//m.suprmerch.com/ Acta Physica Sinica daily 15 2024-11-21 09:34:05 apsoffice@iphy.ac.cn apsoffice@iphy.ac.cn 2024-11-21 09:34:05 zh 版权所有 © 地址:北京市603信箱,《 》编辑部邮编:100190 电话:010-82649829,82649241,82649863Email:apsoffice@iphy.ac.cn 版权所有 © apsoffice@iphy.ac.cn 1000-3290 <![CDATA[一类半平面对称的电磁真空时空]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.169

本文证明了能够产生半平面对称度规的电磁场可以是平面对称的,也可以是半平面对称的。其中的平面对称电磁场一定是非类光电磁场,而半平面对称电磁场则可能是类光的,也可能是非类光的。求出由半平面对称类光(null)无源电磁场所产生的半平面对称时空通解。


. 1990 39(2): 169-176. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

本文证明了能够产生半平面对称度规的电磁场可以是平面对称的,也可以是半平面对称的。其中的平面对称电磁场一定是非类光电磁场,而半平面对称电磁场则可能是类光的,也可能是非类光的。求出由半平面对称类光(null)无源电磁场所产生的半平面对称时空通解。


. 1990 39(2): 169-176. Published 1990-01-05 ]]>
1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 169-176. article doi:10.7498/aps.39.169 10.7498/aps.39.169 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.169 169-176
<![CDATA[添加KCl对银胶光吸收的影响]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.177

本文研究了添加KCl对两种银胶光吸收谱的影响,并与添加吡啶的情形进行了比较。结果表明KCl的加入,由于造成银颗粒表面的覆盖层而使整个光谱区的光吸收增加,消弱了原银颗粒的等离振子共振吸收,同时因银胶发生链状凝聚,原等离振子共振吸收峰发生劈裂和红移。讨论了这些变化对表面增强喇曼散射强度的影响。


. 1990 39(2): 177-182. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

本文研究了添加KCl对两种银胶光吸收谱的影响,并与添加吡啶的情形进行了比较。结果表明KCl的加入,由于造成银颗粒表面的覆盖层而使整个光谱区的光吸收增加,消弱了原银颗粒的等离振子共振吸收,同时因银胶发生链状凝聚,原等离振子共振吸收峰发生劈裂和红移。讨论了这些变化对表面增强喇曼散射强度的影响。


. 1990 39(2): 177-182. Published 1990-01-05 ]]>
1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 177-182. article doi:10.7498/aps.39.177 10.7498/aps.39.177 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.177 177-182
<![CDATA[光反馈对CO2激光器不稳定性的影响]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.183

利用光反馈研究了光场横向分布对CO2激光器不稳定性的影响。实验上观测到光反馈引起激光脉动频率漂移和混沌运转等现象。讨论了光场横向分布产生激光非稳性的机制。


. 1990 39(2): 183-189. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

利用光反馈研究了光场横向分布对CO2激光器不稳定性的影响。实验上观测到光反馈引起激光脉动频率漂移和混沌运转等现象。讨论了光场横向分布产生激光非稳性的机制。


. 1990 39(2): 183-189. Published 1990-01-05 ]]>
1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 183-189. article doi:10.7498/aps.39.183 10.7498/aps.39.183 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.183 183-189
<![CDATA[在BBO中获得230.8—223.2nm高功率和频输出]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.190

用Q-YAG泵浦的Rh·6G染料激光在一块45°切割的β-BaB2O4(BBO)晶体中倍频,产生294.8—282.5nm范围的连续调谐输出,其能量为8mJ(在285nm处)。用这个倍频光与泵浦染料后剩余基波(1064nm)在另一块45°切割的BBO中和频,已获得230.8—223.2nm范围的连续调谐输出,其能量为120μJ,相应的峰值功率为12kW。还简述了获得高功率和频输出的关键技术。


. 1990 39(2): 190-193. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

用Q-YAG泵浦的Rh·6G染料激光在一块45°切割的β-BaB2O4(BBO)晶体中倍频,产生294.8—282.5nm范围的连续调谐输出,其能量为8mJ(在285nm处)。用这个倍频光与泵浦染料后剩余基波(1064nm)在另一块45°切割的BBO中和频,已获得230.8—223.2nm范围的连续调谐输出,其能量为120μJ,相应的峰值功率为12kW。还简述了获得高功率和频输出的关键技术。


