本文利用非线性联络的理论,在二维空间中提出Beltrami联络的概念,用这一概念讨论二维Polyakov引力的对称性。
本文利用非线性联络的理论,在二维空间中提出Beltrami联络的概念,用这一概念讨论二维Polyakov引力的对称性。
从具有较多参数的复杂非线性方程的解出发,取某些参数的极限,这些解就退化到具有较少参数的简单方程的解,本文以KdV方程的行波解为例说明对于某些特解,上述极限过程的逆过程,即将简单方程的解形变到复杂方程的解是可能的,但一般来说并不一定具有唯一性。
从具有较多参数的复杂非线性方程的解出发,取某些参数的极限,这些解就退化到具有较少参数的简单方程的解,本文以KdV方程的行波解为例说明对于某些特解,上述极限过程的逆过程,即将简单方程的解形变到复杂方程的解是可能的,但一般来说并不一定具有唯一性。
本文报道了用重离子背散射探测表面、近表面微量重元素的新方法。通过选择入射离子种类,使入射离子原子量M1等于或略大于基体原子量M2,利用弹性散射运动学实现自动排除探测系统的脉冲堆积现象。实验结果表明利用能量为3MeVSi离子背散射,测量基体Si中注As的灵敏度优于2×1012原子/cm2;对基体Si表面的杂质元素Au,探测灵敏度高达2.2×109原子/cm2。
本文报道了用重离子背散射探测表面、近表面微量重元素的新方法。通过选择入射离子种类,使入射离子原子量M1等于或略大于基体原子量M2,利用弹性散射运动学实现自动排除探测系统的脉冲堆积现象。实验结果表明利用能量为3MeVSi离子背散射,测量基体Si中注As的灵敏度优于2×1012原子/cm2;对基体Si表面的杂质元素Au,探测灵敏度高达2.2×109原子/cm2。
本文在冲击近似方法基础上,采用一种有解析解的唯象势波函数计算了Rydberg态Na原子与稀有气体原子(He,Ne,Ar)热碰撞的l-混合跃迁截面。Na-He的计算结果与其它方法相比有显著改进。
本文在冲击近似方法基础上,采用一种有解析解的唯象势波函数计算了Rydberg态Na原子与稀有气体原子(He,Ne,Ar)热碰撞的l-混合跃迁截面。Na-He的计算结果与其它方法相比有显著改进。
本文引进二能级原子体系能够的产生二项式分布的二项式态,讨论了它的产生及其压缩、反聚束和亚泊松统计特性,在一定的极限下,二项式态趋于Glauber相干态,此时二项式分布也趋于泊松分布。这一极限使体系的一切非经典效应消失。同时采用Bloch矢量模型讨论了单原子一般二项式态的量子特性。最后把原子体系的二项式态与玻色子体系的二项式态作了比较,并指出二能级原子体系中并不能产生玻色子二项式态。
本文引进二能级原子体系能够的产生二项式分布的二项式态,讨论了它的产生及其压缩、反聚束和亚泊松统计特性,在一定的极限下,二项式态趋于Glauber相干态,此时二项式分布也趋于泊松分布。这一极限使体系的一切非经典效应消失。同时采用Bloch矢量模型讨论了单原子一般二项式态的量子特性。最后把原子体系的二项式态与玻色子体系的二项式态作了比较,并指出二能级原子体系中并不能产生玻色子二项式态。
本文报道KCl引起的银胶中水杨酸(C7H4O3)表面增强喇曼散射谱(SERS)的异常变化。发现KCl造成水杨酸分子中某些结构的SERS强度急剧而迅速下降,但同时又造成3436cm-1附近v(—OH)振动的SERS信号的进一步增强。还研究了KCl对一系列含—COOH结构的分子(例如苯甲酸、对氨基苯甲酸等)SERS信号的影响,发现Cl-对v(—COO-)振动的SERS强度有明显的
