对于描述超短脉冲在单模光纤中传播的带高阶修正的扩充的非线性Schr?dinger方程,用广田直接法求出了它的多孤子解显式。
对于描述超短脉冲在单模光纤中传播的带高阶修正的扩充的非线性Schr?dinger方程,用广田直接法求出了它的多孤子解显式。
本文指出,KdV方程允许存在左行孤子、静态孤子和左、右行孤子的相互作用解。左行孤子的振幅越大,运动得越慢。
本文指出,KdV方程允许存在左行孤子、静态孤子和左、右行孤子的相互作用解。左行孤子的振幅越大,运动得越慢。
作为密度矩阵一种形式的Wigner函数是量子相空间里的分布。用它描述相对论费密子时,它的通常表达形式为4×4矩阵函数。本文得到相对论带电费密子的2×2矩阵形式的Wigner函数以及它所满足的Liouville方程。这一方程与量子电动力学里带电费密子满足的Dirac方程完全等价。在描述中能核碰撞的Walecka模型里,当只有矢量介子(或标量介于取平均场近似)时,核子满足一定形式的Dirac方程。本文的方程也与之等价。还证明了(2×2)Wigner函数与相对论费密子的波函数在描述量子体系上起着同样的作用。量子体系的可观察量的全部知识都可以通过这里的Wigner函数得到。
作为密度矩阵一种形式的Wigner函数是量子相空间里的分布。用它描述相对论费密子时,它的通常表达形式为4×4矩阵函数。本文得到相对论带电费密子的2×2矩阵形式的Wigner函数以及它所满足的Liouville方程。这一方程与量子电动力学里带电费密子满足的Dirac方程完全等价。在描述中能核碰撞的Walecka模型里,当只有矢量介子(或标量介于取平均场近似)时,核子满足一定形式的Dirac方程。本文的方程也与之等价。还证明了(2×2)Wigner函数与相对论费密子的波函数在描述量子体系上起着同样的作用。量子体系的可观察量的全部知识都可以通过这里的Wigner函数得到。
本文利用Lewis-Riesenfeld的量子理论,求出广义含时谐振子的精确解。研究了此精确解的绝热渐近极限,并求出广义谐振子在量子绝热情形的Berry相因数。进而利用此精确解构造了广义含时谐振子的相干态,并得到相应的经典Hannay角。
本文利用Lewis-Riesenfeld的量子理论,求出广义含时谐振子的精确解。研究了此精确解的绝热渐近极限,并求出广义谐振子在量子绝热情形的Berry相因数。进而利用此精确解构造了广义含时谐振子的相干态,并得到相应的经典Hannay角。
计算机计算和实验的结果表明:动力学系统中非线性函数有一种特殊性质,即跳跃随机性。这种性质使确定的非线性函数中产生了许多不同于自身曲线的跳跃随机曲线。
计算机计算和实验的结果表明:动力学系统中非线性函数有一种特殊性质,即跳跃随机性。这种性质使确定的非线性函数中产生了许多不同于自身曲线的跳跃随机曲线。
本工作用激光扫描步长6×10-4nm观测了SiH4多光子电离光谱中363.52nm附近的精细结构。SiH4被三光子共振激发后,作为略不对称陀螺处理。大多数转动谱线被论证为v2振动垂直谱带的一个Q支,并推算出激发态转动常数B＇=3.04±0.01cm-1。
本工作用激光扫描步长6×10-4nm观测了SiH4多光子电离光谱中363.52nm附近的精细结构。SiH4被三光子共振激发后,作为略不对称陀螺处理。大多数转动谱线被论证为v2振动垂直谱带的一个Q支,并推算出激发态转动常数B＇=3.04±0.01cm-1。
用激光频域技术,测量了氯仿溶液中FeTTP激发态的弛豫时间,讨论了实验曲线的数值拟合,得到第一激发态的弛豫时间为0.82ps。
