导荧光激发谱。得到CCl2在?←X跃迁中(v1,v2,0)←(0,0,0)振动带清晰的K结构。对近80个子谱带作了归属。振动分析给出较精确的v＇1和v＇2振动频率和非谐性常数;从K结构的分析得出(A＇-B＇)和(A″-B″)的值,文献未曾报道过。
对Ar+离子与He,Ne,Xe原子碰撞中的真空紫外辐射进行绝对测量,观察到入射离子的电离激发过程和靶原子电离激发过程,并以Fano和Lichten的电子提升分子轨道模型和非绝热分子轨道相关图对此进行定性解释。
对Ar+离子与He,Ne,Xe原子碰撞中的真空紫外辐射进行绝对测量,观察到入射离子的电离激发过程和靶原子电离激发过程,并以Fano和Lichten的电子提升分子轨道模型和非绝热分子轨道相关图对此进行定性解释。
利用分析电子显微镜在75—200kV电压下测量一系列纯元素的M和L线标识X射线强度比I(M)/I(L)。和以前测定的强度比汇集在一起,把所有实验数据与由8个电离截面公式得出的计算值作了比较,比较前对强度比进行约化以消除不确定的参量只留下截面的电压依赖关系。这些公式对I(L)/I(K)可分为四组,对I(M)/I(L)分为三组。只有一组公式(包括Fabre de la Ripelle的公式和Schreiber,Wims的公式)与所有实验数据符合得较好。
利用分析电子显微镜在75—200kV电压下测量一系列纯元素的M和L线标识X射线强度比I(M)/I(L)。和以前测定的强度比汇集在一起,把所有实验数据与由8个电离截面公式得出的计算值作了比较,比较前对强度比进行约化以消除不确定的参量只留下截面的电压依赖关系。这些公式对I(L)/I(K)可分为四组,对I(M)/I(L)分为三组。只有一组公式(包括Fabre de la Ripelle的公式和Schreiber,Wims的公式)与所有实验数据符合得较好。
本文由双光子过程主方程运用生成函数法,求得双光子吸收过程光场振幅平方压缩的表示式,讨论振幅平方压缩随无量纲时间τ,入射光场相位角θ及平均光子数|α|2的变化情况。双光子吸收过程是产生振幅平方压缩效应的有效途径。最后论证振幅平方压缩效应的独立性。
本文由双光子过程主方程运用生成函数法,求得双光子吸收过程光场振幅平方压缩的表示式,讨论振幅平方压缩随无量纲时间τ,入射光场相位角θ及平均光子数|α|2的变化情况。双光子吸收过程是产生振幅平方压缩效应的有效途径。最后论证振幅平方压缩效应的独立性。
本文证明光泵三能级原子体系可以产生光子数压缩态。分别计算非相干泵浦、弱相干泵浦和强相于泵浦几种情形下的Fano因数。结果表明,弱相干泵浦时可获得最佳压缩效应,相应的Fano因数为0.16。这种产生光子数压缩态的方法在实验上是简便可行的。
本文证明光泵三能级原子体系可以产生光子数压缩态。分别计算非相干泵浦、弱相干泵浦和强相于泵浦几种情形下的Fano因数。结果表明,弱相干泵浦时可获得最佳压缩效应,相应的Fano因数为0.16。这种产生光子数压缩态的方法在实验上是简便可行的。
本文通过z扫描方法重新研究中国茶的酒精或水溶液的非线性光学效应,表明它们仅与介质中光热感应的负透镜效应相关。
本文通过z扫描方法重新研究中国茶的酒精或水溶液的非线性光学效应,表明它们仅与介质中光热感应的负透镜效应相关。
对锂蒸汽中的2s—3d双光子共振注入参量振荡进行理论和实验研究。与一般参量振荡相比较,注入参量振荡的输出具有更好的单色性,并以更“锐”的角锥辐射形式出现。除此之外,当在锂原子2s-2p跃迁的红端改变种子光束的频率时,注入参量振荡是可调谐的。