本文报道KCl引起的银胶中水杨酸(C7H4O3)表面增强喇曼散射谱(SERS)的异常变化。发现KCl造成水杨酸分子中某些结构的SERS强度急剧而迅速下降,但同时又造成3436cm-1附近v(—OH)振动的SERS信号的进一步增强。还研究了KCl对一系列含—COOH结构的分子(例如苯甲酸、对氨基苯甲酸等)SERS信号的影响,发现Cl-对v(—COO-)振动的SERS强度有明显的
本文在文献[1]的基础上研究了光子消灭算符高次幂αk(k≥3)的正交归一本征态的数学和量子统计性质,指出这些本征态均具有非经典效应,它们组成一个以非经典光场态作基矢的完备表象。在此之前,文献[1]讨论的k=3的情况只是我们所得普遍性结论的特例。
本文在文献[1]的基础上研究了光子消灭算符高次幂αk(k≥3)的正交归一本征态的数学和量子统计性质,指出这些本征态均具有非经典效应,它们组成一个以非经典光场态作基矢的完备表象。在此之前,文献[1]讨论的k=3的情况只是我们所得普遍性结论的特例。
本文提出了计算含二能级原子共振腔的模型,并计算透过率随入射波长的变化。结果表明三峰结构可认为是真空场Rabi振荡特征的体现。
本文提出了计算含二能级原子共振腔的模型,并计算透过率随入射波长的变化。结果表明三峰结构可认为是真空场Rabi振荡特征的体现。
本文介绍了掺铒(Er3+)单模光纤电子辐照特性,测量了辐照前后和退火后的光纤参数。发现在0.80-1.60μm范围内辐照引起的损耗很大,在0.80-1.20μm短波部分辐照损耗遵循LUV=0.342exp[E/0.166];而1.20-1.60μm长波部分遵循LIR=2.2·104exp[-6.08E](E的单位为eV)。120℃退火60h可使长波辐照损耗减少,但0.80μm附近的损耗反而增加。最后讨论了辐照损耗的机理
本文介绍了掺铒(Er3+)单模光纤电子辐照特性,测量了辐照前后和退火后的光纤参数。发现在0.80-1.60μm范围内辐照引起的损耗很大,在0.80-1.20μm短波部分辐照损耗遵循LUV=0.342exp[E/0.166];而1.20-1.60μm长波部分遵循LIR=2.2·104exp[-6.08E](E的单位为eV)。120℃退火60h可使长波辐照损耗减少,但0.80μm附近的损耗反而增加。最后讨论了辐照损耗的机理
本文研究等离子体中由于受激Raman散射激发起来的电子等离子体波引起的近简并四波混频。文中解析地导出此情况下等离子体介质的三阶非线性极化率,并讨论其位相匹配条件。通过求解偶合波方程得到位相复共轭反射率,并详细研究该反射率与泵浦光和探针光的频率差以及与相互作用长度的关系。
本文研究等离子体中由于受激Raman散射激发起来的电子等离子体波引起的近简并四波混频。文中解析地导出此情况下等离子体介质的三阶非线性极化率,并讨论其位相匹配条件。通过求解偶合波方程得到位相复共轭反射率,并详细研究该反射率与泵浦光和探针光的频率差以及与相互作用长度的关系。
本文根据自由体积模型和固体材料的力学理论分析并讨论了金属玻璃在玻璃转变温度Tg附近的内耗行为。当考虑到体系中固状区和液状区的比例之后,得出了应力与应变之间的关系式。理论上把内耗和模量变化与玻璃转变过程有机地结合起来。证明了在Tg附近可以出现具有弛豫型特征的内耗降,并在玻璃转变过程中模量明显下降。理论与实验结果基本相符。
本文根据自由体积模型和固体材料的力学理论分析并讨论了金属玻璃在玻璃转变温度Tg附近的内耗行为。当考虑到体系中固状区和液状区的比例之后,得出了应力与应变之间的关系式。理论上把内耗和模量变化与玻璃转变过程有机地结合起来。证明了在Tg附近可以出现具有弛豫型特征的内耗降,并在玻璃转变过程中模量明显下降。理论与实验结果基本相符。