. 1990 39(2): 190-193. Published 1990-01-05 ]]>
1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 190-193. article doi:10.7498/aps.39.190 10.7498/aps.39.190 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.190 190-193
<![CDATA[多层光学薄膜矢量散射的理论与实验研究]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.194

本文提出一种用以计算多层光学薄膜的矢量散射波场分布的新方法。并应用统计学原理,详细讨论了不同膜层界面的互相关模型及相应的光学薄膜散射特性。推导中应用了薄膜光学的惯用概念,所得公式亦比较简洁。还实验测量了光学薄膜的散射波场分布,并根据所建立的模型确定了所测光学薄膜的界面互相关特性。


. 1990 39(2): 194-203. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

本文提出一种用以计算多层光学薄膜的矢量散射波场分布的新方法。并应用统计学原理,详细讨论了不同膜层界面的互相关模型及相应的光学薄膜散射特性。推导中应用了薄膜光学的惯用概念,所得公式亦比较简洁。还实验测量了光学薄膜的散射波场分布,并根据所建立的模型确定了所测光学薄膜的界面互相关特性。


. 1990 39(2): 194-203. Published 1990-01-05 ]]>
1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 194-203. article doi:10.7498/aps.39.194 10.7498/aps.39.194 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.194 194-203
<![CDATA[非线性漂移波在行波扰动下的绕数分岔与超级结构]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.204

在文献[1]中,数字计算揭示出在时空周期场驱动下,有阻尼的非线性漂移波方程其分岔图显示出某种标度的超级结构。本文指出,漂移波方程的扰动解与未扰系统的解之间的共振和因此而引起的绕数分岔,是出现这种超级结构的原因。由此计算的波数与频率之间的标度关系,与数字实验结果符合。


. 1990 39(2): 204-211. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

在文献[1]中,数字计算揭示出在时空周期场驱动下,有阻尼的非线性漂移波方程其分岔图显示出某种标度的超级结构。本文指出,漂移波方程的扰动解与未扰系统的解之间的共振和因此而引起的绕数分岔,是出现这种超级结构的原因。由此计算的波数与频率之间的标度关系,与数字实验结果符合。


. 1990 39(2): 204-211. Published 1990-01-05 ]]>
1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 204-211. article doi:10.7498/aps.39.204 10.7498/aps.39.204 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.204 204-211
<![CDATA[KT-5B托卡马克装置上离子伯恩斯坦波激发条件的实验研究]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.212

本文介绍了在KT-5B托卡马克装置上,线性离子伯恩斯坦波的激发与边缘离子密度涨落、托卡马克放电参数以及发射天线位置之间关系的实验研究结果。实验表明,边缘离子密度涨落过大,将使离子伯恩斯坦波激发变得困难;正常的托卡马克运行的放电参数范围与有效激发离子伯恩斯坦波的参数范围一致;对纵环电流天线,可能存在静电模转换激发和直接激发这两种离子伯恩斯坦波激发方式共存的情况。


. 1990 39(2): 212-217. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

本文介绍了在KT-5B托卡马克装置上,线性离子伯恩斯坦波的激发与边缘离子密度涨落、托卡马克放电参数以及发射天线位置之间关系的实验研究结果。实验表明,边缘离子密度涨落过大,将使离子伯恩斯坦波激发变得困难;正常的托卡马克运行的放电参数范围与有效激发离子伯恩斯坦波的参数范围一致;对纵环电流天线,可能存在静电模转换激发和直接激发这两种离子伯恩斯坦波激发方式共存的情况。


. 1990 39(2): 212-217. Published 1990-01-05 ]]>
1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 212-217. article doi:10.7498/aps.39.212 10.7498/aps.39.212 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.212 212-217
<![CDATA[弱相对论捕获电子哨声模不稳定性]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.218

本文讨论了弱相对论的捕获电子在磁镜位形中对哨声波不稳定性的影响。在简化的箱子模型下,用摄动法求解了带有弱相对论捕获电子效应的本征方程。发现各向异性热电子可以驱动哨声模不稳定性,而相对论效应使不稳定性的各向异性阈值升高,增长率的最大值减小并使不稳定性向低频方向移动。