对锂蒸汽中的2s—3d双光子共振注入参量振荡进行理论和实验研究。与一般参量振荡相比较,注入参量振荡的输出具有更好的单色性,并以更“锐”的角锥辐射形式出现。除此之外,当在锂原子2s-2p跃迁的红端改变种子光束的频率时,注入参量振荡是可调谐的。
本文在导出旋转圆盘下磁流场的解析解的基础上,计算不同的轴向磁场强度下,一维模型的场流速度及熔硅中熔质有效分凝系数Keff,并进行计算机模拟图解。结果表明,磁场使场流受到强烈的抑制;而且,对给定的转速,溶质的Keff随磁场强度增加而增加,而后在一定的磁场强度范围内趋于常数。同时还发现,Keff强烈地依赖于溶质的扩散系数。
本文在导出旋转圆盘下磁流场的解析解的基础上,计算不同的轴向磁场强度下,一维模型的场流速度及熔硅中熔质有效分凝系数Keff,并进行计算机模拟图解。结果表明,磁场使场流受到强烈的抑制;而且,对给定的转速,溶质的Keff随磁场强度增加而增加,而后在一定的磁场强度范围内趋于常数。同时还发现,Keff强烈地依赖于溶质的扩散系数。
将经过950℃热处理后缓慢冷却及淬火处理的Pd样品,分别作为阴极在重水(D2O)和轻水(H2O)中进行150h电解,以引入H和D。用X射线衍射方法测量Pd-H(D)系存放于大气中经过不同时间后的衍射图及β相晶格常数的变化,并用1H(19F,αγ)16O核反应测量H在各Pd-H(D)系表面层中的分布。淬火Pd与退火Pd相对比,在电解吸H(D)后,前者初始含H(D)百分比较高而H(D)的释放速度较快。H的浓度在Pd-H合金的表面处达到极大值而在离表面深度为数百埃处达到极小值。
将经过950℃热处理后缓慢冷却及淬火处理的Pd样品,分别作为阴极在重水(D2O)和轻水(H2O)中进行150h电解,以引入H和D。用X射线衍射方法测量Pd-H(D)系存放于大气中经过不同时间后的衍射图及β相晶格常数的变化,并用1H(19F,αγ)16O核反应测量H在各Pd-H(D)系表面层中的分布。淬火Pd与退火Pd相对比,在电解吸H(D)后,前者初始含H(D)百分比较高而H(D)的释放速度较快。H的浓度在Pd-H合金的表面处达到极大值而在离表面深度为数百埃处达到极小值。
基于线性丸盒轨道原子球近似(LMTO-ASA)数值计算,比较(GaAs)1(AlAs)1(001)超晶格与闪锌矿结构Ga0.5Al0.5As合金虚晶能带本征态,发现它们可以用Ⅲ价和Ⅴ价原子平面的分波态进行统一描述,用这种方法详细分析超晶格与闪锌矿结构合金在布里渊区Γ,M(X)和R(L)诸点主要能带本征态之间的对应关系,讨论了超晶格布里渊区能带折叠对本征态的影响。
基于线性丸盒轨道原子球近似(LMTO-ASA)数值计算,比较(GaAs)1(AlAs)1(001)超晶格与闪锌矿结构Ga0.5Al0.5As合金虚晶能带本征态,发现它们可以用Ⅲ价和Ⅴ价原子平面的分波态进行统一描述,用这种方法详细分析超晶格与闪锌矿结构合金在布里渊区Γ,M(X)和R(L)诸点主要能带本征态之间的对应关系,讨论了超晶格布里渊区能带折叠对本征态的影响。
聚乙炔中的电子关联和孤子可用相关基函数方法(CBF)来研究,通过考虑完全的电子-电子相互作用,得到含有单个电荷的奇数原子链的稳定位形为孤子的结论,随着电子-电子互作用强度U和互作用程α/β的增加,孤子定域性加强,产生能降低,因此,即使计入电子-电子相互作用,孤子仍然是导电聚合物中的主要载流子。
聚乙炔中的电子关联和孤子可用相关基函数方法(CBF)来研究,通过考虑完全的电子-电子相互作用,得到含有单个电荷的奇数原子链的稳定位形为孤子的结论,随着电子-电子互作用强度U和互作用程α/β的增加,孤子定域性加强,产生能降低,因此,即使计入电子-电子相互作用,孤子仍然是导电聚合物中的主要载流子。