本文研究了连续相变临界点处关联集团的关联维数,严格地导出了n阶关联维数Dn=d-n/(n-1)·β/v、关联集团的分维α=d-β/v、关联集团中心分布的维数f(α)=d等结果,并讨论了它们的意义。
本文研究了连续相变临界点处关联集团的关联维数,严格地导出了n阶关联维数Dn=d-n/(n-1)·β/v、关联集团的分维α=d-β/v、关联集团中心分布的维数f(α)=d等结果,并讨论了它们的意义。
本文利用高温X射线衍射对(Ba,Pb)TiO3固溶体形成的动力学进行了研究,并对Pb2+浓度与反应速率、激活能和动力学参量C的关系进行了讨论。
本文利用高温X射线衍射对(Ba,Pb)TiO3固溶体形成的动力学进行了研究,并对Pb2+浓度与反应速率、激活能和动力学参量C的关系进行了讨论。
本文研究了非晶锂离子导体P2O5-0.7Li2O-0.4LiCl-0.1Al2O3的60目、120目、200目粉末、粉末压片和整片非晶在60至380℃的离子电导率和激活能。发现颗粒度减小能使离子电导率提高四倍以上,但不影响激活能,它归因于同一非晶相的界面效应。各样品在380℃等温热处理76h内的离子电导率和X射线衍射研究表明:颗粒度越小,晶化就越容易。整片非晶比粉末压片不仅电导率提高两个数量级,激
本文研究了非晶锂离子导体P2O5-0.7Li2O-0.4LiCl-0.1Al2O3的60目、120目、200目粉末、粉末压片和整片非晶在60至380℃的离子电导率和激活能。发现颗粒度减小能使离子电导率提高四倍以上,但不影响激活能,它归因于同一非晶相的界面效应。各样品在380℃等温热处理76h内的离子电导率和X射线衍射研究表明:颗粒度越小,晶化就越容易。整片非晶比粉末压片不仅电导率提高两个数量级,激
本文介绍了CO分子分别与K原子或Na原子在Fe(110)表面上共吸附的研究。角分辨率紫外光电子能谱(ARUPS)的结果表明,碱金属原子在Fe(110)表面上的存在,紫外光电子能谱中出现了结合能低于通常CO分子1π能级的新峰。该峰位于费密能级以下6.3eV处,是C0在碱金属影响下电子结构改变的结果。该峰的出现对应着CO分子处于C—O键明显减弱的状态。偏振紫外光电子能谱的研究表明:6.3eV处的谱峰联系的电子轨道有一个对称平面和一个反对称平面,分别平行于晶向和晶向。CO分子轨道的对称性不因
本文介绍了CO分子分别与K原子或Na原子在Fe(110)表面上共吸附的研究。角分辨率紫外光电子能谱(ARUPS)的结果表明,碱金属原子在Fe(110)表面上的存在,紫外光电子能谱中出现了结合能低于通常CO分子1π能级的新峰。该峰位于费密能级以下6.3eV处,是C0在碱金属影响下电子结构改变的结果。该峰的出现对应着CO分子处于C—O键明显减弱的状态。偏振紫外光电子能谱的研究表明:6.3eV处的谱峰联系的电子轨道有一个对称平面和一个反对称平面,分别平行于晶向和晶向。CO分子轨道的对称性不因
本文对Fr?hlich极化子的能带非抛物性效应进行了理论研究。所使用的模型是用一个简化的双能带近似。我们发现能带非抛物性对极化子束缚能和有效质量重整化会产生影响。与早期的理论相对照,我们考虑了能带非抛物性,并附加了极化子效应。本文的理论与实验结果符合。
本文对Fr?hlich极化子的能带非抛物性效应进行了理论研究。所使用的模型是用一个简化的双能带近似。我们发现能带非抛物性对极化子束缚能和有效质量重整化会产生影响。与早期的理论相对照,我们考虑了能带非抛物性,并附加了极化子效应。本文的理论与实验结果符合。
