本文对统计中的杨-Baxter方程的Zn对称解进行了仔细的分析,自然地得到了相应的量子代数的结构常数,并对这个解给出了一个直接的证明。

利用基方程技术和求解基方程新解的变换公式,求得n+1维非线性波动方程的一些新的多孤子解。Gibbon等人指出:多孤子解的孤子数受到限制,N≤2n+1.然而,本文结果表明,他们的结论是不正确的。孤子数N可以是一个任意正整数。

用激光三步共振激发方法观察了Eu原子的自电离谱。测定了Eu原子偶宇称,能量在45740.3—47341.0cm-1范围的75个能级位置,识别了收敛于Eull 4f76s 7S3的4f76s(7S)np(n=12—46)的自电离里德伯系列。报道了这一系列在此能量范围的能级位置及量子亏损数据。

本文提出光学速调管结构喇曼自由电子激光器总体实验设计。采用一维单粒子模型对光学速调管结构目由电子激光器增益和效率的提高进行了研究。

利用Hg原子61S0—61D2和61S0—63D2双光子共振的四波差频(2ω1—ω3),获得了真空紫外相干辐射(ω4)。当入射光之一(ω3)波长调谐时,产生的真空紫外光也是调谐的,调谐范围为184.9-187.5nm.本文对非线性频率变换过程的机

本文研究了具有基本流动的两层流体浅水孤波,利用多重尺度摄动方法求得了两流体界面和表面波所满足的KdV方程和相应单孤波解;对所得结果进行了讨论,并将其应用到海洋温跃层和有剪切流动的均匀密度流体两种常见情形。

本文讨论电负性混合气体的临界击穿场强与气体电子附着速率的关系,指出在两种气体混合后,临界击穿场强的变化可归纳为线性关系、协同效应、正协同效应和负协同效应4种类型,并分别讨论了它们产生的条件。

通常的FFT多片层法(FFTMS)动力学衍射计算中,由于采用了边界采样点周期性延伸的假设,从而导致非周期结构高分辨象模拟的严重失真。在仔细研究这种误差成因的基础上,本文提出了一种适用于非周期结构的高分辨象模拟计算新方法,它基于实空间多片层(RSMS)象模拟计算方法,但在势投影及传播因数计算中充分考虑了非周期结构的特点,从而得到与实验符合较好的结果。

FexAl100-x系列非晶态粉末样品是通过不同时间的球磨而制备的。磁性及X射线衍射测量表明:该系列样品的非晶态形成能力随铁含量的不同而不同,x=50时,最容易由晶态粉末球磨成非晶态粉末,即Fe50Al50的非晶态形成能力最强。

三羟甲基甲胺(Trihydroxymethylaminomethane,缩写为TAM)是一种新型的X射线分光晶体,综合分光性能优于季戍四醇(PET)。X射线形貌鉴定结果表明,除了宏观包裹物和包裹列外,主要是门类繁多的位错,还有面缺陷干涉条纹。文中扼要讨论了缺陷形成的结构影响因素。

本文叙述低温相偏硼酸钡β-BaB2O4(BBO)单晶包裹物的两套等三角锥形X射线形貌衬度,并且讨论了其衬度的主要来源。

用Si分子束外延技术在GaP(111)衬底上生长Si时,发现Si外延层表面存在P偏析,根据俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED)在一系列不同实验条件下的结果,本文对P偏析产生的机制、外延层表面再构与P偏析之间的关系作了分析和讨论,得出偏析主要来自外延Si原子与衬底P元素之间的相互交换。在此基础上提出了一种能有效地抑制P偏析同时又改善外延层质量的新的Si/GaP(111)异质结制备方法。

用XPS和UPS技术细致地研究了石墨的价带结构,并与Painter等人计算的结果相比较。在石墨上蒸镀镍后,碳原子与镍原子相互作用,在石墨表面形成一层碳化镍。从镀镍后的AES谱可看到碳化镍的Auger特征峰,碳化镍的形成,使C 2Px,y轨道上升到费密能级下5eV附近,而2Px轨道则上升到靠近费密能级处。

本文采用改进的CNDO/2(Semi Empirical Hartree-Focu of Complete Neglect of Diffe-rential Overlap)分子轨道方法计算了非晶Si和非晶Si基合金半导体的顺磁共振朗德劈裂因数(g值),讨论了晶格弛豫对g值的影响。计算结果与实验符合。