. 1990 39(2): 218-224. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

本文讨论了弱相对论的捕获电子在磁镜位形中对哨声波不稳定性的影响。在简化的箱子模型下,用摄动法求解了带有弱相对论捕获电子效应的本征方程。发现各向异性热电子可以驱动哨声模不稳定性,而相对论效应使不稳定性的各向异性阈值升高,增长率的最大值减小并使不稳定性向低频方向移动。


. 1990 39(2): 218-224. Published 1990-01-05 ]]>
1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 218-224. article doi:10.7498/aps.39.218 10.7498/aps.39.218 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.218 218-224
<![CDATA[用双晶衍射仪作小角散射测量]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.225

双晶衍射仪的分辨本领高,测量范围小,最适合作小角散射测量。可是长期以来都认为它的背底较重,能掩盖小角散射的讯号而未能普遍应用。本文指出这种背底主要来自两个方面:一是第二晶体的荧光;一是晶体摆动曲线的尾部效应。前者可以用波高分析器来扣除。本文提出一种对尾部效应的扣除方法。经实测验证,这个方法是满意的。


. 1990 39(2): 225-230. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

双晶衍射仪的分辨本领高,测量范围小,最适合作小角散射测量。可是长期以来都认为它的背底较重,能掩盖小角散射的讯号而未能普遍应用。本文指出这种背底主要来自两个方面:一是第二晶体的荧光;一是晶体摆动曲线的尾部效应。前者可以用波高分析器来扣除。本文提出一种对尾部效应的扣除方法。经实测验证,这个方法是满意的。


. 1990 39(2): 225-230. Published 1990-01-05 ]]>
1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 225-230. article doi:10.7498/aps.39.225 10.7498/aps.39.225 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.225 225-230
<![CDATA[安康矿一维无公度调制结构的电子衍射研究]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.231

用电子衍射方法研究了我国新发现的矿物安康矿(Ba0.827(Ti5.827V2.294Cr0.053)O16)的一维无公度调制结构。确定了其平均结构属四方晶系,平均结构的晶胞参数为a=10.2?,c=2.96?。沿c方向的调制波长为λ=2.30c。详细分析了安康矿电子衍射花样的特征,讨论了安康矿无公度调制结构的可能机制,提出一个空位-位移型调制结构的模型,并讨论了因位移函数初始位相各处不一而引起的


. 1990 39(2): 231-236. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

用电子衍射方法研究了我国新发现的矿物安康矿(Ba0.827(Ti5.827V2.294Cr0.053)O16)的一维无公度调制结构。确定了其平均结构属四方晶系,平均结构的晶胞参数为a=10.2?,c=2.96?。沿c方向的调制波长为λ=2.30c。详细分析了安康矿电子衍射花样的特征,讨论了安康矿无公度调制结构的可能机制,提出一个空位-位移型调制结构的模型,并讨论了因位移函数初始位相各处不一而引起的


. 1990 39(2): 231-236. Published 1990-01-05 ]]>
1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 231-236. article doi:10.7498/aps.39.231 10.7498/aps.39.231 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.231 231-236
<![CDATA[Si衬底上分子束外延Ge,Si时的反射式高能电子衍射强度振荡观察]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.237

本文观察了在Si(100)和Si(111)衬底上分子束外延Si,Ge时的反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡现象。其振荡特性表明,外延一定厚度的缓冲层可以改善表面的平整性,较慢的生长速率或中断生长一段时间有利于外延膜晶体质量的提高。Si(100)上外延Si或Ge时,沿[100]和[110]方位观测到的振荡特性均为单原子模式,起因于表面存在双畴(2×1)再构;而Si(111)上外延Ge时,[112]方位观测到的振荡为双原子层模式,但在[110]方位观察到不均匀周期的强度振荡行为。两种衬底上保持RHEED


. 1990 39(2): 237-244. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

本文观察了在Si(100)和Si(111)衬底上分子束外延Si,Ge时的反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡现象。其振荡特性表明,外延一定厚度的缓冲层可以改善表面的平整性,较慢的生长速率或中断生长一段时间有利于外延膜晶体质量的提高。Si(100)上外延Si或Ge时,沿[100]和[110]方位观测到的振荡特性均为单原子模式,起因于表面存在双畴(2×1)再构;而Si(111)上外延Ge时,[112]方位观测到的振荡为双原子层模式,但在[110]方位观察到不均匀周期的强度振荡行为。两种衬底上保持RHEED