本文对Si中B-空位(BV)缺陷的电子结构,提出一个“五个空杂化轨道”的简化理论模型。用紧束缚的Koster-Slater格林函数方法,算得的空位最近邻原子的超精细相互作用常数,以及电子波函数在远离空位的几率分布都同电子-核子双共振实验结果相符合。理论确定的深能级位置同深能级瞬态谱的实验值相比拟。协调了现有BV°缺陷的实验资料,支持了B原子位于空位的次近邻,BV°缺陷处于B-V+电荷态的结论。
本文对Si中B-空位(BV)缺陷的电子结构,提出一个“五个空杂化轨道”的简化理论模型。用紧束缚的Koster-Slater格林函数方法,算得的空位最近邻原子的超精细相互作用常数,以及电子波函数在远离空位的几率分布都同电子-核子双共振实验结果相符合。理论确定的深能级位置同深能级瞬态谱的实验值相比拟。协调了现有BV°缺陷的实验资料,支持了B原子位于空位的次近邻,BV°缺陷处于B-V+电荷态的结论。
K覆盖的Cu(111)表面在室温下可吸附CO(可能是分解吸附),在K的覆盖度θK明显小于θmin(θmin≈0.18)的范围内,室温下CO的吸附使表面功函数增大。当θK≥θmin时,表面功函数先减小,达一极小值后再随CO暴露量增大。这一结果可以用凝胶一平板(Jellium-slab)模型的图象很好地解释。
K覆盖的Cu(111)表面在室温下可吸附CO(可能是分解吸附),在K的覆盖度θK明显小于θmin(θmin≈0.18)的范围内,室温下CO的吸附使表面功函数增大。当θK≥θmin时,表面功函数先减小,达一极小值后再随CO暴露量增大。这一结果可以用凝胶一平板(Jellium-slab)模型的图象很好地解释。
本文介绍了(BiPb)-Sr-Ca-Cu-O2223相高Tc超导体烧结工艺,用振动样品磁强计测量了磁化强度地豫率随外磁场的变化,并相应求得钉扎势U0随外磁场的依赖关系。发现在0—0.23T外磁场范围内U0与外磁场B的关系为U0-B-1/2与Palstra对单晶用电阻展宽实验所得结果有类似的函数形式。
本文介绍了(BiPb)-Sr-Ca-Cu-O2223相高Tc超导体烧结工艺,用振动样品磁强计测量了磁化强度地豫率随外磁场的变化,并相应求得钉扎势U0随外磁场的依赖关系。发现在0—0.23T外磁场范围内U0与外磁场B的关系为U0-B-1/2与Palstra对单晶用电阻展宽实验所得结果有类似的函数形式。
本文测量了熔化织构法生长(MTG)的和通常烧结法制备的YBa2Cu3O7-x块状样品的传输临界电流密度Tc以及磁场-样品不同取向的磁滞回线。MTG样品的Jc在78K和零场时达到3.5×104A/cm2,实验提供了有力的证据表明如此高的Jc主要是由于块状样品内弱连接的消除,因为MTG块状样品的整体Jc与烧结样品颗
本文测量了熔化织构法生长(MTG)的和通常烧结法制备的YBa2Cu3O7-x块状样品的传输临界电流密度Tc以及磁场-样品不同取向的磁滞回线。MTG样品的Jc在78K和零场时达到3.5×104A/cm2,实验提供了有力的证据表明如此高的Jc主要是由于块状样品内弱连接的消除,因为MTG块状样品的整体Jc与烧结样品颗
用定向凝固法已成功地生长出Bi-Sr-Ca-O2212相的超导大单晶,最大的单晶尺寸达到19×3×2mm3。定向生长的单晶(001)面平行于生长方向,[100]方向为单晶的定向生长方向。劳厄像表明大晶体确为单晶,其质量比其它方法生长的单晶要高。氧气中退火后的单晶电阻测量和交流磁化率测量表明,零电阻温度Tc(0)=81.5k。
