利用多通道量子亏损理论(MQDT)对一价铝离子(AIII)的各受干扰序列:3sns 1S0,3snp 3P0,1,2O,1P1O,3snd 1D2和3snf3F2,3,4O的能级结构进行理论分析。结果表明:前两个序列所受到的干扰较弱,后三个序列则受到了来自干扰态3p4s 1P1O,3p2 1D2和3p3d3F2,3,4O的强烈干扰,而3snf 1F3O序列则受到来自电离限上方干扰态的影响。利用获得的MQDT参数推算出3p3d 1F3O干扰态位于电离限上方5613cm-1处,这一结果与其他作者的预言相符合。
利用多通道量子亏损理论(MQDT)对一价铝离子(AIII)的各受干扰序列:3sns 1S0,3snp 3P0,1,2O,1P1O,3snd 1D2和3snf3F2,3,4O的能级结构进行理论分析。结果表明:前两个序列所受到的干扰较弱,后三个序列则受到了来自干扰态3p4s 1P1O,3p2 1D2和3p3d3F2,3,4O的强烈干扰,而3snf 1F3O序列则受到来自电离限上方干扰态的影响。利用获得的MQDT参数推算出3p3d 1F3O干扰态位于电离限上方5613cm-1处,这一结果与其他作者的预言相符合。
本文用多重散射波(Xα-SW)法对含3d族过渡金属杂质的六角密积(hcp)结构原子簇Al12M(M为Cr,Mn,Fe,Co和Ni)的电子结构作自洽计算。结果表明,杂质的存在对体系的费密能级附近的电子态有重要的影响。体系的一些重要性质,如电离势并非随杂质原子序的变化作单调变化。
本文用多重散射波(Xα-SW)法对含3d族过渡金属杂质的六角密积(hcp)结构原子簇Al12M(M为Cr,Mn,Fe,Co和Ni)的电子结构作自洽计算。结果表明,杂质的存在对体系的费密能级附近的电子态有重要的影响。体系的一些重要性质,如电离势并非随杂质原子序的变化作单调变化。
本文在冲击近似方法的基础上,采用一种有解析解的唯象势波函数,计算了高里德伯态Rb原子与稀有气体(He,Ne)热碰撞的l混合截面,并与实验及其它理论结果进行了比较。计算结果表明,上述截面与主量子数n的关系满足某种标度律。
本文在冲击近似方法的基础上,采用一种有解析解的唯象势波函数,计算了高里德伯态Rb原子与稀有气体(He,Ne)热碰撞的l混合截面,并与实验及其它理论结果进行了比较。计算结果表明,上述截面与主量子数n的关系满足某种标度律。
讨论氯离子对银胶体系中对氨基苯甲酸(PABA)和吡啶(pyr)的表面增强喇曼散射(SERS)效应的影响。观察PABA在银胶中的SERS,氯离子的影响以及SERS强度-时间关系。发现氯离子的竞争吸附破坏PABA分子的类固相吸附并伴随着分子吸附状态的改变,从而导致SERS强度的减弱。研究PABA/银胶与pyr/银胶混合后添加氯离子的影响。同时观察氯离子对银胶中PABA和pyr光吸收的影响。发现氯离子对银胶中SERS的影响主要是化学增强。
讨论氯离子对银胶体系中对氨基苯甲酸(PABA)和吡啶(pyr)的表面增强喇曼散射(SERS)效应的影响。观察PABA在银胶中的SERS,氯离子的影响以及SERS强度-时间关系。发现氯离子的竞争吸附破坏PABA分子的类固相吸附并伴随着分子吸附状态的改变,从而导致SERS强度的减弱。研究PABA/银胶与pyr/银胶混合后添加氯离子的影响。同时观察氯离子对银胶中PABA和pyr光吸收的影响。发现氯离子对银胶中SERS的影响主要是化学增强。
本文具体地阐述近核区波函数和高能光电离截面的关系。根据相对论自洽场理论,计算各种离化态铁原子和铀原子的近核区波函数和光电离截面。计算结果表明:光电离截面比值函数随着光子能量的增加规则平缓变化,在光子能量约大于101keV以后,其和相应的近核区波函数振幅平方比的精度在千分之几的范围内。
本文具体地阐述近核区波函数和高能光电离截面的关系。根据相对论自洽场理论,计算各种离化态铁原子和铀原子的近核区波函数和光电离截面。计算结果表明:光电离截面比值函数随着光子能量的增加规则平缓变化,在光子能量约大于101keV以后,其和相应的近核区波函数振幅平方比的精度在千分之几的范围内。