用激光频域技术,测量了氯仿溶液中FeTTP激发态的弛豫时间,讨论了实验曲线的数值拟合,得到第一激发态的弛豫时间为0.82ps。
用普遍能量原理分析了托卡马克中具有各向异性高能飞行粒子成分等离子体对m=1,n=1内扭曲模的稳定性,发现刚刚飞行的高能粒子对此模能提供稳定作用,并比较了高能俘获粒子和高能飞行粒子对内扭曲模稳定作用的异同及其物理图象。
用普遍能量原理分析了托卡马克中具有各向异性高能飞行粒子成分等离子体对m=1,n=1内扭曲模的稳定性,发现刚刚飞行的高能粒子对此模能提供稳定作用,并比较了高能俘获粒子和高能飞行粒子对内扭曲模稳定作用的异同及其物理图象。
用分子束外延生长了23周期的GexSi1-x/Si超晶格,用计算机控制的衍射仪(CuKa辐射)测量了X射线衍射曲线,共观察到13级超晶格结构的衍射峰。超晶格的周期和Ge平均含量可以根据考虑折射修正的布喇格定律得出。用光学多层膜反射理论分析衍射曲线可以确定超晶格的结构参数,第2级衍射峰与第一级峰的强度比对应于超晶格两种材料的相对厚度变化非常灵敏,通过比较实验和计算的I2/I1值,可以确定Si,GexSi1-x层的厚度以及合金组份x。用光学多层膜反射理谁计算得到的衍射曲线与实验曲线趋于一致。
用分子束外延生长了23周期的GexSi1-x/Si超晶格,用计算机控制的衍射仪(CuKa辐射)测量了X射线衍射曲线,共观察到13级超晶格结构的衍射峰。超晶格的周期和Ge平均含量可以根据考虑折射修正的布喇格定律得出。用光学多层膜反射理论分析衍射曲线可以确定超晶格的结构参数,第2级衍射峰与第一级峰的强度比对应于超晶格两种材料的相对厚度变化非常灵敏,通过比较实验和计算的I2/I1值,可以确定Si,GexSi1-x层的厚度以及合金组份x。用光学多层膜反射理谁计算得到的衍射曲线与实验曲线趋于一致。
本文用X射线衍射方法研究了PrP5O14的晶体结构和铁弹相变。晶体空间群为P21/c,晶胞参数a=8.777(1)?,b=9.029(2)?,c=13.068(2)?,β=90.35°(1),z=4,最终R值为0.046。在130±5℃转变成正交晶系,空间群为Pncm,a=8.813(7)?,b=9.075(2)?,c=13.119(10)?。高温相变使晶体产生了铁弹性孪晶,室温下晶体属mmmF2/m类铁弹体。
本文用X射线衍射方法研究了PrP5O14的晶体结构和铁弹相变。晶体空间群为P21/c,晶胞参数a=8.777(1)?,b=9.029(2)?,c=13.068(2)?,β=90.35°(1),z=4,最终R值为0.046。在130±5℃转变成正交晶系,空间群为Pncm,a=8.813(7)?,b=9.075(2)?,c=13.119(10)?。高温相变使晶体产生了铁弹性孪晶,室温下晶体属mmmF2/m类铁弹体。
本文用X射线衍射技术研究了具有典型超高各向异性机电耦合性能的Sm改性PbTiO3压电陶瓷。通过引入面网取向密度指数ρ(hkl)和建立90°电畴转向畴壁平移模型,就改性PbTiO3陶瓷圆片经不同电压极化后材料内部电畴结构变化作了定量的分析与讨论。结果表明,在改性PbTiO3陶瓷结构中,90°畴壁空间取向分布具有高度的择优性;极化处理使材料中90°电畴壁显著平移,但其取向分布变化甚少;材料的纵向机电耦合系数Kt与(002)面网取向密度指数增量△ρ(002)具有基本平行的电场依赖关系。
