本文求出零质量标量场产生的平面对称度规的静态通解,并研究了它的对称性、奇异性等整体特性,发现平面对称情况与球对称不同,标量场的引入与否,其时空的奇异性没有本质差别。

由满足周期边界条件的Z2对称量子链能谱,计算了该物理系统的中心荷以及各共形场的反常量度,计算结果与共形场论的预言是一致的。

本文研究包含二阶离化过程的双光子自电离;计算光电子能谱,并着重分析二阶离化对光电子能谱及其随光强变化关系的影响。

根据独立电子近似,本文研究了Xe原子离子4d→f跃迁光电离截面延迟峰。阐明了光电离截面延迟峰与对应末态光电子与原子离子实散射增强的关系,以及第二延迟峰与初、末通道量子数亏损差的关系。结果表明:(1)随着电离度的增加,光电离截面延迟峰向低能方向移动,最终消失而呈类氢结构;(2)对Xe离子,初、末通道量子数亏损差的绝对值越小,Cooper极小点的能量越低。

用同步辐射研究苯基氰分子的单光子电离与碎解,精确地测量它的电离势、在不同的飞行时间产生的自发的和亚稳态碎片离子的出峰电势(appearance potential)。利用离子能量损失扫描谱,得到亚稳态碎片离子的衰变曲线。

通过对200kV离子注入机的改造,设计出一台飞行时间(TOF)谱仪,在提高脉冲束时间分辨方面,做了很大努力。测量了单晶、多晶及非晶硅的正、负离子簇飞行谱(质量谱)。比较这三种不同结构Si样品的谱数据,发现溅射离子簇质谱分布与靶物质结构密切相关,这为理论上研究Si离子簇的溅射形成机制提供了实验依据。

本文用瑞利模型研究含成层杂质的复合媒质的直流电导性质,推导了适用于此类复合媒质的广义瑞利恒等式,并定义系统的有效电导率。对于具有立方对称性的系统,给出复合媒质有效电导率的解析计算公式。

采用生成函数方法,由光场密度算符主方程,求得光场压缩度s,二阶相干度g(x)和光子统计分布的严格解析表达式,同时讨论它们随标度时间τ的演化。计算表明,在双光子吸收过程中,虽然压缩度s逐渐减弱,但相当长的时间内光场仍呈现压缩特性;该过程有利于呈现和增强光子反聚束效应和光子亚泊松分布特性;光子分布的振荡特征维持较短一段时间后很快消失。

本文从实验上研究铷激射器频率的光强和温度特性,对与光强无关的激射器频率及与此对应的腔频随泡温的变化作了满意的解释。在降低光强影响的同时,提出降低激射器频率的温度效应的可行方案。

本文从解光场方程和载流子浓度以及光子密度速率方程的自洽解出发,研究条形DH半导体激光器高频调制下光输出的频率锁定、准周期、分岔和混沌现象。结果表明,不稳定的条形半导体激光器可能出现混沌的光输出;其通向混沌的途径是准周期到混沌。所得结果与实验符合得很好,并澄清了当前理论中的混乱之处。

本文分析Raman自由电子激光中常用的双绕螺旋线摇摆器的自聚焦过程和自聚焦能力,得出束流稳定传输的条件,并与无引导磁场Raman自由电子激光实验中测得的传输束流进行分析比较。文中还对在电子脉冲线加速器EPA-74上完成的无引导磁场自由电子激光实验的辐射输出进行分析。理论分析与实验结果相符合。

本文详细地分析处于圆波导TEmn模(或TMmn模)及导引磁场中相对论性电子的三维运动。给出线性解析表达式及非线性数值计算结果。文中发现,通常情况下电子轨道在横平面的投影是圆环,环的厚度取决于电磁波荡器的场幅值;而当电磁波荡器是对称模式(m=0)时,电子轨道有可能发散。文中还讨论电磁波荡器是与电子运动同向传播的慢波这种特殊情况。

本文介绍一种托卡马克等离子体实验装置的快速Mapping方法。它用于揭示由外加线圈产生的径向场与托卡马克磁场共振产生的磁岛和随机场结构。说明了它在TEXT上的应用及其结果。

用正电子湮没和差示扫描量热(DSC)变温测量液晶(EBBA)样品的正电子湮没寿命谱及DSC曲线,结果表明正电子湮没的短寿命(τs)基本不变,而长寿命(τ1)和强度(I1)明显地有两次跳变,其跳变的温度范围与DSC所测定的相转变温度范围基本一致,在加热和冷却过程中样品在晶体相←→向列相之间的相互转变的相转变温度范围显著不同。用正电子湮没的ORE模型讨论了由于液晶相转变所引起的微结构变化,从而提出正电子是研究液晶(EBBA)相变的探针。