对逐层腐蚀的GaAs/Si材料进行喇曼散射实验,研究晶格振动声子谱沿外延生长方向的剖面分布,发现GaAs外延层从表面到界面经历着从双轴张应力到双轴压应力的变化。用Anastassakis等人提出的特殊相关模型对GaAsLO声子的谱形进行分析,发现GaAs外延层的晶体质量随着外延层厚度的减薄(从1μm—500?)是渐渐退化的,这是由于界面失配位错进入外延层所致。对GaAs LO声子与TO声子强度之比分析表明:外延层厚度从3.3μm变化到1μm左右时,其晶体质量并不是简单地随着厚度的减薄而退化,在1.3μm左右外延层晶体质量反而变好。对这种现象做了详细的讨论。
对逐层腐蚀的GaAs/Si材料进行喇曼散射实验,研究晶格振动声子谱沿外延生长方向的剖面分布,发现GaAs外延层从表面到界面经历着从双轴张应力到双轴压应力的变化。用Anastassakis等人提出的特殊相关模型对GaAsLO声子的谱形进行分析,发现GaAs外延层的晶体质量随着外延层厚度的减薄(从1μm—500?)是渐渐退化的,这是由于界面失配位错进入外延层所致。对GaAs LO声子与TO声子强度之比分析表明:外延层厚度从3.3μm变化到1μm左右时,其晶体质量并不是简单地随着厚度的减薄而退化,在1.3μm左右外延层晶体质量反而变好。对这种现象做了详细的讨论。
本文应用X射线双晶衍射研究AlGaAs/GaAs波导结构薄膜。结合实验结果,应用X射线衍射动力学理论。计算衬底和多层膜的反射强度,得到样品的真实结构。分析影响薄膜双晶衍射摇摆曲线的若干因素。
本文应用X射线双晶衍射研究AlGaAs/GaAs波导结构薄膜。结合实验结果,应用X射线衍射动力学理论。计算衬底和多层膜的反射强度,得到样品的真实结构。分析影响薄膜双晶衍射摇摆曲线的若干因素。
本文基于磁化电流在空间中磁场分布的计算,对不同长度的超导样品在测量线圈中真正排磁通作了分析,导出简单、明瞭的由检测线圈参数和样品长度所决定的修正因数。并将BiPbSrCaCuO高温单相样品截成不同长度,进行实验验证,实验结果与本文中的分析符合得较好。为小截面超导样品绝对抗磁矩的测量和计算提供了一种准确的分析方法。
本文基于磁化电流在空间中磁场分布的计算,对不同长度的超导样品在测量线圈中真正排磁通作了分析,导出简单、明瞭的由检测线圈参数和样品长度所决定的修正因数。并将BiPbSrCaCuO高温单相样品截成不同长度,进行实验验证,实验结果与本文中的分析符合得较好。为小截面超导样品绝对抗磁矩的测量和计算提供了一种准确的分析方法。
描述一种测量高温超导体磁通钉扎能U0及其分布的新方法,此方法主要之点是测量磁化后样品的零场临界电流随时间的变化,利用这一方法测量Tl2Ba2Ca2Cu3Oy的U0值分布(T=78K)。根据所得结果,对已报道的U0值的分散性提出一种新解释。
描述一种测量高温超导体磁通钉扎能U0及其分布的新方法,此方法主要之点是测量磁化后样品的零场临界电流随时间的变化,利用这一方法测量Tl2Ba2Ca2Cu3Oy的U0值分布(T=78K)。根据所得结果,对已报道的U0值的分散性提出一种新解释。
基于8点长方集团变分模型,并引入各向同性最近邻相互作用,以及各向异性次近邻相互作用,计算了YBa2Cu3Oz两Ba层间铜氧平面上□—O系统的有序—无序相变图,不仅在z=7.0附近得到具有超导电性的正交相,并且在z=6.5附近得到具有两倍晶格长度的另一种正交相(正交相Ⅱ)。
基于8点长方集团变分模型,并引入各向同性最近邻相互作用,以及各向异性次近邻相互作用,计算了YBa2Cu3Oz两Ba层间铜氧平面上□—O系统的有序—无序相变图,不仅在z=7.0附近得到具有超导电性的正交相,并且在z=6.5附近得到具有两倍晶格长度的另一种正交相(正交相Ⅱ)。