本文用X射线衍射技术研究了具有典型超高各向异性机电耦合性能的Sm改性PbTiO3压电陶瓷。通过引入面网取向密度指数ρ(hkl)和建立90°电畴转向畴壁平移模型,就改性PbTiO3陶瓷圆片经不同电压极化后材料内部电畴结构变化作了定量的分析与讨论。结果表明,在改性PbTiO3陶瓷结构中,90°畴壁空间取向分布具有高度的择优性;极化处理使材料中90°电畴壁显著平移,但其取向分布变化甚少;材料的纵向机电耦合系数Kt与(002)面网取向密度指数增量△ρ(002)具有基本平行的电场依赖关系。
本文用光学显微术观察了在多磷酸钾盐熔盐中生长的KTiOPO4(KTP)晶体的表面形态和内部疵病,并借助扫描电子显微镜和能谱分析得到了横贯层绵结构的体过饱和度变化规律。基于上述结果,阐明了在不适当的生长条件下,由于晶面上熔质分布高度不均匀而形成宏观包藏——层绵的原因与过程。当熔液浓度位于稳定生长所需的临界过饱和度区域内,即各处σ均大于该区的下限(～1.3)时,重复长出了无层绵透明的KTP晶体。
本文用光学显微术观察了在多磷酸钾盐熔盐中生长的KTiOPO4(KTP)晶体的表面形态和内部疵病,并借助扫描电子显微镜和能谱分析得到了横贯层绵结构的体过饱和度变化规律。基于上述结果,阐明了在不适当的生长条件下,由于晶面上熔质分布高度不均匀而形成宏观包藏——层绵的原因与过程。当熔液浓度位于稳定生长所需的临界过饱和度区域内,即各处σ均大于该区的下限(～1.3)时,重复长出了无层绵透明的KTP晶体。
本文报道掺铅溴化钾单晶在液氮温度下经大剂量X射线辐照后的偏振喇曼测量结果。利用几年前才发展起来的所谓“表现型”分析方法,确认喇曼谱中频移为186cm-1的信号具有点群C1k(010),它起因于HD色心的A模振动。
本文报道掺铅溴化钾单晶在液氮温度下经大剂量X射线辐照后的偏振喇曼测量结果。利用几年前才发展起来的所谓“表现型”分析方法,确认喇曼谱中频移为186cm-1的信号具有点群C1k(010),它起因于HD色心的A模振动。
本文用反射电子显微术观察了球状铂单晶表面的微观结构,分析了单晶形成中内部缺陷的变化。当球状液滴凝固时,晶体中存在位错、小角晶界等缺陷。在其后的退火过程中,晶粒内部的位错向亚晶界运动,降低了晶粒内部的位错密度,而亚晶界中的位错向晶体表面的运动,导致亚晶界的消失,形成单晶。
本文用反射电子显微术观察了球状铂单晶表面的微观结构,分析了单晶形成中内部缺陷的变化。当球状液滴凝固时,晶体中存在位错、小角晶界等缺陷。在其后的退火过程中,晶粒内部的位错向亚晶界运动,降低了晶粒内部的位错密度,而亚晶界中的位错向晶体表面的运动,导致亚晶界的消失,形成单晶。
本文计算了高温超导材料YBa2Cu2ScO7的电子结构。对于Sc替代Cu1和Cu2晶位的两种情况都进行了研究。后者对Cu-O二维面的电子结构的影响较大,有可能破坏高温超导性。但计算表明,替代Cu1晶位的可能性要大一些。本文结果显示,Sc的成键分波轨道与其余四个3d轨道的交迭分裂约为4eV,据此可用近红外荧光实验判定在Sc-Y-Ba-Cu-O高温超导材料中,Sc究竟是替代Y晶位还是Cu晶位。
本文计算了高温超导材料YBa2Cu2ScO7的电子结构。对于Sc替代Cu1和Cu2晶位的两种情况都进行了研究。后者对Cu-O二维面的电子结构的影响较大,有可能破坏高温超导性。但计算表明,替代Cu1晶位的可能性要大一些。本文结果显示,Sc的成键分波轨道与其余四个3d轨道的交迭分裂约为4eV,据此可用近红外荧光实验判定在Sc-Y-Ba-Cu-O高温超导材料中,Sc究竟是替代Y晶位还是Cu晶位。
高分子中二聚化的增强或减弱决定于电子相互作用的力程。为了阐明这个事实的物理原因,本文计算了屏蔽库仑势的对角和非对角相互作用矩阵元。定量地证明了,当力程减小时,非对角相互作用愈来愈重要,它与对角相互作用的竞争使二聚化从增强而变为减弱。