本文根据相对论自洽场(Dirac-Slater)理论方法,系统地总结原子序不大于95的各离化态原子占有壳层近核区电子波函数振幅(约化归一因数)随电子壳层、原子序和电离度的变化规律。
本文根据相对论自洽场(Dirac-Slater)理论方法,系统地总结原子序不大于95的各离化态原子占有壳层近核区电子波函数振幅(约化归一因数)随电子壳层、原子序和电离度的变化规律。
本文以Cantor分维集合为时轴,构想了三种自相似时间信息。理论上以逐代繁衍的眼光看待自相似信息,导出它们的谱结构因子递推公式和谱形状因子递推公式,并给出四组谱图。从谱图的比较和演变,看出结构因子的本底作用和形状因子的调制作用,以及各代之间的竞争现象。此项研究为在另一表象(频域)中进一步认识自相似信息提供一种依据。
本文以Cantor分维集合为时轴,构想了三种自相似时间信息。理论上以逐代繁衍的眼光看待自相似信息,导出它们的谱结构因子递推公式和谱形状因子递推公式,并给出四组谱图。从谱图的比较和演变,看出结构因子的本底作用和形状因子的调制作用,以及各代之间的竞争现象。此项研究为在另一表象(频域)中进一步认识自相似信息提供一种依据。
本文用Monte-Carlo方法模拟具有一维高斯型空间关联函数的湍动静电场,在此基础上通过积分带电粒子在该湍动电场中的运动方程,得到粒子系的相对扩散和绝对扩散的演化过程。所得模拟结果不但定性的与解析理论一致,而且定量符合也令人满意。
本文用Monte-Carlo方法模拟具有一维高斯型空间关联函数的湍动静电场,在此基础上通过积分带电粒子在该湍动电场中的运动方程,得到粒子系的相对扩散和绝对扩散的演化过程。所得模拟结果不但定性的与解析理论一致,而且定量符合也令人满意。
在以驱动波相速度运动的坐标系中,用微扰法讨论。在正弦波驱动下的非线性漂移波的分波方程。结果表明,在文献[1]中观察到的波包能量的滞后分岔和由定态向周期态的分岔可以统一地解析描述,它们分别对应某一非线性共振模式在时间维上的鞍结点分岔和Hopf分岔。波包能量失稳的频率是该模式的本征频率,除多普勒移动外,它的大小还因非线性效应而不同于其在实验室坐标系中的线性值。
在以驱动波相速度运动的坐标系中,用微扰法讨论。在正弦波驱动下的非线性漂移波的分波方程。结果表明,在文献[1]中观察到的波包能量的滞后分岔和由定态向周期态的分岔可以统一地解析描述,它们分别对应某一非线性共振模式在时间维上的鞍结点分岔和Hopf分岔。波包能量失稳的频率是该模式的本征频率,除多普勒移动外,它的大小还因非线性效应而不同于其在实验室坐标系中的线性值。
聚乙烯薄膜在室温下进行单轴拉伸,对不同形变阶段试样进行X射线线形分析,结果表明:在屈服前的弹性区和屈服后的应力增加区微观应变(畸变)明显增加,而微晶尺寸变化不大,而在塑性流变恒应力平台区中,微晶尺寸急剧下降,微观应变变化很小。
聚乙烯薄膜在室温下进行单轴拉伸,对不同形变阶段试样进行X射线线形分析,结果表明:在屈服前的弹性区和屈服后的应力增加区微观应变(畸变)明显增加,而微晶尺寸变化不大,而在塑性流变恒应力平台区中,微晶尺寸急剧下降,微观应变变化很小。
本文介绍溶液降温法生长的大块邻苯二甲酸氢铷(RAP)单晶中关键有机基团的取向和性质对晶体生长习性的影响,并阐述结构中分子松散堆积与缺陷形成之间的关系。
本文介绍溶液降温法生长的大块邻苯二甲酸氢铷(RAP)单晶中关键有机基团的取向和性质对晶体生长习性的影响,并阐述结构中分子松散堆积与缺陷形成之间的关系。
利用超声相比较法对CoO的顺磁相、反铁磁相的弹性常数及它们的压力导数进行测量。根据实验数据对CoO两相中原子相互作用力性质,在Néel点的体弹模量B5和压缩率βT特性,以及CoO磁性相变的级数等进行了讨论。
利用超声相比较法对CoO的顺磁相、反铁磁相的弹性常数及它们的压力导数进行测量。根据实验数据对CoO两相中原子相互作用力性质,在Néel点的体弹模量B5和压缩率βT特性,以及CoO磁性相变的级数等进行了讨论。