YTi(Fe1-xCox)11在012型四方结构,居里温度随Co含量的增加而提高,本文为了揭示YTi(Fe1-xCox)11磁性与微观结构的联系,对这一系列化合物进行穆斯堡尔谱研究,在室温下,测量YTi(Fe1-xCox)11(其中x=0.0,0.2,0.4)的穆斯堡尔谱,最佳拟合结果证实在这种化合物中,Co原子优先占据j和f晶位,在所测样品中,超精细场在x=0.2处出现极值,这与YTi(Fe1-xCox)11饱和磁化强度测量结果相符合。并对YTi(Fe1-xCox)11,Y2(Fe1-xCox)14和YTi(Fe1-xCox)11的穆斯堡尔谱的实验结果进行比较,分析在YTiFe11中与Y2Fe14B中的3d电子能带结构的差异。
YTi(Fe1-xCox)11在012型四方结构,居里温度随Co含量的增加而提高,本文为了揭示YTi(Fe1-xCox)11磁性与微观结构的联系,对这一系列化合物进行穆斯堡尔谱研究,在室温下,测量YTi(Fe1-xCox)11(其中x=0.0,0.2,0.4)的穆斯堡尔谱,最佳拟合结果证实在这种化合物中,Co原子优先占据j和f晶位,在所测样品中,超精细场在x=0.2处出现极值,这与YTi(Fe1-xCox)11饱和磁化强度测量结果相符合。并对YTi(Fe1-xCox)11,Y2(Fe1-xCox)14和YTi(Fe1-xCox)11的穆斯堡尔谱的实验结果进行比较,分析在YTiFe11中与Y2Fe14B中的3d电子能带结构的差异。
本文用Schwartz-Christoffel变换法,研究极端为任意角度的磁头场的空间分布,给出一般实数型的理论公式,并进行数值解和讨论。
本文用Schwartz-Christoffel变换法,研究极端为任意角度的磁头场的空间分布,给出一般实数型的理论公式,并进行数值解和讨论。
制备和用X射线分析BaCl2:Eu微晶的结构,并测量它的电子自旋共振(ESR)谱,结构分析和ESR谱都表明,替代Ba2+的Eu2+离子是处在轴对称的正交晶场中;并用抽对称的自旋哈密顿量和晶场哈密顿量对ESR实验数据进行拟合,求得在正交对称的BaCl2中的Eu2+的自旋哈密顿参数;还发现Eu替代Ba2+的掺杂浓度的饱和值为0.34mol％。
制备和用X射线分析BaCl2:Eu微晶的结构,并测量它的电子自旋共振(ESR)谱,结构分析和ESR谱都表明,替代Ba2+的Eu2+离子是处在轴对称的正交晶场中;并用抽对称的自旋哈密顿量和晶场哈密顿量对ESR实验数据进行拟合,求得在正交对称的BaCl2中的Eu2+的自旋哈密顿参数;还发现Eu替代Ba2+的掺杂浓度的饱和值为0.34mol％。
本文采用Schl?mann和Patton方法,进一步讨论铁氧体椭球样品的第二级自旋波不稳定性过程,给出薄膜样品的第二级自旋波不稳定性临界场的表示式,它与Anderson-Suhl公式有所不同。对YIG单晶薄膜样品在3种不同垂直泵结构下临界场的计算表明:对于3种结构计算的临界场与实验结果一致,而且理论上和实验上给出的临界场值与线性极化微波磁场的取向有密切关系。
本文采用Schl?mann和Patton方法,进一步讨论铁氧体椭球样品的第二级自旋波不稳定性过程,给出薄膜样品的第二级自旋波不稳定性临界场的表示式,它与Anderson-Suhl公式有所不同。对YIG单晶薄膜样品在3种不同垂直泵结构下临界场的计算表明:对于3种结构计算的临界场与实验结果一致,而且理论上和实验上给出的临界场值与线性极化微波磁场的取向有密切关系。