用定向凝固法已成功地生长出Bi-Sr-Ca-O2212相的超导大单晶,最大的单晶尺寸达到19×3×2mm3。定向生长的单晶(001)面平行于生长方向,[100]方向为单晶的定向生长方向。劳厄像表明大晶体确为单晶,其质量比其它方法生长的单晶要高。氧气中退火后的单晶电阻测量和交流磁化率测量表明,零电阻温度Tc(0)=81.5k。
铁电单晶体自发极化引起的强周期性表面电场可能用来代替Wiggler磁铁产生自由电子激光。但落在铁电晶体表面上的自由电子将逐渐把表面势屏蔽掉。本文提出一个抗屏蔽措施:在LiNbO3极化晶面上每一个正极化畴区铺上一层绝缘膜,在上面再覆盖一层接地导体膜,可以防止电子对极化晶面的屏蔽。本文证明了在导体膜每部分两表面应电荷之和为零,落在上面的自由电子将立刻逃逸入地。
铁电单晶体自发极化引起的强周期性表面电场可能用来代替Wiggler磁铁产生自由电子激光。但落在铁电晶体表面上的自由电子将逐渐把表面势屏蔽掉。本文提出一个抗屏蔽措施:在LiNbO3极化晶面上每一个正极化畴区铺上一层绝缘膜,在上面再覆盖一层接地导体膜,可以防止电子对极化晶面的屏蔽。本文证明了在导体膜每部分两表面应电荷之和为零,落在上面的自由电子将立刻逃逸入地。
本文报道用高频溅射法在玻璃衬底上制备的Bi置换DylG薄膜具有高的矫顽力和矩形比。在500nm波长附近,法拉第旋转角达7.5°/μm。经热磁记录的磁畴稳定。并发现薄膜表面蒸镀不同金属时,随不同波长和磁光层厚度干涉效应有较大差异。利用此特性可对石榴石记录盘片进行最佳性能设计。
本文报道用高频溅射法在玻璃衬底上制备的Bi置换DylG薄膜具有高的矫顽力和矩形比。在500nm波长附近,法拉第旋转角达7.5°/μm。经热磁记录的磁畴稳定。并发现薄膜表面蒸镀不同金属时,随不同波长和磁光层厚度干涉效应有较大差异。利用此特性可对石榴石记录盘片进行最佳性能设计。
本文用基于两体碰撞近似的蒙特-卡罗模拟方法研究离子轰击入射角对溅射参数的影响,讨论了入射角与溅射产额、溅射粒子能谱、角分布和阈能的关系,并把计算结果与某些半经验公式和实验数据进行了比较。
本文用基于两体碰撞近似的蒙特-卡罗模拟方法研究离子轰击入射角对溅射参数的影响,讨论了入射角与溅射产额、溅射粒子能谱、角分布和阈能的关系,并把计算结果与某些半经验公式和实验数据进行了比较。
用高分辨率电子能量损失谱研究了氢原子吸附在金刚石表面的各种振动模式,其中主要是位于360meV处的C—H键的伸长振动和位于160meV处的“剪”振动。用氚原子代替氢原子吸附在金刚石表面,观测到上述振动模式所发生的同位素位移。将金刚石表面加热至900℃后,各种振动模式全部消失,这时吸附氢原子全部脱去,金刚石表面的悬键变成平躺在表面上,导致金刚石表面石墨化。由于石墨化后π-带的作用,在损失谱上出现一个非弹性的、连续的损失峰结构。我们用UPS和AES技术进一步证实了脱氢后金刚石表面的石墨化。
用高分辨率电子能量损失谱研究了氢原子吸附在金刚石表面的各种振动模式,其中主要是位于360meV处的C—H键的伸长振动和位于160meV处的“剪”振动。用氚原子代替氢原子吸附在金刚石表面,观测到上述振动模式所发生的同位素位移。将金刚石表面加热至900℃后,各种振动模式全部消失,这时吸附氢原子全部脱去,金刚石表面的悬键变成平躺在表面上,导致金刚石表面石墨化。由于石墨化后π-带的作用,在损失谱上出现一个非弹性的、连续的损失峰结构。我们用UPS和AES技术进一步证实了脱氢后金刚石表面的石墨化。