本文报道应用正电子湮没技术(PAT)对a-Si:H/a-SiNx:H(x≈0.5)多层膜系列样品所进行的研究。发现,由于a-Si:H和a-SiNx:H在结构方面的失配,导致在a-Si:H/a-SiNx:H多层膜中的界面区,产生大量缺陷。在a-Si:H子层中,紧靠界面的是应变层,厚度约为8?;在应变层之后是过渡层,厚度约为50?。在过渡层中存在大量缺陷,这就是所谓界面缺陷。
本文报道应用正电子湮没技术(PAT)对a-Si:H/a-SiNx:H(x≈0.5)多层膜系列样品所进行的研究。发现,由于a-Si:H和a-SiNx:H在结构方面的失配,导致在a-Si:H/a-SiNx:H多层膜中的界面区,产生大量缺陷。在a-Si:H子层中,紧靠界面的是应变层,厚度约为8?;在应变层之后是过渡层,厚度约为50?。在过渡层中存在大量缺陷,这就是所谓界面缺陷。
本文以聚丁(对甲苯硫酸)-2,4-己二炔-1,6-二醇酯[polylbis(p-toluene sulphonate) ester of 2,4-hexadiyne-1,6-diol](PDA-TS)单晶为例,分析其激光诱导光吸收机制,计算了单态和三态激子的结合能,认为PDA-TS中在1.35eV处的激光诱导光吸收峰是由于从3Ag到3Bu的跃迁所致,这与实验事实符合。
本文以聚丁(对甲苯硫酸)-2,4-己二炔-1,6-二醇酯[polylbis(p-toluene sulphonate) ester of 2,4-hexadiyne-1,6-diol](PDA-TS)单晶为例,分析其激光诱导光吸收机制,计算了单态和三态激子的结合能,认为PDA-TS中在1.35eV处的激光诱导光吸收峰是由于从3Ag到3Bu的跃迁所致,这与实验事实符合。
本文讨论常温和高温下恒压电晕充电聚酯(Mylar PETP)的电荷贮存稳定性问题。比较了聚酯的较低温位(85℃)TSD(thermally stimulated discharge)偶极峰与非极性分子聚合物材料较低温位TSD空间电荷峰对电荷稳定性影响的明显区别。通过不同高温电晕充电和常温充电后TSD过程中电荷重心的迁移,及相应温度下体电导率增长曲线的测量,研究了电导率对注入电荷平均深度的影响和脱阱电荷在该材料内的输运规律。
本文讨论常温和高温下恒压电晕充电聚酯(Mylar PETP)的电荷贮存稳定性问题。比较了聚酯的较低温位(85℃)TSD(thermally stimulated discharge)偶极峰与非极性分子聚合物材料较低温位TSD空间电荷峰对电荷稳定性影响的明显区别。通过不同高温电晕充电和常温充电后TSD过程中电荷重心的迁移,及相应温度下体电导率增长曲线的测量,研究了电导率对注入电荷平均深度的影响和脱阱电荷在该材料内的输运规律。
本文报道用X射线光电子能谱(XPS)观测Ti与铋系高温超导体相互作用过程中电子结构的变化。结果表明,Ti原子夺走超导体内部的O,在表面形成Ti—O键,在XPS探测区域内,Bi—0,Cu—O键被破坏,Cu2+和Bi3+被还原为金属态。成键氧的被夺走影响了超导体的电子结构,用标准四探针法检测得到Ti的蒸镀使薄膜的超导转变温度降低,并且不能达到零电阻。
本文报道用X射线光电子能谱(XPS)观测Ti与铋系高温超导体相互作用过程中电子结构的变化。结果表明,Ti原子夺走超导体内部的O,在表面形成Ti—O键,在XPS探测区域内,Bi—0,Cu—O键被破坏,Cu2+和Bi3+被还原为金属态。成键氧的被夺走影响了超导体的电子结构,用标准四探针法检测得到Ti的蒸镀使薄膜的超导转变温度降低,并且不能达到零电阻。
本文用微扰方法,研究环形Josephson结中有扰动情形下sine-Gordon方程的圆对称孤子解,得到孤子的动力学方程的解析形式。所得的I—V曲线(第一零场台阶)与数值计算结果符合得很好。
本文用微扰方法,研究环形Josephson结中有扰动情形下sine-Gordon方程的圆对称孤子解,得到孤子的动力学方程的解析形式。所得的I—V曲线(第一零场台阶)与数值计算结果符合得很好。