高分子中二聚化的增强或减弱决定于电子相互作用的力程。为了阐明这个事实的物理原因,本文计算了屏蔽库仑势的对角和非对角相互作用矩阵元。定量地证明了,当力程减小时,非对角相互作用愈来愈重要,它与对角相互作用的竞争使二聚化从增强而变为减弱。
本文提出一个描述掺杂的含铂卤素桥接混合价化合物(HMPC)的模型Hamiltonian,利用Green函数方法计算了掺杂的HMPC的电导,详细讨论了掺杂的感应缺陷态,得到与实验符合得较好的结果。
本文提出一个描述掺杂的含铂卤素桥接混合价化合物(HMPC)的模型Hamiltonian,利用Green函数方法计算了掺杂的HMPC的电导,详细讨论了掺杂的感应缺陷态,得到与实验符合得较好的结果。
研究了高Tc氧化物超导体Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O(F)体系的“不可逆线”。发现不可逆磁场H**=1590(1—t)3/2;当120Oe**=35700(1—t)3/2-2480。指出H*(T)曲线是一个磁通格子熔化线,在曲线以下属于磁通蠕动区;在H*(T)与Hc2(T)之间属于磁通格子液态区,即磁通流动区。
研究了高Tc氧化物超导体Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O(F)体系的“不可逆线”。发现不可逆磁场H**=1590(1—t)3/2;当120Oe**=35700(1—t)3/2-2480。指出H*(T)曲线是一个磁通格子熔化线,在曲线以下属于磁通蠕动区;在H*(T)与Hc2(T)之间属于磁通格子液态区,即磁通流动区。
采用高温X射线和DTA技术研究了三步反应法合成Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O超导体的反应过程。实验结果表明样品在740℃能形成2212相,在825℃形成2223相.2212相在875℃左右异分熔化成2201相和液相,2223相在935℃左右同分熔化。2212相在晶化过程中容易形成强的c轴取向。
采用高温X射线和DTA技术研究了三步反应法合成Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O超导体的反应过程。实验结果表明样品在740℃能形成2212相,在825℃形成2223相.2212相在875℃左右异分熔化成2201相和液相,2223相在935℃左右同分熔化。2212相在晶化过程中容易形成强的c轴取向。
本文讨论了高温有机超导所遇到的两个主要问题。首先,从描写有机分子电子态的Bloch波函数出发,利用微扰论,证明了有机分子中的Coulomb场由于可移动电子的存在仍然将产生某种屏蔽作用,其屏蔽长度的平方与Fermi能级处的态密度成反比。其次,利用包含σ键压缩能的分子轨道理论,得到了象聚二苯(polyacenacene)这类有机分子有可能不发生Peierls畸变。由此表明,在其他条件满足时,在某些有机分子中出现超导态是完全可能的,同时也指出了有机材料在Fermi能级处具有较大的态密度似乎是实现Little有机超导设想的关键。
本文讨论了高温有机超导所遇到的两个主要问题。首先,从描写有机分子电子态的Bloch波函数出发,利用微扰论,证明了有机分子中的Coulomb场由于可移动电子的存在仍然将产生某种屏蔽作用,其屏蔽长度的平方与Fermi能级处的态密度成反比。其次,利用包含σ键压缩能的分子轨道理论,得到了象聚二苯(polyacenacene)这类有机分子有可能不发生Peierls畸变。由此表明,在其他条件满足时,在某些有机分子中出现超导态是完全可能的,同时也指出了有机材料在Fermi能级处具有较大的态密度似乎是实现Little有机超导设想的关键。