本文考虑二相介质中与平面相界平行的匀速运动直线位错。采用了与位错相对静止的运动坐标系,在此坐标系中推广位错各向异性弹性理论的普遍方法,并利用弹性力学中的格林函数方法处理相界面,计算得到此位错在介质中所产生的总弹性场,以及其所受到的“像力”。本文所提出的理论方法有一般的适用性,结果可以用于考虑此位错与其它缺陷的相互作用,以及二相介质的力学性质。

本文中研究了Pd40Ni40P20金属玻璃小球(直径在0.1—1.0mm的范围)在4GPa压力下的晶化过程。与常压晶化实验相比,高压下样品的晶化温度以15K/GPa的速率增加。在接近熔点进行高压退火时,获得单相过饱和固溶体。其晶体结构为面心立方。将铸态Pd40Ni40P20合金在高压下进行退火,同样得到了该固溶相,表明该相为一新的高压相。

本文对于与稀薄液3He-4He溶液相接触的振动固体表面的横声阻抗作了探讨。提出在液3He与基片之间有一准二维的超流液4He层的“三明治”模型,根据传输线理论得到表面阻抗与液3He的协强张量、超流4He层动量变化之间的关系式,推导出在“三明治”结构下量子涡旋的运动方程,并考虑涡旋运动与滑动边界条件计算了液3He中准粒子与固体表面之间的动量输运。从而由理论上

由于导电高分子是宽能带体系,紧束缚近似下的Su-Schrieffer-Heeger(缩写为SSH)模型存在一系列问题,需要加以改进才能满意地研究导电高分子的一维晶格的不稳定性。本工作将稳定晶格的Wannier函数方法加以推广,用来计算不稳定晶格的电子能带。数值结果表明,本方法的收敛性很快,取到三近邻时,能带的准确度可优于1％。同时能很精确地确定不稳定性所引起的二聚化。

本文报道通过对YBa2Cu1-xCox(Cu1-yZny)2Oz(0≤x,y≤0.1)体系晶体结构、氧含量、正常态电阻-温度关系、Hall效应以及超导临界温度等的综合测量,发现随着Co和Zn含量的增加,体系经历了从正交结构的超导金属向四方结构的非超导半导体的转变,超导临界温度Tc和载流子浓度nh均迅速下降,Co

采用固相反应法合成名义组份为Bi2Sr2Ca1-xBaxCu2Oy(A),Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2-xBaxCu3Oy(B)的样品。此样品的物相和结构分析表明:在Bi系中存在着一种新的单斜相,其晶胞参量为a=24.8

对正交单相YBa2Cu3O7样品进行了X射线光电子能谱(XPS)测量。明显观察到Cu的类高价状态。讨论了Cu2p和O1s的XPS中各峰对应的电子状态,认为由于过量的O而引入的额外空穴产生在O2p轨道上。Cu的类高价状态包含Cu3d9L和Cu3d10L2两种状态的组合。

本文利用Creen函数方法,对三维Ising模型进行严格处理,得到一组可以递推的关于体系自旋系综平均值的线性方程。通过对体系自旋集团作切断近似,从而使得对体系转变温度,磁化强度等问题的求解,变成对一组代数方程的求解。本文表明,对较小的自旋集团,就可得到精度较高的结果。

本文讨论掺Nd的MnBi薄膜的结构,磁性和磁光性能。由X射线衍射和Auger谱分析表明,经适当热处理后,形成以MnBi为主的晶格结构,发现Nd掺入后可能存在MnBiNd合金的衍射线,并按NiAs型结构计算其晶格常数:a=4.14?,c=5.80?。转矩曲线和磁滞廻线结果给出薄膜具有很好的垂直膜面各向异性,当投料量Mn/Bi的值在2左右时,可得到合适的σs,适当的Hc值(1—4kOe),以及较大的Kerr转角为θK(1.5—2°)。磁光谱表明

通过X射线衍射,透射电子显微镜和穆斯堡尔谱测量,确定了在本研究中用水热法制备的半导体SnO2材料为纳米材料,实验给出该材料的结构特点和Sn原子核的超精细参量,并发现600℃时纳米的SnO2会转变成晶态大颗粒的SnO2。