. 1990 39(2): 237-244. Published 1990-01-05 ]]>
1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 237-244. article doi:10.7498/aps.39.237 10.7498/aps.39.237 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.237 237-244
<![CDATA[LiCl玻璃急冷过程的分子动力学计算机模拟研究]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.245

用分子动力学方法对LiCl玻璃的急冷过程进行了计算机模拟。计算了急冷过程中各温度模拟体系的径向分布函数、配位数和Li+,Cl-的自扩散系数。对模拟体系的键角进行了统计。讨论了不同温度下系统中微观空孔的分布。计算和分析清楚地表明模拟系统的玻璃态转变温度为498—298K。


. 1990 39(2): 245-253. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

用分子动力学方法对LiCl玻璃的急冷过程进行了计算机模拟。计算了急冷过程中各温度模拟体系的径向分布函数、配位数和Li+,Cl-的自扩散系数。对模拟体系的键角进行了统计。讨论了不同温度下系统中微观空孔的分布。计算和分析清楚地表明模拟系统的玻璃态转变温度为498—298K。


. 1990 39(2): 245-253. Published 1990-01-05 ]]>
1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 245-253. article doi:10.7498/aps.39.245 10.7498/aps.39.245 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.245 245-253
<![CDATA[MeV高能B+离子注入Si中二次缺陷的抑制与消除]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.254

本文研究了MeV高能B+离子注入Si中二次缺陷的退火行为。提出一种新型的双重注入退火方法,抑制或消除了MeV高能B+离子注入Si样品中的二次缺陷。还对这种二次缺陷的被抑制与被消除的物理机制进行了讨论。


. 1990 39(2): 254-260. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

本文研究了MeV高能B+离子注入Si中二次缺陷的退火行为。提出一种新型的双重注入退火方法,抑制或消除了MeV高能B+离子注入Si样品中的二次缺陷。还对这种二次缺陷的被抑制与被消除的物理机制进行了讨论。


. 1990 39(2): 254-260. Published 1990-01-05 ]]>
1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 254-260. article doi:10.7498/aps.39.254 10.7498/aps.39.254 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.254 254-260
<![CDATA[多声子无辐射弛豫速率的理论研究]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.261

本文应用量子力学生成函数法,在等效耦合模条件下导出多声子弛豫速率的普适表达式,及在高级近似条件下的解析表达式。指出Fong等人在弱耦合条件下用统计方法、Miyakawa等人在弱耦合和低温近似条件下所得多声子弛豫速率表达式的局限性。文中还计算了多声子弛豫速率对温度、声子能量、能隙以及位移参数的依赖关系。


. 1990 39(2): 261-269. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

本文应用量子力学生成函数法,在等效耦合模条件下导出多声子弛豫速率的普适表达式,及在高级近似条件下的解析表达式。指出Fong等人在弱耦合条件下用统计方法、Miyakawa等人在弱耦合和低温近似条件下所得多声子弛豫速率表达式的局限性。文中还计算了多声子弛豫速率对温度、声子能量、能隙以及位移参数的依赖关系。


. 1990 39(2): 261-269. Published 1990-01-05 ]]>
1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 261-269. article doi:10.7498/aps.39.261 10.7498/aps.39.261 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.261 261-269
<![CDATA[银氧相互作用对表面非线性光学效应的贡献]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.270

本文讨论氧吸附银表面的非线性光学效应,以及在超高真空环境下所作的实验研究。银氧之间的电子交换使得表面二次谐波信号发生变化。由分子氧在银表面吸附动力学过程的二次谐波测量可推测氧的满π轨道向银反馈的电子数多于银向氧π*反键轨道输运的电子数,测量了氧在银表面的温度解离过程,且能用一简单的理论模型加以解释。


. 1990 39(2): 270-277. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

本文讨论氧吸附银表面的非线性光学效应,以及在超高真空环境下所作的实验研究。银氧之间的电子交换使得表面二次谐波信号发生变化。由分子氧在银表面吸附动力学过程的二次谐波测量可推测氧的满π轨道向银反馈的电子数多于银向氧π*反键轨道输运的电子数,测量了氧在银表面的温度解离过程,且能用一简单的理论模型加以解释。


. 1990 39(2): 270-277. Published 1990-01-05 ]]>
1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 270-277. article doi:10.7498/aps.39.270 10.7498/aps.39.270 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.270 270-277
<![CDATA[Al3Y化合物的晶体结构与电子结构]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.278