本文研究非晶态Co70Cr20Zr10合金在居里温度附近的磁性,样品的磁特性符合二级相变规律。得到临界指数β=0.45±0.02,γ=1.9±0.1,δ=5.13±0.05。Co70Cr20Zr10合金的居里温度为Tc=(186.7±0.2)K。临界指数β,γ,δ满足γ=β(δ-1)关系,但临界指数值都偏离三维Heisenberg模型的理论值,这种行为可能起源于非晶态合金磁的不均匀性。讨论了Kouvel-Fisher(K-F)参数γ(T)对温度T的依赖关系。
本文研究非晶态Co70Cr20Zr10合金在居里温度附近的磁性,样品的磁特性符合二级相变规律。得到临界指数β=0.45±0.02,γ=1.9±0.1,δ=5.13±0.05。Co70Cr20Zr10合金的居里温度为Tc=(186.7±0.2)K。临界指数β,γ,δ满足γ=β(δ-1)关系,但临界指数值都偏离三维Heisenberg模型的理论值,这种行为可能起源于非晶态合金磁的不均匀性。讨论了Kouvel-Fisher(K-F)参数γ(T)对温度T的依赖关系。
实验研究面内场Hin和静态偏磁场Hb作用下,(111)面磁泡膜内条畴的消失过程。保持Hb恒定,增加Hin,测量条畴消失场Hs*和泡畴消失场Hk*与面内场方向β的变化关系。计及立方磁晶各向异性的影响,建立Hin和Hb共同存在时的条畴稳定性理论。定性解释了实验的主要特点。导出黑、白条畴同时消失时的角度 βn=1/3(2nπ±arc cos│3/(21/2)(MsHb)/K1│)(n=0,±1,±2,…)与实验基本符合。
实验研究面内场Hin和静态偏磁场Hb作用下,(111)面磁泡膜内条畴的消失过程。保持Hb恒定,增加Hin,测量条畴消失场Hs*和泡畴消失场Hk*与面内场方向β的变化关系。计及立方磁晶各向异性的影响,建立Hin和Hb共同存在时的条畴稳定性理论。定性解释了实验的主要特点。导出黑、白条畴同时消失时的角度 βn=1/3(2nπ±arc cos│3/(21/2)(MsHb)/K1│)(n=0,±1,±2,…)与实验基本符合。
用捕获膜技术和卢瑟福背散射(RBS)谱仪测定Ag靶在27keV Ar+离子轰击下的溅射原子角分布,从而确定不同剂量下Ag的溅射产额,并对其靶点表面形貌进行扫描电子显微镜(SEM)观察。结果发现,所有的角分布都呈over-cosine形状,但其溅射产额却随着表面形貌不同而不同。根据溅射产额Y与轰击离子入射角φ变化关系,讨论不同轰击剂量下溅射产额的差别,肯定了表面形貌是影响溅射产额的一个重要因素,并由此提出“表观产额”的新概念。
用捕获膜技术和卢瑟福背散射(RBS)谱仪测定Ag靶在27keV Ar+离子轰击下的溅射原子角分布,从而确定不同剂量下Ag的溅射产额,并对其靶点表面形貌进行扫描电子显微镜(SEM)观察。结果发现,所有的角分布都呈over-cosine形状,但其溅射产额却随着表面形貌不同而不同。根据溅射产额Y与轰击离子入射角φ变化关系,讨论不同轰击剂量下溅射产额的差别,肯定了表面形貌是影响溅射产额的一个重要因素,并由此提出“表观产额”的新概念。
本工作采用时间分辨的OES(Optics Emission Spectroscopy)技术,研究横向激励大气压(TEA)CO2激光诱发的SiH4等离子体内碎片反应动力学过程。实验结果表明,等离子体内某些碎片的发光特征谱线主峰位置明显不同。据此,讨论了各碎片的产生及反应过程。比较各碎片发光的持续时间及综合其它OES结果,我们认为SIH4激光等离子体的最终反应通道为产生Si的通道。
本工作采用时间分辨的OES(Optics Emission Spectroscopy)技术,研究横向激励大气压(TEA)CO2激光诱发的SiH4等离子体内碎片反应动力学过程。实验结果表明,等离子体内某些碎片的发光特征谱线主峰位置明显不同。据此,讨论了各碎片的产生及反应过程。比较各碎片发光的持续时间及综合其它OES结果,我们认为SIH4激光等离子体的最终反应通道为产生Si的通道。
对非奇性Schwarzschild黑洞的零测地线和稳定性进一步进行了研究。结果表明,零测地线和类时测地线一样是完备的,稳定的非奇性黑洞可以存在。
对非奇性Schwarzschild黑洞的零测地线和稳定性进一步进行了研究。结果表明,零测地线和类时测地线一样是完备的,稳定的非奇性黑洞可以存在。