本文发展了一种Kronig-Penney模型的新形式,比文献[1]的新形式更加普遍和实用,可以分别给出奇数带和偶数带任意k值的包络波函数和能量本征值,并且深入分析了波函数的字称,从而为对超晶格物理性质的研究,提供了一种更加合适的理论形式。

本文运用线性响应理论推导共振价键(RVB)模型中holon-spinon散射和holon-phonon散射导致的正常态电阻率公式。计算结果表明:holon-spinon散射电阻率若用ρ-Tα公式拟合,α在1.4—1.5之间随温度变化;而声子散射电阻率在很大温度范围呈现线性温度行为。

本文论证,单连通的二维电子体系,在低温、强磁场等条件下,其两端电阻精确地等于量子化霍耳电阻h/fe2,f为Landau填充因数。并以此为基础,解释了复连通二维电子系统的电阻量子化。

本文用有效质量理论计算了加平行磁场(方向平行于GaAs/AlGaAs界面)和垂直电场(方向垂直于界面)的超晶格子带结构和光跃迁。加平行磁场后,空穴子带的二重简并解除,轻重空穴混合。加电场后,产生Stark位移,电子和空穴能级发生一定位移。最后,讨论了磁光跃迁概率。

本文发展了文献[1]中提出的利用费密变换求Ising模型基态的方法,根据由费密变换后,激发态能量大于零求得相边界,提出了直接比较各真空态能量来求解各基态的相边界。采用此方法,研究了具有近邻对相互作用的最一般的自旋S=1的Ising反铁磁体模型,严格地求得它在面心立方格子上的基态能量和零温相图。同时,还利用多相点方程,将参数k,l平面分成60个小区域,它们分别对应于各个拓扑不等价的零温相图。

本文通过将对近似方法和离散路径积分表示组合,提出一种超越平均场的方法,用来研究无规场存在下的量子横向Ising模型。无规场取不同的形式时对系统相图结构的影响作了统一的描述。无规场取双峰和三峰分布时,通过数值计算对系统的临界特性包括三临界点和重入现象存在的可能性作了详细的研讨。理论在配位数z→∞时退化为平均场结果。

本文系统研究了Fe100-xZrx,(Fe1-xZrx)84B16和Fe90-xMxZr10(M=V,Cr,Mn,Co,Ni,Si,B)非晶态合金的晶化温度与成分的关系。主要结果有:用Zr替代Fe使晶化温度明显提高;在FeMZr非晶态合金系列中,晶化温度依M=Mn,Cr,V元素的顺序和M含量x的增大而提高,而依

本文研究了CoxZn1-x(FeyCr1-x2O4尖晶石系统的磁性,测量了不同成份样品的低频弱场交流磁化率与低场直流磁化强度的温度关系。根据实验结果,给出了该系统可能的磁相图。发现在该系统中相当宽的成份范围内,都存在自旋玻璃的重入现象。同时发现,自旋玻璃的重入温度随磁性离子浓度增加而增加。这些行为是磁性离子浓度含量较高和多种磁性离子共存系统的共同特性。还讨论了自旋玻璃重入行为

根据的相位光栅各向异性衍射理论,应用顾世杰、李荫远发展的方法,对于激光束在厚的LiNbO3:Fe晶体(厚度≈1cm)中的异常衍射现象作了计算。如果晶体中被照射后有无规的电荷富集分布,则Fourier分解后可得到无穷个相位光栅,衍射图形决定于光栅的衍射效率。计算结果表明,对e光入e光出的衍射图形,可以解释中央光斑(由透镜效应所决定)两边的光瓣。结果与实验基本符合。

本文首先叙述了一些o光入e光出衍射的实验现象,包括衍射图样随温度的变化以及相应的Kaman光谱的变化等。然后用文献[1]中的方法,对室温衍射图样进行了计算。证明这种偏振面旋转90°的异常衍射现象是空间相位光栅的各向异性衍射产生的。对一些其它实验现象也作了解释。

本文应用最近发展的离子输运双群模型计算了氢,氘和氚离子在固体表面的反射系数。与有关的实验资料和Monte-Carlo计算比较表明,双群模型所取得的结果是合理的、可用的。同时也表明了双群模型有可能成为研究离子在固体表面反射的有效的理论方法。