用全电子自洽总能LMTO方法研究了Al3Y的三种(DO19,L12和DO22)相的电子结构。总能计算结果表明:在这三种相中六方DO19相为最稳定的结构,这与实验观察一致。而且结构的稳定性强烈地依赖于对成键态的填充度,与EF处的状态密度呈相反变化的关系。


. 1990 39(2): 278-281. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

用全电子自洽总能LMTO方法研究了Al3Y的三种(DO19,L12和DO22)相的电子结构。总能计算结果表明:在这三种相中六方DO19相为最稳定的结构,这与实验观察一致。而且结构的稳定性强烈地依赖于对成键态的填充度,与EF处的状态密度呈相反变化的关系。


. 1990 39(2): 278-281. Published 1990-01-05 ]]>
1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 278-281. article doi:10.7498/aps.39.278 10.7498/aps.39.278 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.278 278-281
<![CDATA[GaAs和AlAs光学声子形变势的第一性原理研究]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.282

本文以冻结声子近似模型,采用空球随原子球位移的冻结势近似的LMTO-ASA计算方案,研究了GaAs和AlAs布里渊区Λ轴的光学声子形变势的计算,得到Γ点和Λ轴光学声子形变势d0,d30,d10(val)和d10(comd)的第一性原理的计算结果。研究中着重从GaAs和AlAs的Λ轴光学声子形变势随k点的变化趋势,从光学声子形变势在Γ点附近满足的关系,以及从不同计算方法对d0的计算结果与实验结果的比


. 1990 39(2): 282-288. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

本文以冻结声子近似模型,采用空球随原子球位移的冻结势近似的LMTO-ASA计算方案,研究了GaAs和AlAs布里渊区Λ轴的光学声子形变势的计算,得到Γ点和Λ轴光学声子形变势d0,d30,d10(val)和d10(comd)的第一性原理的计算结果。研究中着重从GaAs和AlAs的Λ轴光学声子形变势随k点的变化趋势,从光学声子形变势在Γ点附近满足的关系,以及从不同计算方法对d0的计算结果与实验结果的比


. 1990 39(2): 282-288. Published 1990-01-05 ]]>
1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 282-288. article doi:10.7498/aps.39.282 10.7498/aps.39.282 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.282 282-288
<![CDATA[荷电孤子的电子束缚态]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.289

现有理论认为聚乙炔中的孤子只具有一个电子束缚态——midgap态。本工作发现,由于电子之间存在相互作用,且高分子链具有分立的原子结构,荷电孤子在能隙中应具有两个电子束缚态:一个是深能级,它离能隙中央0.2eV;一个是浅能级,离带边0.06eV。反式聚乙炔的光致吸收光谱证实了此理论。


. 1990 39(2): 289-295. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

现有理论认为聚乙炔中的孤子只具有一个电子束缚态——midgap态。本工作发现,由于电子之间存在相互作用,且高分子链具有分立的原子结构,荷电孤子在能隙中应具有两个电子束缚态:一个是深能级,它离能隙中央0.2eV;一个是浅能级,离带边0.06eV。反式聚乙炔的光致吸收光谱证实了此理论。


. 1990 39(2): 289-295. Published 1990-01-05 ]]>
1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 289-295. article doi:10.7498/aps.39.289 10.7498/aps.39.289 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.289 289-295
<![CDATA[三类硬磁畴的形成及静态特性]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.296

本文提出畴壁中含有大量VBL的石榴石磁泡材料的三类硬磁畴的分类标准,描述了它们的形成方法和静态特性,并示出典型照片。从形成条件可以合理地推论,畴壁中VBL数目的增加导致硬磁畴静态特性的质的变化。


. 1990 39(2): 296-301. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

本文提出畴壁中含有大量VBL的石榴石磁泡材料的三类硬磁畴的分类标准,描述了它们的形成方法和静态特性,并示出典型照片。从形成条件可以合理地推论,畴壁中VBL数目的增加导致硬磁畴静态特性的质的变化。


. 1990 39(2): 296-301. Published 1990-01-05 ]]>
1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 296-301. article doi:10.7498/aps.39.296 10.7498/aps.39.296 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.296 296-301
<![CDATA[时间相关穆斯堡尔谱与GaAs的119mTe离子注入]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.302