本文报道用电子自旋共振谱仪所测得的FeCrB非晶合金带的铁磁共振谱,给出了谱形随温度变化的实验结果。用“独立晶粒近似”理论解释了样品中的磁相变化,并讨论了线宽△H随温度T的变化。为研究非晶合金带材料的性能提供了新的实验结果。
本文报道用电子自旋共振谱仪所测得的FeCrB非晶合金带的铁磁共振谱,给出了谱形随温度变化的实验结果。用“独立晶粒近似”理论解释了样品中的磁相变化,并讨论了线宽△H随温度T的变化。为研究非晶合金带材料的性能提供了新的实验结果。
本文研究了电解充氢对3种不同成分的非晶态合金磁性的影响。实验结果表明,充氢后试样变得很脆,软磁特性显著变劣,但饱和磁化强度σ3和平均超精细场Hf显著提高。将试样在室温下放置,随着氢气的外逸,磁性、韧性以及Hf可得到逐步恢复。
本文研究了电解充氢对3种不同成分的非晶态合金磁性的影响。实验结果表明,充氢后试样变得很脆,软磁特性显著变劣,但饱和磁化强度σ3和平均超精细场Hf显著提高。将试样在室温下放置,随着氢气的外逸,磁性、韧性以及Hf可得到逐步恢复。
本文测量了含有微量Gd3+杂质并具有四角对称结构的天然锆石单晶的电子顺磁共振谱。用最小二乘法拟合技术严格地计算了精细结构参数。Gd的奇数同位素的超精细结构清晰可辨,并给出了超精细耦合常数的一级近似值。
本文测量了含有微量Gd3+杂质并具有四角对称结构的天然锆石单晶的电子顺磁共振谱。用最小二乘法拟合技术严格地计算了精细结构参数。Gd的奇数同位素的超精细结构清晰可辨,并给出了超精细耦合常数的一级近似值。
对具有器件质量的150?厚SiO2膜经传统的长时间热氮化和高温快速热氮化后,研究了其击穿特性及其在高场强下的耐久力。研究结果表明,氮化后击穿场强的分布变窄,对栅电极面积的依赖性减弱,最大击穿场强略微下降。热氮化对高电场下SiO2/Si界面稳定性和决定于时间的介质击穿均有改善。这种改善既取决于所加栅电压的极性,又强烈依赖于氮化工艺条件。根据电流传输机构,本文提出一种考虑了电荷积累、陷阱密度及其重心位置的击穿模型。
对具有器件质量的150?厚SiO2膜经传统的长时间热氮化和高温快速热氮化后,研究了其击穿特性及其在高场强下的耐久力。研究结果表明,氮化后击穿场强的分布变窄,对栅电极面积的依赖性减弱,最大击穿场强略微下降。热氮化对高电场下SiO2/Si界面稳定性和决定于时间的介质击穿均有改善。这种改善既取决于所加栅电压的极性,又强烈依赖于氮化工艺条件。根据电流传输机构,本文提出一种考虑了电荷积累、陷阱密度及其重心位置的击穿模型。
本文应用Monte-Carlo统计物理计算方法,计算了L12结构有序度随温度的变化。计算中考虑了最近邻有序相互作用J1和次近邻有序相互作用J2=0,-0.3J1,0.3J1三种情况。计算结果显示存在有序无序一级相变,临界温度Tc与准化学方法等理论结果相符,同时发现次近邻有序相互作用J2敏感地影响到有序无序转变温度Tc,为间隙原子对L12结构金属间化合物塑性的作用提供了一种可能的解释。
本文应用Monte-Carlo统计物理计算方法,计算了L12结构有序度随温度的变化。计算中考虑了最近邻有序相互作用J1和次近邻有序相互作用J2=0,-0.3J1,0.3J1三种情况。计算结果显示存在有序无序一级相变,临界温度Tc与准化学方法等理论结果相符,同时发现次近邻有序相互作用J2敏感地影响到有序无序转变温度Tc,为间隙原子对L12结构金属间化合物塑性的作用提供了一种可能的解释。