本文提出并实现了一种新的穆斯堡尔谱——时间相关穆斯堡尔谱。这是利用两步衰变119mTe→119Sb→119Sn而获得的。测量了110keV 119mTe加1015稳定Te/cm2注入并经600℃退火的样品在不同测量时间内的穆斯堡尔谱,分析了各谱线随ξ的变化。这里ξ是我们定义的参量,它等于ΦTe/Φ总,由退火时刻ta
. 1990 39(2): 302-311. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

本文提出并实现了一种新的穆斯堡尔谱——时间相关穆斯堡尔谱。这是利用两步衰变119mTe→119Sb→119Sn而获得的。测量了110keV 119mTe加1015稳定Te/cm2注入并经600℃退火的样品在不同测量时间内的穆斯堡尔谱,分析了各谱线随ξ的变化。这里ξ是我们定义的参量,它等于ΦTe/Φ总,由退火时刻ta
. 1990 39(2): 302-311. Published 1990-01-05 ]]> 1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 302-311. article doi:10.7498/aps.39.302 10.7498/aps.39.302 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.302 302-311 <![CDATA[ErxY1-xAlO3晶体的荧光动力学研究]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.312

本文详细计算了辐射跃迁几率、无辐射跃迁几率、交叉弛豫几率和其他光谱参数。并且在考虑上述三种辐射过程的情况下,讨论了Er3+离子的荧光动力学过程,研究了荧光发射特征与Er3+离子浓度的关系,给出了它们的规律。


. 1990 39(2): 312-318. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

本文详细计算了辐射跃迁几率、无辐射跃迁几率、交叉弛豫几率和其他光谱参数。并且在考虑上述三种辐射过程的情况下,讨论了Er3+离子的荧光动力学过程,研究了荧光发射特征与Er3+离子浓度的关系,给出了它们的规律。


. 1990 39(2): 312-318. Published 1990-01-05 ]]>
1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 312-318. article doi:10.7498/aps.39.312 10.7498/aps.39.312 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.312 312-318
<![CDATA[多成分靶优先溅射的蒙特-卡罗计算]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.319

基于两体碰撞近似,本文用蒙特-卡罗方法研究离子轰击多成分靶引起的溅射。计算了1keV,10keV的氦离子和氖离子入射引起多成分、无定型靶表面总溅射产额和部分溅射产额;溅射粒子的能谱、角分布和深度来源分布。并计算了择优溅射引起材料表面组分相对浓度的变化。结果还表明,离子轰击多成分靶时,碰撞效应足以引起优先溅射,它是造成靶表面各种成分相对浓度变化的重要因素。


. 1990 39(2): 319-324. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

基于两体碰撞近似,本文用蒙特-卡罗方法研究离子轰击多成分靶引起的溅射。计算了1keV,10keV的氦离子和氖离子入射引起多成分、无定型靶表面总溅射产额和部分溅射产额;溅射粒子的能谱、角分布和深度来源分布。并计算了择优溅射引起材料表面组分相对浓度的变化。结果还表明,离子轰击多成分靶时,碰撞效应足以引起优先溅射,它是造成靶表面各种成分相对浓度变化的重要因素。


. 1990 39(2): 319-324. Published 1990-01-05 ]]>
1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 319-324. article doi:10.7498/aps.39.319 10.7498/aps.39.319 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.319 319-324
<![CDATA[钙钛矿型晶体A(B1/31B2/32)O3中的有序-无序相变]]> //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.325

本文利用原子集团变分方法,讨论了A+2(B1/3+2B2/3+5)O3系统中有序-无序相变,指出在此系统中相互作用能参数对形成(B2/3+2B1/3+5)1/2:B1/2+5=1:1的混合型有序畴和B1/3
. 1990 39(2): 325-336. 刊出日期: 1990-01-05 ]]>

本文利用原子集团变分方法,讨论了A+2(B1/3+2B2/3+5)O3系统中有序-无序相变,指出在此系统中相互作用能参数对形成(B2/3+2B1/3+5)1/2:B1/2+5=1:1的混合型有序畴和B1/3
. 1990 39(2): 325-336. Published 1990-01-05 ]]> 1990-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(2): 325-336. article doi:10.7498/aps.39.325 10.7498/aps.39.325 39 2 1990-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.325 325-336